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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]氮化镓器件介质生长方法及系统-CN201610513019.5在审
发明人：刘新宇;康玄武;王鑫华;黄森;魏珂;王文武;侯瑞兵 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2016-09-21 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓GaN器件介质生长方法及系统，氮化镓器件介质生长过程中的高温感应耦合等离子体刻蚀工艺、远程等离子体修饰工艺及沉积工艺之间的转移通过集簇式封闭传送系统进行传送，从而能够在无氧传送环境中在各种工艺系统之间转移，有效避免材料表面的氧化、碳化、酸碱沾污等问题，同时无氧传输环境中的刻蚀工艺采用高温感应耦合等离子体刻蚀，有利于形成低界面态的器件。
氮化器件介质生长方法系统

[发明专利]面向GaN器件的介质生长系统及其操作方法-CN201510809602.6在审
发明人：刘新宇;王鑫华;黄森;魏珂;王文武;侯瑞兵 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2015-11-20 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：公开了面向氮化镓(GaN)器件的介质生长系统及其操作方法。根据实施例，面向GaN的介质生长系统可以包括：远程等离子体修饰系统，用于对晶片上的GaN材料表面进行改性处理；低压化学气相淀积(LPCVD)系统和原子层淀积(ALD)系统中至少之一，用于在经改性处理的GaN材料表面上淀积一个或多个介质层；以及集簇式封闭传送系统，与远程等离子体修饰系统以及所述LPCVD系统和ALD系统中至少之一气密连通，用于将晶片从远程等离子体修饰系统传送至所述LPCVD系统和ALD系统中至少之一。
面向 gan 器件介质生长系统及其操作方法

[发明专利]提高化学机械平坦化工艺均匀性的方法-CN201210112494.3有效
发明人：杨涛;赵超;李俊峰;侯瑞兵;卢一泓;崔虎山 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-04-16 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高化学机械平坦化工艺均匀性的方法，包括以下步骤：在衬底上形成特征；在特征之间形成第一介质隔离层；平坦化第一介质隔离层，直至暴露特征，使得特征之间的第一介质隔离层具有凹陷深度；在特征以及介质隔离层上形成第二介质隔离层，降低特征之间与特征顶部第二介质隔离层的高度差；平坦化第二介质隔离层，直至暴露特征。依照本发明的提高化学机械平坦化工艺均匀性的方法，在研磨特征顶部的介质隔离层之后再次形成介质隔离层，使得特征之间与特征顶部介质层高度差有效降低，并补偿了特征的凹陷，有效提高了晶圆芯片内部的均匀性。
提高化学机械平坦化工均匀方法

[实用新型]硅片单片清洗工艺腔体结构-CN200820140154.0在审
发明人： 侯瑞兵 -专利权人：北京中联科伟达技术股份有限公司
申请日： 2008-10-15 - 公布日： 2009-12-16 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：硅片单片清洗工艺腔体结构，属于半导体硅片清洗领域。由载片台、旋转系统和多重药液收集杯组成，载片台支撑硅片，旋转系统带动载片台旋转，药液收集杯单独上下运动，一个药液收集杯开启，其它工艺药液收集杯均处于密闭状态。每个药液收集杯在空间上处于相对独立状态。本实用新型对不同工艺的药液的收集在空间上相对独立，有效地减少了药液间的交叉污染，对药液回收后的后续处理、再利用、排放等提供了极大便利。同时因为沉积物的减少，方便了设备的维护保养，延长了设备使用寿命。
硅片单片清洗工艺结构

[发明专利]一种氮化氧化膜的制备方法-CN02147232.7有效
发明人：徐秋霞;侯瑞兵;高文方;韩郑生 -专利权人：中国科学院微电子中心
申请日： 2002-10-18 - 公布日： 2003-03-19 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：一种氮化氧化膜的制备方法，将氮离子注入到硅衬底中再氧化。步骤为在完成隔离的硅片上清洗后生长注前氧化膜，然后对有源区进行14N+注入；漂净注前氧化膜；清洗后用HF/IPA/H2O室温下浸泡，去离子水冲洗，甩干立即进炉；大流量N2保护下550℃进舟，慢推，大流量N2保护；升温至700－900℃，N2恒温；同一温度下，N2/O2＝5∶1气氛氧化，氧化时间1－120分钟；N2气氛，700－900℃退火，15－60分钟；N2保护下降温至550℃，再在大流量N2保护下慢拉出舟；化学汽相沉积(LPCVD)多晶硅温度620℃，压力0.2乇，SiH4200sccm，Ar800sccm。
一种氮化氧化制备方法

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