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[发明专利]一种氮化镓基晶体管的外延结构及制备方法-CN202311188656.6在审
发明人： 侯合林;谢志文;张铭信;陈铭胜;文国昇;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-09-15 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓基晶体管的外延结构及制备方法，所述氮化镓基晶体管的外延结构包括衬底及依次沉积在所述衬底上的缓冲层、改善层及半导体层；所述改善层包括依次沉积在所述缓冲层上的第一子层、第二子层及第三子层；所述第一子层包括元素掺杂GaN层及沉积在所述元素掺杂GaN层上的Ga2O3层，所述第二子层包括周期性交替生长的P‑AlGaN层和AlGaO3层，所述第三子层为n‑AlGaN层，其中，所述元素掺杂GaN层为碳掺杂GaN层、铁掺杂GaN层及锌掺杂GaN层中的任意一种，提升器件的性能。
一种氮化晶体管外延结构制备方法

[发明专利]复合缓冲层及其制备方法、外延片、高电子迁移率晶体管-CN202310850811.X有效
发明人：文国昇;侯合林;谢志文;张铭信;陈铭胜;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种复合缓冲层及其制备方法、外延片、高电子迁移率晶体管，复合缓冲层包括依次层叠的第一缓冲第一子层以及第一缓冲第二子层组成的第一缓冲层，第二缓冲第一子层以及第二缓冲第二子层周期性交替组成的第二缓冲层，第三缓冲第一子层以及第三缓冲第二子层周期性交替组成的第三缓冲层；其中，第一缓冲第一子层为AlN层、第一缓冲第二子层为SiN层、第二缓冲第一子层为ScxAl1‑xN层、第二缓冲第二子层为AlGaN层、第三缓冲第一子层为ScyAl1‑yN子层、第三缓冲第二子层为碳掺杂的GaN层，ScxAl1‑xN层中的Sc组分低于ScyAl1‑yN子层的Sc组分。
复合缓冲及其制备方法外延电子迁移率晶体管

[发明专利]发光二极管及其制备方法-CN202310988197.3有效
发明人：文国昇;侯合林;谢志文;张铭信;陈铭胜;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-08-08 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管及其制备方法，所述发光二极管包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层，以及设置在所述P型半导体层上的P电极和设置在所述N型半导体层上的N电极；所述N型半导体层包括依次层叠在所述缓冲层上的N型电子层和N型调控层，所述N型电子层包括交替层叠的AlxGa1‑x‑yInyN层和AlαGa1‑α‑βInβN层，所述N型调控层包括交替层叠的AlaGa1‑aN层和AlbIn1‑bN层。本发明提供的发光二极管能够提高N型半导体层内的N型掺杂效率，降低其内部拉应力，提高发光效率。
发光二极管及其制备方法

[发明专利]LED外延片及其制备方法、LED-CN202310836801.0在审
发明人： 侯合林;谢志文;张铭信;陈铭胜;文国昇;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED外延片及其制备方法、LED，涉及半导体光电器件领域。其中，LED外延片包括衬底，依次层叠于衬底上的缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层、第一P型层和第二P型层；其中，第一P型层为周期性结构，周期数≥2，每个周期均包括依次层叠的第一P型AlGaN层和P‑ScYAlN层；第二P型层为周期性结构，周期数≥2，每个周期均包括依次层叠的第二P型AlGaN层和P‑AlInGaN层。实施本发明，可提升LED外延片的发光效率。
led 外延及其制备方法

[发明专利]高电子迁移率晶体管外延结构及制备方法、HEMT器件-CN202310664312.1在审
发明人：文国昇;侯合林;谢志文;张铭信;陈铭胜;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供高电子迁移率晶体管外延结构及制备方法、HEMT器件，该外延结构包括复合插入层，复合插入层包括依次层叠的第一插入层、第二插入层以及第三插入层，第一插入层由元素掺杂的GaN子层和BAlGaN子层周期性交替生长而成，第二插入层为BAlN层，第三插入层由BAlGaN子层和Si掺杂的GaN子层周期性交替生长而成，其中，第二插入层中的B组分和Al组分大于第一插入层和第三插入层中的，第三插入层中的B组分和Al组分大于第一插入层中的，具体的，复合插入层的引入，可有效解决器件漏电流大、耐击穿电压能力低，二维电子气浓度低的问题，提高了器件的可靠性能，解决了高频、高功率器件输出被限制的问题。
电子迁移率晶体管外延结构制备方法 hemt 器件

[发明专利]一种石墨基座-CN202210396776.4有效
发明人： 侯合林;谢志文;张铭信;陈铭胜 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨基座，应用于MOCVD设备，涉及半导体技术领域，该石墨基座包括基座本体，及设于基座本体上的若干放置槽组，放置槽组包括多个放置槽，放置槽内设有凹坑，凹坑的深度由靠近放置槽的表面的一端逐渐向放置槽的内部递增，且每个凹坑的深度各不相同，其中，当MOCVD设备处于工作状态时，MOCVD设备内设有区域温度和MO源氛围浓度，凹坑的深度与区域温度和MO源氛围浓度对应设置，通过该设置，从而改善因区域温度分布不均匀、不同区域的MO源氛围浓度并入效率不一致，而导致外延片迎风面以及凹槽接触面处波长不均匀问题，该设置从整体上优化了LED外延片的均匀性。
一种石墨基座

[发明专利]一种外延片及其制备方法、高电子迁移率晶体管-CN202310811657.5在审
发明人：文国昇;侯合林;谢志文;张铭信;陈铭胜;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种外延片及其制备方法、高电子迁移率晶体管，外延片包括衬底、依次层叠在衬底上的缓冲层、沟道层、插入层、势垒层以及盖帽层，其特征在于，缓冲层与沟道层之间设有过渡层，过渡层包括依次层叠在缓冲层上的第一子层、第二子层、第三子层；其中，第一子层为周期性交替生长的碳掺杂GaN层和AlGaN层、第二子层为周期性交替生长的非掺杂GaN层和AlGaN层、第三子层为周期性交替生长的Si3N4层和AlInGaN层、沟道层为InGaN层，AlInGaN层的Al组分由靠近缓冲层一端向另一端逐渐降低，AlInGaN层的In组分由靠近缓冲层一端向另一端逐渐升高。本发明解决了现有技术中的外延片二维电子气浓度低的问题。
一种外延及其制备方法电子迁移率晶体管

[发明专利]一种高光效LED外延片及其制备方法、LED芯片-CN202310452564.8在审
发明人： 侯合林;谢志文;张铭信;陈铭胜;文国昇;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种高光效LED外延片及其制备方法、LED芯片，高光效LED外延片由下至上依次包括N型氮化物层、有源层以及P型氮化物层，有源层包括多个交替排布的量子阱层、插入层以及量子垒层，插入层包括多个周期性交替排布的第一元素层和第二元素层，本发明中的高光效LED外延片，通过在有源层中的量子阱层和量子垒层之间引入插入层、且插入层由第一元素层和第二元素层呈周期性交替排布，使得插入层的晶格常数介于量子阱层与量子垒层之间，有效地缓解了量子阱层与量子垒层的晶格失配，提升了有源层的晶体质量，降低了有源层中的极化电场，改善了因量子阱能带弯曲以及晶体质量偏差导致的发光效率下降的问题。
一种高光效 led 外延及其制备方法芯片

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、LED-CN202310421472.3在审
发明人： 侯合林;谢志文;张铭信;陈铭胜;文国昇;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、本征GaN层、N型GaN层、插入层、过渡层、有源层、P型氮化物层；所述插入层上包括若干个氮化物三棱柱，所述氮化物三棱柱包括底面和侧面，所述底面与所述N型GaN层相贴合，所述侧面为半极性面；所述过渡层包括周期性交替层叠的半极性面GaN层和半极性面InGaN层。本发明提供的发光二极管外延片能够使得极性面有源层成功转换为半极性面有源层，改善了电子泄漏问题的同时，提升了量子阱层中的空穴浓度，提高了发光效率。
发光二极管外延及其制备方法 led

[发明专利]一种GaN基LED外延片及外延生长方法-CN202310125951.0在审
发明人： 侯合林;谢志文;张铭信;陈铭胜;文国昇;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种GaN基LED外延片及外延生长方法，通过控制扩展层和滞缓层中扩展子层和滞缓子层In含量先升高再降低的变化，可以使得有源层与滞缓层以及扩展层之间产生势阱深度，且靠近有源层一侧滞缓层的势阱相对更深，可有效减缓电子向有源层的迁移速率，提高有源层对电子局限能力，改善电子注入P型氮化物层发生非辐射复合，最终到达提高发光效率的目的。
一种 gan led 外延生长方法

[发明专利]一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片-CN202310140150.1在审
发明人： 侯合林;谢志文;张铭信;陈铭胜;文国昇;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明提供一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片，通过生长由多个超晶格子层依次层叠而成的P型过渡层，由于超晶格子层为由（AlxGa1‑x）yIn1‑yP层和（AlαGa1‑α）βIn1‑βP层交替生长而成的周期性结构，且x＞α，y＜β，可有效阻断从P型限制层上延伸的位错，降低P型窗口层的位错密度，另外，P型过渡层中的Al组分和In组分随着各超晶格子层的沉积，逐层递减，使得P型过渡层的晶格常数由接近P型限制层的晶格常数逐渐接近P型窗口层的晶格常数，可以有效缓解衬底和P型限制层与P型窗口层的晶格失配，提高P型窗口层的晶体质量。
一种 led 外延生长方法芯片

[发明专利]发光二极管外延结构及其制备方法、发光二极管-CN202211207791.6在审
发明人： 侯合林;谢志文;张铭信;陈铭胜;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延结构及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延结构包括衬底和依次层叠于所述衬底上的成核层、第一覆盖层、第一GaN层、N型GaN层、多量子阱层、P型GaN层和P型接触层；第一覆盖层包括多个间隔排布的第一子单元，相邻第一子单元之间设有裸露至成核层的第一裸露区，第一GaN层覆盖第一裸露区和第一子单元，且位于第一子单元上的第一GaN层的厚度小于位于第一裸露区上的第一GaN层的厚度，以使第一GaN层的上表面齐平；第一覆盖层由氧化硅、氮化硅、氮化钛、铑、铂中的一种或多种制成。实施本发明，可减少位错延伸，提升发光二极管的光效。
发光二极管外延结构及其制备方法

[发明专利]发光二极管的外延结构及其制备方法、发光二极管-CN202211212687.6在审
发明人： 侯合林;谢志文;张铭信;陈铭胜;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管的外延结构及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。发光二极管的外延结构包括衬底和依次层叠于所述衬底上的缓冲层、U‑GaN层、N‑GaN层、多量子阱层、P‑GaN层和P型接触层；其中，所述P‑GaN层为O、Be共掺GaN层，O的掺杂浓度为5×1018‑5×1019atom/cm3，Be的掺杂浓度为1×1019‑1×1020atom/cm3。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率。
发光二极管外延结构及其制备方法

[发明专利]一种晶体管及其制备方法-CN202210971333.3有效
发明人： 侯合林;谢志文;张铭信;陈铭胜;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域，该晶体管包括衬底，以及依次层叠于衬底上的成核层、缓冲层、复合高阻层、GaN沟道层、AlGaN势垒层以及GaN帽层，复合高阻层包括第一子层和设于第一子层之上的第二子层，第一子层为Si3N4层，第二子层包括n个周期性层叠的C掺杂GaN层以及ZnO层，通过该设置，可有效提升复合高阻层的晶体质量，降低漏电电流，提高器件的可靠性和使用寿命。
一种晶体管及其制备方法

[发明专利]氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制备方法-CN202211006663.5有效
发明人： 侯合林;谢志文;张铭信;陈铭胜;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明提出一种氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制备方法，该晶体管包括包括复合沟道层，其中的第一掺杂InxGa1‑xN沟道层中的Si掺杂浓度低于第二掺杂InyGa1‑yN沟道层中的Si掺杂浓度，第一掺杂InxGa1‑xN沟道层中的C掺杂浓度高于第二掺杂InyGa1‑yN沟道层中的C掺杂浓度，第一掺杂InxGa1‑xN沟道层中的In组分浓度低于第二掺杂InyGa1‑yN沟道层中的In组分浓度，第二掺杂InyGa1‑yN沟道层中的In组分浓度低于第三非掺杂InzGa1‑zN沟道层中的In组分浓度。本发明提出的氮化镓基高电子迁移率晶体管，能够提高HEMT器件的二维电子气浓度，进而提升器件的输出功率。
氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制备方法

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