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[发明专利]部件的预热处理方法和基板处理装置-CN202210793940.5在审
发明人：熊谷义纪;武部一宏;佐藤吉宏 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种部件的预热处理方法和基板处理装置，能够将配置于载物台的部件适当地进行预热来提高针对基板的处理的均匀性。在部件的预热处理方法中，将能够与基板处理装置的用于载置基板的载物台接触且能够相对于该载物台相对移动的部件进行预热。部件的预热处理方法包括以下工序：将部件定位于与载物台不接触的预热位置，通过来自载物台的辐射热来将部件进行预热；以及使在将部件进行预热的工序中预热后的部件与载物台接触。由此，能够将部件适当地进行预热来提高针对基板的处理的均匀性。
部件预热处理方法装置

[发明专利]氮化硅膜的成膜方法和成膜装置-CN202111318553.8在审
发明人：渡边幸夫;高藤哲也;内田博章;佐藤吉宏 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：氮化硅膜的成膜方法和成膜装置。在基板温度为200℃以下成膜为覆盖范围良好的氮化硅膜。氮化硅膜的成膜方法在收纳于处理腔室内的基板上成膜为氮化硅膜，成膜方法具备：工序(a)，在不供给高频电力的状态下向处理腔室内供给包含卤化硅气体的气体；工序(b)，(a)工序后，停止包含卤化硅气体的气体的供给，将处理腔室内排气；工序(c)，(b)工序后，向处理腔室内供给含氮气体；工序(d)，(c)工序后，向处理腔室内供给高频电力，产生等离子体；工序(e)，(d)工序后，停止含氮气体的供给和高频电力的供给，将处理腔室内排气；和重复执行对应于直至形成预先确定的膜厚的氮化硅膜的X次(X≥1)(a)至(e)的工序，(a)至(e)的工序中将基板温度控制为200℃以下。
氮化方法装置

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN202110041720.2在审
发明人：窪田真树;佐藤吉宏;佐藤正律 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-01-13 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供成膜方法和成膜装置，能够降低在同一处理容器内对基片连续地反复进行多层膜的成膜的情况下处理容器内的清洁的频次。成膜方法是在同一处理容器内在基片形成包含不同的膜的多层膜的成膜方法，包括第1工序、第2工序、第3工序、第4工序、第5工序和第6工序。第1工序将基片送入处理容器内。第2工序在基片形成第1膜。第3工序在第2工序后的基片形成第2膜。第4工序将第3工序后的基片从处理容器送出。第5工序在第4工序后用第1气体的等离子体将形成第2膜时沉积在处理容器内的第1沉积物除去。第6工序在反复执行了从第1工序至第5工序为止的工序后，用第2气体的等离子体将形成第1膜时沉积在处理容器内的第2沉积物除去。
方法装置

[发明专利]基板处理装置和基板处理方法-CN202011059075.9在审
发明人：佐藤正律;佐藤吉宏;窪田真树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置和基板处理方法能够确保随着基板的大型化而同样大型化的、保护基板的边缘部的保护框的刚性，并且能够实现面内均匀的成膜。一种在处理容器内对基板进行处理的基板处理装置，其中，该基板处理装置具有：保护框，其具有环状的主体部和向所述主体部的内侧伸出的环状的遮檐部；基板载置台，其具有载置基板的载置面和在所述载置面的周围自所述载置面凹下的环状的台阶部，所述主体部能够收纳于所述台阶部；以及升降机构，其支承所述主体部并使所述保护框相对于所述基板载置台升降，在所述主体部收纳于所述台阶部时，所述遮檐部的顶端定位在载置于所述载置面的所述基板的边缘部的上方。
处理装置方法

[发明专利]成膜方法和TFT的制造方法-CN201710457272.8有效
发明人： 佐藤吉宏;渡边幸夫;窪田真树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明的课题在于降低保护膜中的H原子的含量并且在含Cu的电极上正常地形成保护膜。保护膜的成膜方法包括搬入步骤、供给步骤和成膜步骤。在搬入步骤中，向处理容器内搬入Cu部露出的基板，其中Cu部为由含Cu的材料形成的构造物。在供给步骤中，向处理容器内供给第一气体、第二气体和第三气体。在成膜步骤中，利用供给到处理容器内的、含有第一气体、第二气体和第三气体的混合气体的等离子体，在Cu部上形成保护膜。第一气体为含卤素原子的硅系气体。第二气体为O
方法 tft 制造

[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN201180006900.1无效
发明人：米泽亮太;高桥哲朗;大崎良规;铃木公贵;齐藤智博;山下润;佐藤吉宏;盐泽俊彦;山崎幸一;古木和弘 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-03-30 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：在电介质板（28）和盖部件（13）的支撑部（13a）之间具有环状的O型环（29a），并且在该O型环（29a）的外周侧设置有用于在处理容器（1）的上部配置的盖部件（13）的支撑部（13a）和电介质板（28）之间形成缝隙（d）的垫片（60）。即使处理容器（1）内的等离子体的热导致盖部件（13）和电介质板（28）热膨胀，通过缝隙（d），盖部件（13）和电介质板（28）也不会接触、摩擦，能够防止电介质板（28）的破损和颗粒的产生。
等离子体处理装置方法

[发明专利]等离子体氮化处理方法和装置、及半导体装置的制造方法-CN201210089062.5无效
发明人：壁义郎;佐藤吉宏 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-03-29 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L21/321 文献下载
摘要：本发明涉及选择性地形成氮化物膜的等离子体氮化处理方法、等离子体氮化处理装置以及半导体装置的制造方法。向处理容器(2)内供给含氮气体，将处理容器(2)内的压力设定在133Pa～1333Pa的范围内，在处理容器(2)内生成含氮等离子体，通过该含氮等离子体不使含硅的第2部分(100B)的表面(100Ba)氮化而选择性地氮化含有钨的第1部分(100A)的表面(100Aa)，在第1部分(100A)的表面(100Aa)形成氮化钨膜(107)。
等离子体氮化处理方法装置半导体制造

[发明专利]硅氧化膜的形成方法和等离子体氧化处理装置-CN201180007026.3无效
发明人：壁义郎;大田尾修一郎;佐藤吉宏 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-03-09 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：一边通过排气装置（24）对处理容器（1）内进行减压排气，一边从气体供给装置（18）的非活性气体供给源（19a）和含臭氧气体供给源（19b），通过气体导入部（15）将非活性气体和相对于O2和O3的合计的体积、O3的体积比率为50%以上的含臭氧气体以规定的流量导入处理容器（1）内。将在微波产生装置（39）产生的规定频率例如2.45GHz的微波，从平面天线（31）经过透过板（28）放射到处理容器（1），对非活性气体和含臭氧气体进行等离子体化。通过该微波激励等离子体在晶片（W）表面形成硅氧化膜。在等离子体氧化处理期间，也可以从高频电源（44）向载置台（2）供给规定频率和功率的高频电力。
氧化形成方法等离子体处理装置

[发明专利]等离子体氮化处理方法-CN201110075945.6无效
发明人：松山征嗣;中西敏雄;尾崎成则;足立光;高槻浩一;佐藤吉宏 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2005-03-02 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： C23C8/36 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体氮化处理方法。在本发明中，在利用由微波产生的等离子体对形成氧化膜后的基板进行氮化处理以形成氧氮化膜时，断续地进行微波的供给。通过断续地供给微波，与电子温度下降相伴的离子冲击降低，氧化膜中的氮化种的扩散速度降低，其结果，氮集中在氧氮化膜的基板侧界面上从而能够抑制其浓度增高。由此，能够提高氧氮化膜的膜质，从而能够降低漏电流、提高动作速度、并提高NBTI耐性。
等离子体氮化处理方法

[发明专利]微波等离子体处理装置-CN200980103949.1无效
发明人：太田欣也;田才忠;小林浩;佐藤吉宏;盐泽俊彦;前川浩治 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-01-30 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明提供一种微波等离子体处理装置，其中，对用于形成等离子体的微波进行放射的平面天线(31)，在其表面以同心状被分为中央区域(31a)、外周区域(31c)、中央区域和外周区域的中间区域(31b)的情况下，朝向各异的微波放射孔(32)的对以同心圆状在中央区域(31a)以及所述外周区域(31c)配列多个，在中间区域(31b)上不形成微波放射孔，微波透过板(28)在其微波放射面上形成有凹部(28a)。
微波等离子体处理装置

[发明专利]绝缘膜形成方法-CN201010263420.0无效
发明人： 佐藤吉宏;中山友绘;小林浩;大崎良规;高桥哲朗 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2005-11-02 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：本发明提供一种绝缘膜形成方法，对基板上的氧化膜实施等离子体氮化处理，然后在处理容器(51)内对该基板实施退火处理而形成绝缘膜，其中，在667Pa以下的低压力条件下进行退火处理。退火处理进行5秒～45秒。在等离子体氮化处理时，通过使用形成有多个透孔的平板天线的微波等离子体进行等离子体氮化处理。
绝缘形成方法

[发明专利]微波等离子体处理装置和微波等离子体处理方法以及微波透过板-CN200880020112.6无效
发明人： 佐藤吉宏;小林岳志;盐泽俊彦;田村大辅 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-06-10 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供微波等离子体处理装置和微波等离子体处理方法以及微波透过板。微波等离子体处理装置(100)，其利用从平面天线(31)的微波放射孔(32)放射的、透过微波透过板(28)的微波在腔室(1)内形成处理气体的等离子体，利用该等离子体对载置于载置台(2)的被处理体(W)实施等离子体处理，其中，微波透过板(28)在其微波透过面的与被处理体的周缘部对应的部分具有凹凸状部(42)，与被处理体(W)的中央部对应的部分形成为平坦部(43)。
微波等离子体处理装置方法以及透过

[发明专利]绝缘膜的形成方法和半导体装置的制造方法-CN200780019921.0无效
发明人：本多稔;佐藤吉宏;中西敏雄 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-05-30 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：本发明提供绝缘膜的形成方法和半导体装置的制造方法，该绝缘膜的形成方法包括对硅露出于其表面的被处理基板实施使上述硅氮化的氮化处理，在硅表面上形成氮化硅膜的步骤；在N₂O气氛中对形成有氮化硅膜的被处理基板进行热处理，形成氮氧化硅膜的步骤；和对氮氧化硅膜进行氮化处理的步骤。
绝缘形成方法半导体装置制造

[发明专利]绝缘膜形成方法及基板处理方法-CN200580036456.2无效
发明人： 佐藤吉宏;中山友绘;小林浩;大崎良规;高桥哲朗 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2005-11-02 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：本发明提供一种绝缘膜形成方法，对基板上的氧化膜实施等离子体氮化处理，然后在处理容器(51)内对该基板实施退火处理而形成绝缘膜，其中，在667Pa以下的低压力条件下进行退火处理。退火处理进行5秒～45秒。在等离子体氮化处理时，通过使用形成有多个透孔的平板天线的微波等离子体进行等离子体氮化处理。
绝缘形成方法处理

[发明专利]栅极绝缘膜的形成方法、半导体装置和计算机记录介质-CN200580036152.6无效
发明人：西田辰夫;石塚修一;藤野丰;中西敏雄;佐藤吉宏 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2005-10-27 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在本发明中，在形成DRAM中的栅极绝缘膜的情况下，对成为栅极绝缘膜的基底的氧化膜实施等离子体氮化处理。通过使用着形成有多个通孔的平板天线的微波等离子体进行等离子体氮化处理。由等离子体氮化处理所形成的栅极绝缘膜中的氮浓度为5～20％原子浓度。随后即使不进行退火处理也可以在DRAM中有效地防止硼穿透现象，并且抑制成为器件驱动能力降低的原因的膜中的阱。
栅极绝缘形成方法半导体装置计算机记录介质

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