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[发明专利]漂移模式和减速模式下具备束角控制的离子注入系统-CN201880036357.1有效
发明人： 伯·范德伯格;爱德华·艾伊斯勒 -专利权人：艾克塞利斯科技公司
申请日： 2018-06-13 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：一种离子注入系统具有形成离子束的离子源。质量分析器沿射束路径限定并改变经质量分析的射束。可动质量解析孔径组件具有解析孔径，响应于质量分析器改变射束路径而选择性改变该解析孔径的位置。定位的偏转减速元件选择性偏转射束路径并选择性使经质量分析的射束减速。控制器在漂移模式和减速模式下选择性操作离子注入系统。控制器在漂移模式下使经质量分析的射束沿第一路径穿过解析孔径而不会发生偏转或减速，而在减速模式下使射束沿第二路径偏转并减速。选择性改变解析孔径的位置是基于穿过质量分析器和偏转减速元件的射束路径变化。
漂移模式减速具备控制离子注入系统

[发明专利]用于高生产量扫描束离子注入机的扫描和校正器磁体设计-CN201980078886.2在审
发明人：爱德华·艾伊斯勒;伯·范德伯格 -专利权人：艾克塞利斯科技公司
申请日： 2019-11-06 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01J37/147 文献下载
摘要：一种离子注入系统和方法提供带状离子束的非均匀通量。形成点离子束并将其提供给扫描仪，并且向扫描仪施加具有时变电势的扫描波形。扫描仪在扫描路径上对离子束进行扫描，从而大体上限定由多个子束组成的扫描离子束。然后，扫描射束通过校正器装置。校正器装置构造成在整个工件上以大体上恒定的入射角朝向工件引导扫描离子束。校正器装置还包括多个磁极，该多个磁极构造成在理想点离子束以基本上恒定的速度完全扫描工件的理想情况下，在工件处提供扫描离子束的非均匀通量分布，其中，非均匀通量分布具有从工件的中心区域向工件的边缘基本上单调增加的通量。
用于生产量扫描离子注入校正磁体设计

[发明专利]用于离子源的四极管提取设备-CN201980080219.8在审
发明人：威廉·普拉托维;爱德华·艾伊斯勒;伯·范德伯格;奈尔·巴森;迈克尔·克里斯托弗罗;约书亚·阿贝绍斯 -专利权人：艾克塞利斯科技公司
申请日： 2019-11-13 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01J27/02 文献下载
摘要：一种用于离子源的电极系统，其具有在离子源腔室中限定源孔径的源电极，并且耦接至源电源。第一接地电极限定第一接地孔径，该第一接地孔径电性耦接至电接地电位且从离子源提取离子。抑制电极定位于第一接地电极的下游并且限定电性耦接至抑制电源的抑制孔径。第二接地电极定位于抑制电极的下游并且限定第二接地孔径。第一接地电极和第二接地电极固定地彼此耦接并且电性耦接至电接地电位。
用于离子源四极管提取设备

[发明专利]具有增进效率的扫描磁体设计-CN201980053599.6在审
发明人： 伯·范德伯格;爱德华·艾伊斯勒 -专利权人：艾克塞利斯科技公司
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01J37/147 文献下载
摘要：扫描磁体位于离子注入系统的质量分辨磁体的下游，并且被配置为控制质量分辨磁体下游的离子束路径以用于扫描或抖动离子束。扫描磁体具有其中界定有通道的轭部。轭部是含铁的并且具有第一侧和第二侧以界定离子束的对应入口和出口。轭部具有从第一侧到第二侧所堆栈的多个层合物，其中与第一侧和第二侧相关联的多个层合物的至少一部分包括一个或多个槽口式层合物，一个或多个槽口式层合物具有界定在其中的多个槽口。
具有增进效率扫描磁体设计

[发明专利]用于离子源的集成提取电极操纵器-CN201680020055.6有效
发明人： 伯·范德伯格;约瑟夫·瓦林斯基;迈克尔·克里斯托福罗 -专利权人：艾克塞利斯科技公司
申请日： 2016-03-22 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H01J27/02 文献下载
摘要：模块化离子源和提取设备200包括选择性地电连接到电压电位的离子源室202，其中离子源室包括提取孔203。提取电极206位于靠近离子源室的提取孔的位置，其中提取电极被配置为从离子源室提取离子，并且可以电接地。一个或多个连杆208可操作地连接到离子源室，并且一个或多个绝缘体210将提取电极连接到相应的一个或多个连杆，其中一个或多个绝缘体使相应的一个或多个连杆与提取电极电绝缘，其中提取电极与离子源室电绝缘。一个或多个致动器212、218、220可操作地将一个或多个连杆连接到离子源室，其中一个或多个致动器被配置成使一个或多个连杆相对于所述离子源室平移，其中使提取电极在一个或多个轴线上平移。
用于离子源集成提取电极操纵

[发明专利]用于离子注入的组合静电透镜系统-CN201580070493.9有效
发明人：爱德华·C·艾伊斯勒;伯·范德伯格 -专利权人：艾克塞利斯科技公司
申请日： 2015-12-28 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01J37/20 文献下载
摘要：本发明提出用于以低能量将离子注入工件内的系统及方法。提供配置成生成离子束的离子源，其中，质量解析磁体被配置成质量解析该离子束。离子束可以是带状射束或经扫描的点状离子束。定位于质量解析磁体下游的质量解析孔径过滤离子束中的不良粒种。组合静电透镜系统被定位于质量分析器的下游，其中，使离子束的路径偏转并且大体上滤除离子束中的污染物，同时使离子束减速并平行化。工件固持与平移系统进一步被定位于组合静电透镜系统的下游并被配置成选择性使工件在一个或多个方向上平移通过离子束，在其中将离子注入工件内。
用于离子注入组合静电透镜系统

[发明专利]改善混合式扫描离子束注入机的生产率的系统及方法-CN201580070384.7有效
发明人： 伯·范德伯格;安迪·雷 -专利权人：艾克塞利斯科技公司
申请日： 2015-12-28 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01J37/30 文献下载
摘要：本发明提供一种通过确定优化扫描宽度来改善混合式扫描注入机的生产率的方法。本发明还提供一种调谐经扫描离子束的方法，其中，确定期望束电流，用以利用期望特性来注入工件。利用设置法拉第杯来调谐所述经扫描射束。使用设置法拉第杯的时间信号来调整扫描宽度，以获得最佳扫描宽度。针对与期望剂量相对应的期望通量值来调谐光学器件。当获得期望通量值时，控制通量分布的均匀性。进一步测量离子束的角度分布。
改善混合式扫描离子束注入生产率系统方法

[发明专利]提高离子注入系统中磁扫描离子束一致性的方法-CN201610257320.4有效
发明人：爱德华·艾伊斯勒;伯·范德伯格 -专利权人：艾克塞利斯科技公司
申请日： 2012-12-13 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H01J37/244 文献下载
摘要：本发明涉及一种扫描系统，该扫描系统包括扫描元件、射束评测仪、分析系统及ZFE限制元件。扫描元件配置成扫描离子束扫描路径上的离子束。在离子束扫描路径上扫描离子束时，射束评测仪测量离子束的束电流；分析系统分析所测的束电流，从而检测ZFE情况。位于射束评测仪上游并经由反馈通路耦合至分析系统的ZFE限制元件配置成基于是否检测到ZFE情况而有选择地向经扫描离子束施加时变电场。选择性施加的电场引发经扫描射束中的变化，从而限制ZFE情况。
生产率一致性提高离子注入系统方法

[发明专利]用于在具有束减速的离子注入器中进行束角度调整的系统和方法-CN201580067666.1在审
发明人： 伯·范德伯格;爱德华·艾伊斯勒 -专利权人：艾克塞利斯科技公司
申请日： 2015-12-28 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01J37/05 文献下载
摘要：离子注入系统(110)使用质量分析器(126)来进行质量分析和角度校正。离子源沿束路径产生离子束(124)。质量分析器放置在离子源的下游，所述质量分析器对离子束执行质量分析和角度校正。位于孔径组件(133)内的分辨孔径(134)位于质量分析器部件的下游并位于束路径上。分辨孔径具有根据所选择的质量分辨率以及离子束的束包络的尺寸和形状。角度测量系统(156)位于分辨孔径的下游并获得离子束的入射角值。控制系统(154)根据来自角度测量系统的离子束的入射角值导出针对质量分析器的磁场调整。
用于具有减速离子注入进行角度调整系统方法

[发明专利]扫描离子束的改善均匀性-CN201280017078.3有效
发明人：爱德华·艾伊斯勒;安迪·雷;伯·范德伯格 -专利权人：艾克塞利斯科技公司
申请日： 2012-03-29 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： H01J37/302 文献下载
摘要：一个实施例涉及离子注入器。该离子注入器包括：离子源，用于产生离子束，以及扫描仪，用于使离子束沿着第一轴在工件的表面上进行扫描。该离子注入器还包括：偏转滤波器，位于扫描仪的下游，用于使离子束沿着第二轴在工件的表面上抖动地扫描。
扫描离子束改善均匀

[发明专利]用于减少能量杂质的束线配置-CN201380004763.7有效
发明人：爱德华·艾伊斯勒;伯·范德伯格 -专利权人：艾克塞利斯科技公司
申请日： 2013-01-14 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明涉及用于减少能量杂质的方法及装置，可用于粒子注入的束线组合。突出部包括表面区域及其间槽部的突出部可面向束线组合内从工件角度观察的视线域内的中性原子轨迹。突出部可使中性原子轨迹的路线变作远离工件或引起其它轨迹，用于在击中工件前进一步撞击，并由此对敏感度更佳的注入进一步减少能量杂质。
用于减少能量杂质配置

[发明专利]生产率及一致性提高的离子注入的系统及方法-CN201280061905.9有效
发明人：爱德华·艾伊斯勒;伯·范德伯格 -专利权人：艾克塞利斯科技公司
申请日： 2012-12-13 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明涉及一种扫描系统，该扫描系统包括扫描元件、射束评测仪、分析系统及ZFE限制元件。扫描元件配置成扫描离子束扫描路径上的离子束。在离子束扫描路径上扫描离子束时，射束评测仪测量离子束的束电流；分析系统分析所测的束电流，从而检测ZFE情况。位于射束评测仪上游并经由反馈通路耦合至分析系统的ZFE限制元件配置成基于是否检测到ZFE情况而有选择地向经扫描离子束施加时变电场。选择性施加的电场引发经扫描射束中的变化，从而限制ZFE情况。
生产率一致性提高离子注入系统方法

[发明专利]提高扫描束离子注入机的产量-CN201180022448.8有效
发明人：爱德华·艾伊斯勒;伯·范德伯格 -专利权人：艾克塞利斯科技公司
申请日： 2011-04-27 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01J37/147 文献下载
摘要：公开了用于提供更大产量的离子注入方法和系统。当离子束(112)的横截面完全撞击在工件的表面上时，离子束(112)被以第一扫描速率(VslowScan)跨过工件的表面进行扫描；在束的横截面面积的一部分延伸到工件的外边缘(140)以外的位置(214)处，所述第一扫描速率被增大到第二速率(VFastScan)。一些实施例使用下述扫描模式：其中在实际注入期间在工件外进行束通量测量，以及可以实时地改变注入例行程序以计入束通量的变化。
提高扫描离子注入产量

[发明专利]具有改良效率的磁扫描系统-CN201180020858.9有效
发明人： 伯·范德伯格 -专利权人：艾克塞利斯科技公司
申请日： 2011-04-27 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01J37/147 文献下载
摘要：本发明的一些方案通过利用一磁束扫描仪辅助离子注入，该扫描仪包含第一及第二磁元件，射束路径区域介于其间。一或多个磁通量压缩元件配置于接近射束路径区域处且介于第一及第二磁元件之间。操作期间，第一及第二磁元件合作产生一振荡时变磁场于该射束路径区域之中以按时间来回扫描离子束。该一或多个磁通量压缩元件压缩第一及第二磁元件所提供的磁通量，从而降低来回磁扫描射束所需的功率总量(相对于先前的实施方式)。还揭示了其他扫描仪、系统、以及方法。
具有改良效率扫描系统

[发明专利]离子注入中的增强型低能离子束传输-CN201080005105.6有效
发明人： 伯·范德伯格;威廉·迪韦尔吉利奥 -专利权人：艾克塞利斯科技公司
申请日： 2010-01-22 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：一种离子注入方法和系统包括束中和以减轻束散，该束散在低能大电流离子束中可能是特别有问题的。束中和部件可以位于其中扩大可能发生的系统中。中和部件包括变化的激励场产生部件，其产生中和离子束的等离子体，由此减轻束散。以变化的频率和/或场强度产生激励场，以维持中和等离子体，同时减轻降低中和等离子体的作用的等离子体壳层的形成。
离子注入中的增强低能离子束传输

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