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[发明专利]一种适用于金属陶瓷四极管的调试平台-CN202211479815.3有效
发明人：朱光辉;郭际;魏世东;张新军;毛玉周;高岷民;余才军;秦成明;王磊;张伟;刘鲁南;袁帅;张开 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院;北京航天广通科技有限公司
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G21B1/11 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于金属陶瓷四极管的调试平台，该平台包括：可调射频功放结构腔体、低电平信号控制与保护系统；低电平信号控制与保护系统通过固态功放与可调射频功放结构腔体连接；可调射频功放结构腔体用于固定金属陶瓷四极管，并引出金属陶瓷四极管的各个电极，并通过调节各个电极与共振腔体的电气参数，改变可调射频功放结构腔体的共振频率；以及用于使金属陶瓷四极管进行射频信号的共振输出；低电平信号控制与保护系统用于提供输入信号，并对输入信号波形的频率采用本发明实施例，可在快速将金属陶瓷四极管调整到预设工作状态的同时，实现对四极管的保护。
一种适用于金属陶瓷四极管调试平台

[发明专利]可重复使用的轻便型光纤电极及其制作方法、埋置方法-CN201710675948.0有效
发明人：胡波;杨丽 -专利权人：中国人民解放军第三军医大学
申请日： 2017-08-09 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： A61B5/0478 文献下载
摘要：本发明提供的一种重复使用的轻便型光纤电极及其制作方法、埋置方法，激光二极管与光纤一端相连接，神经信号接头焊接在PCB板上，神经信号接头与PCB板之间电联，PCB板焊接在微推进器上，铁片垂直固定在微推进器上，毛细引导管粘附在铁片上，四极管穿入毛细引导管，四极管的一端突出于毛细引导管的长度，四极管的另一端插入PCB板的孔洞，激光二极管‑光纤复合体与四极管电极之间用胶水固化，连接杆的一端固定于微推进器，连接杆的另一端固定于激光二极管底座仅用极细电线牵引控制激光二极管，而无需拔插光纤与光纤套管，故可以轻易地在自由活动的小鼠上实现两或多个脑区进行稳定的多通道记录和同步多模态光刺激控制。
重复使用轻便光纤电极及其制作方法方法

[发明专利]RGB-WW同步智能美耐灯-CN202011518549.1在审
发明人：陈根海;陈勇 -专利权人：江苏镭科照明科技有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H05B45/30 文献下载
摘要：美耐灯灯串并联到主线上，每条美耐灯灯串由多个RGB‑WW四极管灯泡依次串联而成，各个RGB‑WW四极管灯泡的导线正极分别与相邻RGB‑WW四极管灯泡的导线负极相连接，将多个RGB‑WW四极管灯泡依次串联成一串
rgb ww 同步智能美耐灯

[实用新型]基于旁热式阴极束射四极管的微波信号发射机-CN201320126239.4有效
发明人：陈伟;孙国栋 -专利权人：成都世旗电子科技有限公司
申请日： 2013-03-20 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： H04B1/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于旁热式阴极束射四极管的微波信号发射机，包括旁热式阴极束射四极管、第一变压器、第二变压器、第一电容至第六电容、第一电阻、第二电阻、第一电感、第二电感、整流电路和天线。本实用新型主要采用旁热式阴极束射四极管为核心元件，电路结构简单，采用元件较少，因此，成本低廉、体积小、能够降低功耗，信号强，在室内使用时没有除的方向性，抗干扰能力也较强，有利于推广。
基于旁热式阴极束射四极管微波信号发射机

[发明专利]一种能实时监测并自动补偿的阻抗自动调谐系统-CN201710387490.9有效
发明人：孙虹;李晓;赵发成;张春林;朱骏裕;陈胜义 -专利权人：东莞中子科学中心
申请日： 2017-05-27 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H03F1/56 文献下载
摘要：本发明涉及宽带高功率射频放大器阻抗自动调谐技术领域，尤指一种可以应用在宽带高频功率源通过实时监测前级放大器输出阻抗的失谐角来控制调整匹配网络的参数实现自动补偿功能，用以解决四极管前级阻抗失谐的一种能实时监测并自动补偿的阻抗自动调谐系统；主要包括通过阻抗谐振匹配网络连接的控制单元和高频功率源，本发明主要是一项自动跟踪阻抗调谐技术，更具体的是可以通过实时监测前级放大器输出阻抗的失谐角来控制调整匹配网络的参数，自动补偿四极管栅极电容Ckg1在宽频带内造成的阻抗变化，使得在整个宽频带工作范围内能够始终保证四极管栅极输入阻抗处于谐振匹配状态，从而可以大大提高大功率四极管放大器的工作效率和整机性能。
一种实时监测自动补偿阻抗调谐系统

[发明专利]一种带触控和调试功能的发光四极管-CN202110388023.4有效
发明人：郭太良;翁雅恋;周雄图;张永爱;吴朝兴;严群;孙捷;林志贤 -专利权人：福州大学;闽都创新实验室
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种带触控和调试功能的发光四极管。所述发光四极管从下到上依次包括蓝宝石衬底、半导体缓冲层、第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层、多量子阱层、第四半导体层；所述发光四极管均在蓝宝石衬底上进行单片多功能集成，无需精准对位和键合复杂工艺流程
一种带触控调试功能发光四极管

[发明专利]在电子管帘栅极上施加负反馈的放大器-CN200810064514.8无效
发明人：张东静 -专利权人：张东静
申请日： 2008-05-16 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： H03F1/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种在电子管帘栅极上施加负反馈的放大器，信号经过五极管或束射四极管放大后，取出一部分再向这个五极管的帘栅极施加负反馈信号，该放大器中五极管通过耦合电容/稳压二级管/负反馈伺服电路/负反馈绕组/连接帘栅极，为帘栅极提供负反馈的交流信号；通过电阻/稳压二级管/负反馈伺服电路/扼流圈/负反馈绕组连接帘栅极为帘栅极提供直流电压，该方案也适用于束射四极管。把五极管应用在电压放大级还是应用在功率放大级都能使用本发明为帘栅极提供一定量的交流负反馈信号，改善五极管或束射四极管的线性，并且具有施加在帘栅极负反馈量可以调整的特点；又能在帘栅极的直流电压低于屏极时，
电子管栅极施加负反馈放大器

[发明专利]大功率回旋管阴极主高压电源-CN200710187430.9无效
发明人：姚列英;李青;毛晓惠 -专利权人：核工业西南物理研究院
申请日： 2007-11-23 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： H05H13/10 文献下载
摘要：本发明属于一种等离子体加热领域的设备，具体涉及一种大功率电子回旋管阴极主高压电源。由于本发明采用星点电流控制技术为回旋管阴极提供一个稳定的高压直流源，在高压直流源与每个回旋管阴极之间串联一个调节/调制器，调节/调制器可以快速通断和精细调节输出电压；真空四极管浸在油中，通过强迫油循环冷却，提高了调整管承受耗散的能力，增加了工作电压，使得真空四极管能够工作于长脉冲状态。
大功率回旋阴极高压电源

[实用新型]一种高传真单端扩音机-CN201320115594.1有效
发明人：邰若鹏 -专利权人：邰若鹏
申请日： 2013-03-14 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H04R27/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高传真单端扩音机，包括两个完全相同的放大电路和为两个放大电路提供电源的电源电路，放大电路包括由一支五极管构成的前置放大级和由一支束射四极管构成的甲类单端输出级，五极管和束射四极管均采用标准接法，甲类单端输出级的输出变压器的次级线圈的输出端子经反馈电阻与五极管的阴极电连接，且五极管的阴极与五极管的抑制栅极直接电连接。本实用新型的电子管均采用了标准接法，使整机有了很高的开环增益与动态范围，为施加深度负反馈创造了有利条件；由于将功率输出级、输出变压器产生的各种失真从输出变压器次级上负反馈到五极管的栅极，使整机获得比不接负反馈时低得多的内阻
一种传真扩音机

[其他]栅控半导体四极管-CN87102851无效
发明人：王立模 -专利权人：无锡微电子联合公司
申请日： 1987-04-17 - 公布日： 1988-05-25 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：栅控半导体四极管是一类新的基本电子电路四端子半导体器件。它们的输出电流—电压特性包括发散的入型负微分电阻输出特性曲线和平坦的输出特性曲线两类。
半导体四极管

[其他]栅控半导体四极管-CN101987000002851在审
发明人：王立模 -专利权人：芜锡微电子联合公司
申请日： 1987-04-17 - 公布日： 1989-06-28 - 主分类号：文献下载
摘要：栅控半导体四极管是一类新的基本电子电路四端子半导体器件。它们的输出电流－电压特性包括发散的入型负微分电阻输出特性曲线和平坦的输出特性曲线两类。
半导体四极管

[发明专利]MOS栅基极开关四极管-CN201010222951.5有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：王立模
申请日： 2010-06-29 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：MOS栅基极开关四极管是在双极器件(双极晶体管或晶闸管中一个双极晶体管)的基极通道上加设MOS控制栅的一类新的四端子MOS栅功率开关器件。它结合MOS栅驱动电路简单及双极器件大电流密度传导能力的优点，并有放大开关功能。给出了平面栅和沟槽栅结构的单沟道与互补沟道MOS栅基极开关四极晶体管及MOS栅基极开关四极晶闸管的器件结构和具体实施方式，它们与功率MOSFET和IGBT的制作工艺兼容，比四端子发射极开关双极晶体管(ESBT此类器件原理也可用于制作各类化合物半导体MOS栅基极开关四极晶体管及晶闸管。
mos 基极开关四极管

[发明专利]栅控半导体四极管-CN87102851.4无效
发明人：王立模 -专利权人：芜锡微电子联合公司
申请日： 1987-04-17 - 公布日： 1989-06-28 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：栅控半导体四极管是一类新的基本电子电路四端子半导体器件。它们的输出电流-电压特性包括发散的入型负微分电阻输出特性曲线和平坦的输出特性曲线两类。
半导体四极管

[发明专利]一种教学用扩音机-CN201310554688.3在审
发明人：刘先云 -专利权人：四川中时代科技有限公司
申请日： 2013-11-08 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： H04R3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种教学用扩音机，包括信号输入端口、第一电阻至第十四电阻、第一电容至第八电容、双三极管、第一束射四极管、第二束射四极管、第一变压器、第二变压器、整流管、电感线圈、熔断器、开关、屏蔽层、交流电源和扬声器
一种教学扩音机

[发明专利]有简化阳极的横向发射极场发射器件及其制造方法-CN96194391.2无效
发明人：迈克尔·D·波特 -专利权人：先进图像技术公司
申请日： 1996-05-31 - 公布日： 1998-07-01 - 主分类号： H01J1/62 文献下载
摘要：横向场发射器件(10)具有基本与基片(20)平行的横向发射极(100),并具有简化的阳极结构(70)。阳极的上表面与横向发射极平面精确隔开,当加合适偏压时它接收来自横向发射阴极边缘场发射所发射的电子。该器件可以构成为二极管,或有控制极(140)的三极管,四极管等,控制极定位成给它们加电信号时能够控制发射极到阳极的电流。
简化阳极横向发射极发射器件及其制造方法

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