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[实用新型] 一种CIS芯片的封装结构 -CN201721016520.7 有效
发明人：
任玉龙 孙鹏
- 专利权人：
华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日：
2017-08-14
-
公布日：
2018-02-27
-
主分类号：
H01L27/146 文献下载
摘要： 本实用新型公开了一种CIS芯片的封装结构，涉及半导体技术领域，该封装结构包括透明载片；CIS芯片晶圆，其焊盘和感光区设置于CIS芯片晶圆的第一表面；围堰，设置于CIS芯片晶圆的第一表面和透明载片的第一表面之间，与CIS芯片晶圆的第一表面、透明载片的第一表面形成封闭空腔；金属线路层，设置于CIS芯片晶圆的第二表面，金属线路层通过贯穿CIS芯片晶圆的金属导线与CIS芯片晶圆第一表面的焊盘连接；绝缘层，设置于金属线路层表面。本实用新型通过贯穿CIS芯片晶圆的金属导线连接CIS芯片晶圆第二表面的金属线路层与CIS芯片晶圆的焊盘，将电信号引出到CIS芯片晶圆的第二表面。该封装结构不会产生较大机械应力，从而不会形成隐裂；焊盘与晶圆连接强度高，不易变形。一种 cis 芯片 封装 结构
[实用新型] 一种芯片封装结构 -CN201720192390.6 有效
发明人：
孙鹏 ;任玉龙
- 专利权人：
华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日：
2017-03-01
-
公布日：
2017-11-24
-
主分类号：
H01L29/06 文献下载
摘要： 本实用新型实施例公开了一种芯片封装结构，涉及半导体封装技术领域，其中，所述芯片封装结构包括芯片，所述芯片包括有源面、与所述有源面对向设置的非有源面以及连接所述有源面与所述非有源面的侧面，连接所述侧面上下两个边沿的平面与所述有源面不垂直；焊盘，位于所述芯片的有源面上；焊球，位于所述焊盘上，通过所述焊盘与所述芯片电连接；封装层，位于所述芯片上远离所述焊盘的一侧，且所述封装层包覆所述芯片的非有源面和侧面。采用上述技术方案，连接侧面上下两个边沿的平面与有源面不垂直，可以增大侧面的表面积，保证芯片的侧面与封装层保持较大的接触面积，提高芯片与封装层的粘接强度，提升封装效果。一种 芯片 封装 结构
[发明专利] 一种晶圆堆叠封装方法及结构 -CN201710507968.7 在审
发明人：
任玉龙 孙鹏
- 专利权人：
华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日：
2017-06-28
-
公布日：
2017-10-20
-
主分类号：
H01L21/56 文献下载
摘要： 本发明提供了一种晶圆堆叠封装方法及结构，其中所述方法包括将第一晶圆与第二晶圆进行键合,键合后第一晶圆内第一芯片单元的第一焊盘与第二晶圆内第二芯片单元的第二焊盘对应；在第二晶圆的表面制备第一凹槽，第一凹槽的底部延伸至第二焊盘；在第二晶圆的表面以及第一凹槽的表面制备第一绝缘层；在第一凹槽的底部制备第二凹槽，第二凹槽的底部延伸至第一焊盘；在第二晶圆的表面、第一凹槽和第二凹槽内制备线路层，线路层与第一焊盘和第二焊盘分别连接；在线路层表面制备第二绝缘层，在第二绝缘层上开窗，在开窗处制备凸点，凸点与线路层连接。该种晶圆堆叠封装方法可以缩短工艺流程、降低工艺难度和成本，减小封装尺寸。一种 堆叠 封装 方法 结构
[发明专利] 一种晶圆封装方法和结构 -CN201710374953.8 在审
发明人：
任玉龙 孙鹏
- 专利权人：
华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日：
2017-05-24
-
公布日：
2017-10-10
-
主分类号：
H01L21/50 文献下载
摘要： 本发明提供一种晶圆封装方法和结构，在晶圆的背面刻蚀出轮廓与线路形貌对应的凹槽，凹槽位于晶圆的焊盘的上方；在凹槽底部打孔，将凹槽与焊盘连通；在晶圆背部的外表面淀积绝缘层，刻蚀沉积在焊盘表面的绝缘层；在晶圆背面进行电镀，电镀材料填充凹槽及其与焊盘连通的孔；对晶圆背面进行抛光，抛光至绝缘层,使得凹槽间不连通；在晶圆背面淀积保护层，在位于凹槽上部的保护层上开窗，在开窗处制备凸点，凸点与凹槽内的电镀材料连接。该晶圆封装方法和结构，先在晶圆上刻蚀与线路形貌对应的凹槽，再对凹槽进行电镀、抛光，抛光完成后实现了焊盘与凸点的线路连接，这样使得线路表面平整、粗糙度小，线路无侧刻现象且芯片表面平整度高。一种 封装 方法 结构
