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[发明专利]一种有机/无机杂化界面铁电存储器及其制备方法-CN201910520766.5有效
发明人：陈剑辉;杨林林;刘保亭;李健;郭建新;代秀红 -专利权人：河北大学
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10K10/29 文献下载
摘要：本发明提供了一种有机/无机杂化界面铁电存储器及其制备方法，其结构为在无机硅表面设有含磺酸基团的有机聚合物薄膜层，在有机聚合物薄膜层上设有电极层。其制备方法包括以下步骤：a、将硅衬底在HF溶液中浸泡除去表面的自然氧化层，备用；或者在有机塑料衬底上沉积一层硅薄膜层，备用；b、在步骤a的衬底的硅表面上制备含磺酸基团的有机聚合物薄膜层，然后对有机聚合物薄膜层进行热退火处理；c、通过掩膜板在有机聚合物薄膜层上沉积电极层。本发明利用聚合物薄膜中的磺酸基团与硅界面悬挂键的连接与断开，造成极化场强度的变化，达到存储的效果；其结构简单，成本低，可在柔性衬底上实现铁电存储效应。
一种有机无机界面存储器及其制备方法

[实用新型]一种农村有线电视覆盖缆线滴水弯曲装置-CN202320935373.2有效
发明人： 代秀红 -专利权人： 代秀红
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： B21F1/00 文献下载
摘要：一种农村有线电视覆盖缆线滴水弯曲装置。是为了解决由于有线电视光缆的材质影响大幅度弯曲会令传输受到影响，因此此滴水弯头不适用有线电视光缆的问题。本实用新型包括：引水弯头（3）和出线弯头（2），所述的引水弯头的一端具有螺纹口与所述的出线弯头螺纹连接，另一端固定有引线头（5），所述的引线头用于缆线的进端导向；所述的引水弯头的最低端具有用于雨水引出的出水头（4）。本实用新型用于农村有线电视覆盖缆线滴水弯曲。
一种农村有线电视覆盖缆线滴水弯曲装置

[发明专利]一种铌酸银基无铅反铁电储能薄膜及其制备方法-CN202010208104.7有效
发明人：赵磊;李晓博;张彦乐;张劲;刘保亭;王静;宋建民;代秀红 -专利权人：河北大学
申请日： 2020-03-23 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： C04B41/90 文献下载
摘要：本发明提供了一种铌酸银基无铅反铁电储能薄膜及其制备方法，采用磁控溅射法在基片上外延生长一层La0.5Sr0.5CoO3薄膜底电极，然后采用脉冲激光沉积法在所述La0.5Sr0.5CoO3薄膜底电极上外延生长一层AgNbO3薄膜，之后在所述AgNbO3薄膜上生长一层La0.5Sr0.5CoO3薄膜上电极，最后在La0.5Sr0.5CoO3薄膜上电极上制备一层金属膜电极；其中，所述AgNbO3薄膜的厚度为100~800nm。本发明采用脉冲激光沉积技术使ANO薄膜外延生长在LSCO底电极上，相比于ANO块材，ANO外延薄膜的介电击穿强度和储能密度得到显著提高。同时极大的减小了ANO的使用成本以及占用空间，使其在大规模集成电路中有广泛的应用潜力。
一种铌酸银基无铅反铁电储能薄膜及其制备方法

[发明专利]一种p型硅太阳能电池及其制备方法-CN201610030388.9有效
发明人：麦耀华;陈兵兵;陈剑辉;许颖;代秀红;刘保亭 -专利权人：河北大学
申请日： 2016-01-18 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种p型硅太阳能电池及其制备方法。所述p型硅太阳能电池包括p型硅衬底，在p型硅衬底的正面制有n+掺杂层和减反射层，穿过所述减反射层制有正面电极，正面电极与n+掺杂层相接；在所述p型硅衬底的背面制有背面钝化层，所述背面钝化层包括由铁电薄膜材料或掺杂的铁电薄膜材料制成的膜层，在背面钝化层上通过印刷、烧结工艺制有背面电极。本发明采用铁电薄膜材料作为电池背面钝化层的主要材料，可以很好地改善电池的开路电压和短路电流，提高电池的转换效率。
一种太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种多铁氧化物叉指背接触太阳能电池及其制备方法-CN201610105495.3有效
发明人：陈剑辉;麦耀华;沈艳娇;陈兵兵;许颖;代秀红;刘保亭 -专利权人：河北大学
申请日： 2016-02-26 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种多铁氧化物叉指背接触太阳能电池及其制备方法。所述多铁氧化物叉指背接触太阳能电池包括玻璃衬底，在所述玻璃衬底上制有透明导电薄膜，在所述透明导电薄膜上生长有多铁氧化物薄膜，生长所述多铁氧化物薄膜时通过掩膜版在所述透明导电薄膜上预留有极化电极区域；在所述多铁氧化物薄膜上制有交叉排列的第一电极和第二电极；在所述透明导电薄膜的所述极化电极区域上制有极化电极，所述极化电极用于实现对多铁氧化物薄膜上不同区域的极化。本发明所提供的电池，光生载流子的分离和输运不再需要p‑n结或者高低结形成的内建电场，而是被多铁氧化物薄膜内部的极化场分离和输运，制备工艺简单，且电池的能量转化效率高。
一种氧化物 ibc 太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种n型硅太阳能电池及其制备方法-CN201510951824.1有效
发明人：陈剑辉;麦耀华;陈兵兵;许颖;代秀红;刘保亭 -专利权人：河北大学
申请日： 2015-12-18 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供了一种n型硅太阳能电池及其制备方法。所述n型硅太阳能电池包括n型硅衬底，在n型硅衬底的正面由下至上依次制有p掺杂层、正面钝化层和减反射层，所述正面钝化层为氧化硅或氮化硅膜层；穿过所述减反射层和正面钝化层制有正面电极，正面电极与p掺杂层相接；在所述n型硅衬底的背面通过掺杂形成有n+掺杂层，在所述n+掺杂层上制有背面钝化层，所述背面钝化层包括由铁电薄膜材料或掺杂的铁电薄膜材料制成的膜层，在背面钝化层上制有全背金属薄膜，该全背金属薄膜构成电池的背面电极。本发明采用铁电薄膜材料作为电池背面钝化层的主要材料，可以很好地改善电池的开路电压、短路电流和填充因子，提高电池的转换效率。
一种太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种纳米结构超导复合薄膜及其制备方法-CN201610114487.5有效
发明人： 代秀红;刘保亭;付跃举;郭建新;周阳;关丽;赵庆勋 -专利权人：河北大学
申请日： 2016-03-01 - 公布日： 2017-07-11 - 主分类号： H01B12/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种纳米结构超导复合薄膜及其制备方法。本发明所提供的纳米结构超导复合薄膜是通过磁控与脉冲激光共沉积工艺将超导材料与非超导纳米材料共同沉积在基片上而形成；所述基片为SrTiO3、LaAlO3、MgO或柔性金属基带等；所述超导材料为REBa2Cu3O7‑x（RE=Y、Gd、Nd、Sm等稀土元素）或(LaSr)2CuO4等，所述非超导纳米材料为MgO、CeO2、Y2O3、BaZrO3和BaSnO3中的至少一种。本发明通过磁控和脉冲激光共溅射方法，在薄膜生长过程中实时调节磁控和激光溅射参数来实现对引入缺陷分布情况的控制，最终实现对超导复合薄膜微结构及超导性能调控的目的。
一种纳米结构超导复合薄膜及其制备方法

[实用新型]水套炉防灭火装置-CN201420848015.9有效
发明人：代新勇;孙立勋;夏云棚;姚长江;李明;隋国明;代秀红;梁策;于永兴;安宇鹤 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2014-12-26 - 公布日： 2015-07-08 - 主分类号： F24H9/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种水套炉防灭火装置，其包括网套、连接支座和连杆。网套呈筒状，是由钢丝围设形成的网状结构，其设于水套炉的炉头内，且位于水套炉的火嘴的前方，炉头的侧壁设有开口；连接支座设置在炉头外部，且连接在炉头侧壁的开口处；连杆的一端与网套相枢接，连杆的另一端伸出开口并与连接支座相连接。本实用新型的水套炉防灭火装置，位于火嘴前方，火焰燃烧时，网套被烧红处于高温状态，当火焰瞬间熄灭时，气体接触处于高温状态的网套，瞬间又被自动点燃，从而有效解决了火焰易熄灭的问题，另外，由于网套是网状结构，不会影响加热炉的加热效果。
水套炉防灭火装置

[实用新型]井口密封填料快速更换装置-CN201420780183.9有效
发明人：代新勇;孙立勋;李永立;代秀红;屈钰岑;李艳丽 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2014-12-11 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： E21B23/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种井口密封填料快速更换装置，其包括：一主筒，主筒侧壁上设有沿长度方向贯通的开槽，开槽能穿过一光杆，主筒内壁的下端能移动地与盘根盒外壁螺纹连接；一密封填料更换筒，其由两个能对合在一起的半圆柱形筒体组成，密封填料更换筒能转动地设置在主筒内且能套设于光杆上。本实用新型不仅能实现使用同一套装置对密封填料的更换工作，而且解决了手工更换密封填料不易操作的问题，此外，缩短了更换密封填料的时间，降低了工人的劳动强度，杜绝了更换密封填料时的安全隐患；还能够缩短油井停机维护的时间，避免长时间停机引起的砂卡停产。
井口密封填料快速更换装置

[发明专利]纳米结构多功能铁磁复合薄膜材料和制备方法-CN201410162403.6有效
发明人：刘保亭;贾艳丽;闫启庚;施健;李晓红;代秀红;郭建新;周阳;赵庆勋 -专利权人：河北大学
申请日： 2014-04-22 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： H01F41/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米结构多功能铁磁复合薄膜材料及其制备方法，其制备采用磁控脉冲激光共溅射方法实现，本发明磁控脉冲激光共溅射装置的激光靶位选用纯度>99.95%的La_xN_1-xM_yO₃陶瓷激光靶材，在磁控靶位选择纯度>99.99%的Pt金属磁控靶材；应用脉冲激光轰击靶材时，La_xN_1-xM_yO₃靶材溅射物本身在缺氧的条件下会化学分解成磁性金属M和LaNMO₄电介质两种材料，该磁性金属材料再与磁控溅射的金属材料结合成磁性合金MPt，最终能够获得纳米多功能铁磁复合薄膜MPt:LaNMO₄。本发明可实现对纳米铁磁性复合薄膜磁学、光学、电学性能的调控，实现复合薄膜的多功能化。
纳米结构多功能复合薄膜材料制备方法

[发明专利]一种0-3型金属/陶瓷复合薄膜材料及其制备方法-CN201410145097.5有效
发明人：刘保亭;施健;代秀红;郭建新;李晓红;周阳;关丽;赵庆勋 -专利权人：河北大学
申请日： 2014-04-11 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： C23C14/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种0-3型金属/陶瓷复合薄膜材料，其所含金属为Pt，所含陶瓷为Ni-Al-O；所述金属以1~200nm的颗粒状存在，金属与陶瓷材料的体积比为任意值。本发明同时还公开了其制备方法，其实采用磁控和脉冲激光共沉积的方法，通过连续沉积陶瓷层、不连续沉积金属层，然后经高温退火，获得金属/陶瓷复合薄膜材料，所制备的复合薄膜材料是一种很好的纳米光子学材料，具有在紫外至近红外区的吸收峰(100nm~2500nm)。
一种金属陶瓷复合薄膜材料及其制备方法

[发明专利]一种用于铜互连的导电阻挡层材料及其制备方法-CN201310399157.1有效
发明人：刘保亭;张磊;齐晨光;李晓红;代秀红;郭建新;周阳;赵庆勋;王英龙 -专利权人：河北大学
申请日： 2013-09-05 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜互连导电阻挡层材料及其制备方法，其采用磁控溅射法，在硅基片上依次集成非晶Nb-Ni导电阻挡层和Cu互联层。所述非晶Nb-Ni导电阻挡层的厚度为2~8000nm，优选为2~5nm，所述Cu互连层的厚度为5~8000nm，优选为5~150nm。本发明所制备的Cu/Nb-Ni/Si异质结不仅具有良好的热稳定性、抗氧化性，而且Nb-Ni阻挡层与Cu和Si之间具有良好的粘附性。Cu/Nb-Ni/Si异质结即使在高达800℃的情况下，仍能保持较低的电阻率，并且无Cu-Si化合物生成，显示出优良的阻挡性能。非晶Nb-Ni导电阻挡层的厚度最薄可至2nm，很好的满足了对22nm节点工艺要求。Nb-Ni作为新型的铜互连导电阻挡层材料，价格低廉，生产工艺简单，设备要求低，与半导体工艺可以很好的兼容，在大规模集成电路等方面具有广泛的应用前景。
一种用于互连导电阻挡材料及其制备方法

[发明专利]用于硅基铁电电容器集成的一种阻挡层材料及集成方法-CN201310113877.7在审
发明人：刘保亭;郭建新;张磊;齐晨光;赵庆勋;代秀红;周阳;王英龙 -专利权人：河北大学
申请日： 2013-03-29 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于硅基铁电电容器集成的阻挡层材料及集成方法，以Ni-Nb做导电阻挡层材料，在硅衬底上生长非晶Ni-Nb薄膜，进而在所述非晶Ni-Nb薄膜上原位生长氧化物电极薄膜材料，在此基础上进一步完成铁电电容器的集成。采用本发明方法所制备的硅基铁电电容器，其非晶Ni-Nb薄膜导电阻挡层的组织致密，与硅衬底的粘附性好，具有良好的热稳定性和化学稳定性，特别是在经历高温退火处理后仍能保持良好的抗氧化能力和高的电导率，在Ni-Nb薄膜与硅衬底和氧化物电极薄膜之间的界面处均无氧化或化学反应现象发生，Ni-Nb薄膜表现出优异的阻挡性能，在大规模集成电路中有很大的应用前景。
用于硅基铁电电容器集成一种阻挡材料方法

[发明专利]一种涡旋光束强度复用通信系统-CN201210306191.5有效
发明人：赵红东;孙梅;代秀红;褚立志;张广林;代红丽 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2012-08-23 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H04J14/00 文献下载
摘要：本发明一种涡旋光束强度复用通信系统，涉及用光通信作为传输路径的电通信系统，是两个拓扑电荷数的低阶涡旋光束强度复用，包括第一信号源、第二信号源、第一功率放大器、第二功率放大器、拓扑电荷数低阶涡旋光束发射器、拓扑电荷数低阶涡旋光束发射器、耦合器、传输介质、5个涡旋光束探测器及其固定架、第一开关电路、第二开关电路、第一显示电路和第二显示电路；该系统采用设置发射涡旋光束的强度、放置5个涡旋光束探测器、两个开关电路和显示电路，实现了两个拓扑电荷数的低阶涡旋光束复用通信，克服了现有技术在实现光束轨道角动量态复用中，使用的器件多、结构复杂和不容易小型集成化的缺点。
一种涡旋光束强度通信系统

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