专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]具有未图案化的蚀刻停止的MOTFT-CN201480062664.9在审
  • 俞钢;谢泉隆;于尔根·穆佐尔夫;法特·弗恩格;肖田 - 希百特股份有限公司
  • 2014-11-12 - 2016-08-10 - H01L21/36
  • 一种制造高迁移率半导体金属氧化物薄膜晶体管的方法,包括以下步骤:沉积半导体金属氧化物材料层、在所述MO材料层上沉积蚀刻停止材料的覆盖层、以及在所述蚀刻停止材料的覆盖层上图案化源极/漏极金属层,所述图案化包括:将所述源极/漏极金属层蚀刻为源极/漏极端子,所述源极/漏极端子被设置为在所述半导体金属氧化物层中限定沟道区域;至少在所述源极/漏极端子之下,所述蚀刻停止材料在垂直于所述覆盖层的平面的方向上导电,以提供所述源极/漏极端子中的每一个与所述半导体金属氧化物沟道材料层之间的电接触。所述蚀刻停止材料还具有化学鲁棒性,以在蚀刻工艺期间保护所述半导体金属氧化物沟道材料层。
  • 具有图案蚀刻停止motft

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