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[发明专利]基板处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质-CN201910043830.5有效
发明人：伊藤刚;中田高行 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2019-01-17 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明提供涉及能够适当地对应搬运容器的保存量的增大的基板处理装置的技术。基板处理装置具有：具有能够保存多个收容基板的搬运容器的第一架的第一架区域；在供搬运容器载置的载台部的下方具有能够以多层保存搬运容器的第二架的第二架区域；及在设于框体内的载台部、第一架、第二架以及搬运区域之间搬运搬运容器的搬运容器移载机械手，搬运容器移载机械手具有：设于框体的底面上的主体基部；构成为能够相对于主体基部升降的第一台部；配置在主体基部的上方侧位置且成为使第一台部升降的驱动源的第一驱动部；安装于第一台部且构成为能够相对于第一台部升降的第二台部；成为使第二台部升降的驱动源的第二驱动部；以及安装于第二台部的容器支承部。
处理装置半导体器件制造方法以及记录介质

[发明专利]基板处理装置、半导体器件的制造方法、压力控制装置及基板处理程序-CN202180083204.4在审
发明人：谷内正导;中田高行 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：基板处理装置(100)具备：处理容器(20)，其在内部对基板进行处理；排气路(50)，其连接于处理容器(20)与排气装置(60)之间，在中途分支为第1排气管路(52)和第2排气管路(54)；第1阀(58A)，其设于第1排气管路(52)，能够连续地调整开度；第2阀(58B)，其设于第2排气管路(54)，能够连续地调整开度；和压力控制装置，其构成为能够以使压力检测部检测出的压力检测值接近为了对基板进行处理而针对每个时刻设定的处理容器内的压力设定值的方式，根据压力设定值选择第1阀及第2阀中的一方的阀，将第1阀(58A)及第2阀(58B)中的未被选择的另一方的阀的开度设定为固定状态，并且将被选择的一方的阀的开度维持为比零大的值而进行调整。
处理装置半导体器件制造方法压力控制程序

[发明专利]基板处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质-CN201911108953.9有效
发明人： 中田高行;谷山智志;白子贤治 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C23C16/54 文献下载
摘要：本发明提供一种使基板处理装置小型化的基板处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质，该基板处理装置具备：移载室，其将基板移载到基板保持件上；上部气体供给机构，其从第1气体供给口向移载室的上部区域供给气体；和下部气体供给机构，其设置在上部气体供给机构的下方，并从第2气体供给口向移载室的下部区域供给气体，上部气体供给机构具有：第1缓冲室，其形成在第1气体供给口的背面；上部管道，其与第1缓冲室相邻地形成；和第1供给部，其设置在上部管道的下端，下部气体供给机构具有：第2缓冲室，其形成在第2气体供给口的背面；下部管道，其与第2缓冲室相邻地形成；和第2供给部，其设置在下部管道的下端。
处理装置半导体器件制造方法以及记录介质

[发明专利]反应管、衬底处理装置及半导体器件的制造方法-CN201580081860.5有效
发明人：吉田秀成;谷山智志;中田高行 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2015-09-04 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：提供一种能够吹扫隔热区域，而不对处理区域产生不良影响的技术。在内部具有处理室，所述处理室包括处理衬底的处理区域和位于所述处理区域的下方的位置的隔热区域，具有第一排气部，其将所述处理区域的气氛排气；和第二排气部，其形成于在高度方向上与隔热区域重合的位置、将所述隔热区域的气氛排气。
反应衬底处理装置半导体器件制造方法

[发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法-CN202110320162.3在审
发明人：上村大义;谷山智志;白子贤治;嶋田宽哲;堀井明;中田高行;山岛规裕 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法，提供能够减少占用空间并提高排气效率的构成。包括：第1处理组件，其具有衬底处理用的第1处理容器和在正面侧设置的衬底的搬入口；第1设备系统，其包含向所述第1处理容器内供给处理气体的第1供给系统，所述第1设备系统与所述第1处理组件的背面接近配置；以及第1真空排气装置，其配置在所述第1处理组件的后方，对所述第1处理容器内进行排气，所述第1真空排气装置的外侧的侧面以与所述第1设备系统的外侧的侧面相比不向外侧突出的方式构成。
衬底处理装置半导体器件制造方法

[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法和计算机可读取记录介质-CN202010780129.4在审
发明人：谷内正导;中田高行 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2020-08-05 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及基板处理装置、半导体装置的制造方法和基板处理程序。目的为不扩散处理室的粒子而在短时间内将处理室设为高真空状态。本发明具备：处理室；主排气线，其具备从处理室排出气体的第1配管、设置在第1配管的第1开度调整阀和开关阀、设置在第1配管的压力传感器；旁路排气线，其具备与主排气线连接的第二配管和设置在第二配管的第二开度调整阀；控制部，其根据压力传感器的信息调整第二开度调整阀的开度并将处理室减压到第一压力，当达到第一压力时关闭第二开度调整阀并开放开关阀和第一开度调整阀，将处理室减压到第二压力，当处理室达到第二压力时关闭开关阀和第一开度调整阀并调整第二开度调整阀的开度，使处理室成为处理压力。
处理装置半导体制造方法计算机读取记录介质

[发明专利]基板处理装置以及半导体器件的制造方法-CN201710059927.6有效
发明人： 中田高行;谷山智志;白子贤治 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种使基板处理装置小型化的基板处理装置以及半导体器件的制造方法，该基板处理装置具备：移载室，其将基板移载到基板保持件上；上部气体供给机构，其从第1气体供给口向移载室内的上部区域供给气体；和下部气体供给机构，其与上部气体供给机构的下方相邻地设置，并从第2气体供给口向移载室内的下部区域供给气体，上部气体供给机构具有：第1缓冲室，其形成在第1气体供给口的背面；第1管道，其在第1缓冲室的两侧面形成有一对；和第1送风部，其设置在第1管道的下端，下部气体供给机构具有：第2缓冲室，其形成在第2气体供给口的背面；第2管道，其形成在第2缓冲室的下表面；和第2送风部，其设置在第2管道的下端。
处理装置以及半导体器件制造方法

[发明专利]基板处理装置、半导体器件的制造方法及基板处理方法-CN202010405286.7在审
发明人： 中田高行;野上孝志;谷山智志;上村大义 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2016-01-20 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种能够缩短基板的冷却时间的基板处理装置。具备保持基板的基板保持体、位于基板保持体的下方的隔热部、向基板保持体移载基板的移载室、向移载室内供给气体的气体供给机构，气体供给机构具有向移载室内的基板保持体所在的上部区域供给气体且相对于基板形成水平方向的气体流动的第一气体供给机构、和向移载室内的隔热部所在的下部区域供给气体且相对于隔热部形成沿垂直方向向下的气体流动的第二气体供给机构，第一气体供给机构及第二气体供给机构设置于移载室的一侧面，且第二气体供给机构设置于第一气体供给机构的下方。
处理装置半导体器件制造方法

[发明专利]基板处理装置-CN201680004697.7有效
发明人： 中田高行;野上孝志;谷山智志;上村大义 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2016-01-20 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明提供一种能够缩短基板的冷却时间的基板处理装置。具备保持基板的基板保持体、位于基板保持体的下方的隔热部、向基板保持体移载基板的移载室、向移载室内供给气体的气体供给机构，气体供给机构具有向移载室内的基板保持体所在的上部区域供给气体且相对于基板形成水平方向的气体流动的第一气体供给机构、和向移载室内的隔热部所在的下部区域供给气体且相对于隔热部形成沿垂直方向向下的气体流动的第二气体供给机构，第一气体供给机构及第二气体供给机构设置于移载室的一侧面，且第二气体供给机构设置于第一气体供给机构的下方。
处理装置

[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质-CN201680083755.X有效
发明人： 中田高行;上村大义 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2016-03-24 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明的课题是提供使基板的冷却时间缩短的技术。解决方案具备：基板保持体，其由隔热部和基板保持部构成，该基板保持部设置在隔热部的上方并将多个基板保持为多层；处理室，其对保持于基板保持部的基板进行处理；移载室，其与处理室相邻，并将基板移载到基板保持部；第一气体供给部，其设置于移载室的一侧面，并向移载室内供给气体；第二气体供给部，其在保持于基板保持部的最下层的基板与隔热部之间的高度位置具有气体的吹出口，并朝向基板保持体供给气体；以及控制部，其构成为控制搬运机构、第一气体供给部以及第二气体供给部。
基板保持部气体供给部隔热部基板移载供给气体基板保持基板处理装置半导体装置搬运机构存储介质多个基板高度位置时间缩短吹出口基板移最下层多层冷却室内侧面制造

[发明专利]衬底处理装置以及半导体器件的制造方法-CN201910240450.0在审
发明人：西堂周平;吉田秀成;山口天和;中田高行;谷山智志 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2016-07-27 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种能够缩短处理室内的升温时间的衬底处理装置以及半导体器件的制造方法。衬底处理装置具备：处理室，其对衬底进行处理；衬底保持件，其在处理室内保持衬底；处理气体供给部，其向处理室内供给处理气体；第1加热器，其设置于处理室外，对处理室内进行加热；隔热部，其设置于衬底保持件的下方；第2加热器，其设置于隔热部内，对处理室内进行加热；以及吹扫气体供给部，其向隔热部内供给吹扫气体，对隔热部内进行吹扫。
隔热部衬底处理装置室内加热器半导体器件衬底保持件衬底加热处理气体供给部吹扫气体供给部处理气体吹扫气体吹扫制造室外

[发明专利]衬底处理装置以及半导体器件的制造方法-CN201610602519.6有效
发明人：西堂周平;吉田秀成;山口天和;中田高行;谷山智志 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2016-07-27 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种能够缩短处理室内的升温时间的衬底处理装置以及半导体器件的制造方法。衬底处理装置具备：处理室，其对衬底进行处理；衬底保持件，其在处理室内保持衬底；处理气体供给部，其向处理室内供给处理气体；第1加热器，其设置于处理室外，对处理室内进行加热；隔热部，其设置于衬底保持件的下方；第2加热器，其设置于隔热部内，对处理室内进行加热；以及吹扫气体供给部，其向隔热部内供给吹扫气体，对隔热部内进行吹扫。
衬底处理装置以及半导体器件制造方法

[发明专利]衬底处理设备和制造半导体器件的方法-CN201110241510.4有效
发明人： 中田高行;谷山智志 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2011-08-17 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：一种衬底处理设备，该设备包括：处理室，在处理室中对衬底进行处理；衬底保持器，配置成在保持衬底的同时被加载到处理室中或者从处理室卸载；转移室，在转移室中进行用于促使衬底保持器保持未经处理的衬底的装载操作和用于从衬底保持器取出经处理的衬底的卸除操作；以及清洁单元，配置成用于将清洁空气吹入转移室。转移室具有多边形平面视图形状，并且包括角落区域。清洁单元布置在转移室的角落区域的一个中。
衬底处理设备制造半导体器件方法

[发明专利]衬底处理装置和制造半导体器件的方法-CN201110212557.8无效
发明人：柴田刚吏;谷山智志;中田高行 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2011-07-26 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：衬底处理装置和制造半导体器件的方法。一种衬底处理装置，包括：衬底容器保持支架，包括配置为在其上保持衬底容器的多个搁板；衬底容器运送机构，配置为向衬底容器保持支架加载衬底容器以及从衬底容器保持支架卸载衬底容器；衬底容器保持支架升降机构，配置为在垂直方向上提起衬底容器保持支架的多个搁板中的每一个；以及处理单元，配置为从衬底容器保持支架接收衬底容器中的至少一个。
衬底处理装置制造半导体器件方法

[发明专利]衬底处理设备和衬底处理方法-CN201110136207.8无效
发明人：柴田刚吏;谷山智志;中田高行 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2011-05-18 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及衬底处理设备和衬底处理方法。衬底处理设备包括：反应器；至少两个晶舟运送装置，配置成运送至少两个晶舟；至少一个晶舟支撑台，配置成支撑至少两个晶舟，该晶舟支撑台可移动到反应器下方的位置；以及控制单元，配置成控制晶舟运送装置，使得当由多个晶舟运送装置中的第一晶舟运送装置支撑的至少两个晶舟中的第一晶舟保持由反应器处理的经处理的衬底并且移动回到与反应器间隔开的位置时，使用至少两个晶舟运送装置中的第二晶舟运送装置将保持未经处理的衬底的、至少两个晶舟中的第二晶舟装载到反应器中。
衬底处理设备方法

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