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[发明专利]一种避免边缘出现杂散信号的背照式CCD结构-CN202110394941.8有效
发明人：汪朝敏;周建勇;韩恒利;王廷栋;江海波;何达;陈顺昌;尹俊;王小东;刘昌林 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L27/148 文献下载
摘要：本发明属于CCD器件技术领域，特别涉及一种避免边缘出现杂散信号的背照式CCD结构，该结构包括：衬底、背面介质层以及背面金属层；所述背面介质层设置在所述衬底上，所述背面金属层设置在所述背面介质层上；所述背面介质层上设置有接触孔，所述接触孔将背面金属层与衬底连通，形成背照式CCD结构；本发明通过在背面介质层设置接触孔，使得背面金属层与芯片衬底电学互联，形成低阻回路，避免了由于衬底回路不畅导致的图像边缘呈现亮条的缺陷。
一种避免边缘出现信号背照式 ccd 结构

[发明专利]一种电荷耦合器件的暗电流测量方法、系统及装置-CN202310355144.8在审
发明人：何达;易学东;张建华;尹俊;吴石琳;姚昕 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种电荷耦合器件的暗电流测量方法、系统及装置，包括控制电荷耦合器件工作于全帧转移模式并采集图像；对采集的图像进行处理，提取所述图像中的电荷‑电压转换因子和积分时间下的暗信号响应率；根据所述电荷‑电压转换因子和积分时间下的暗信号响应率计算所述电荷耦合器件的暗电流。与现有技术相比，本发明通过随机采集一帧图像即可获得多个不同积分时间下的暗信号响应率，能够快速、精准的计算出暗电流，极大程度提高了测试效率和测试准确度，能够较好的应用于科学级应用场合。
一种电荷耦合器件电流测量方法系统装置

[发明专利]一种近红外光与可见光的宽光谱光电探测器及其制作方法-CN202010893490.8有效
发明人：董绪丰;崔大健;柴松刚;刘焱;龙先美;任丽 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本发明属半导体技术领域，具体涉及一种近红外光与可见光的宽光谱光电探测器及其制作方法，包括：管座、第一光电芯片、陶瓷基板、第二光电芯片以及管帽；所述第一光电芯片固定在管座上；所述陶瓷基板固定在管座上，且第一光电芯片位于陶瓷基板的正下方；所述第二光电芯片固定在陶瓷基板的上表面；所述第一光电芯片和第二光电芯片的电极通过引线与管座的接线柱连接；采用储能焊的方式将管帽焊接在管座上，使光电探测器的内部器件处于密封环境；本发明通过器件内部封装结构设计，形成了双芯片垂直叠层的宽光谱探测器封装结构，实现了在无分光系统的情况下对单一光源在近红外光和可见光两部分信号的同步探测。
一种红外光可见光光谱光电探测器及其制作方法

[发明专利]一种提升高精度ADC图像传感器帧频的电路结构-CN202211455596.5在审
发明人：翟江皞;刘戈扬;李毅强 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H04N25/772 文献下载
摘要：本发明涉及一种提升高精度ADC图像传感器帧频的电路结构，属于CMOS图像传感器技术领域。该电路结构包括像素模块、可变增益放大器、采样保持电路、ADC模块、构检测控制模块、数字控制处理模块和斜坡发生器。在一行周期内，检测控制模块对每一列ADC模块中比较器的输出信号进行检测，当所有列信号检测完毕后，产生的信号对斜坡发生器产生的斜坡进行控制，同时也对数字控制处理模块的数据读出进行控制；所述数字控制处理模块对ADC模块产生的数据进行处理，并根据检测控制模块产生的信号触发数据向芯片外部输出。本发明能减小高精度ADC的处理时间，提升高精度ADC模式下图像传感器工作时的帧频。
一种提升高精度 adc 图像传感器帧频电路结构

[发明专利]一种基于异构集成的玻璃基高功率窄线宽半导体激光器-CN202211696824.8在审
发明人：罗晶;冯琛;郭洪;任涛;刘芯竹;段利华;张靖 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于异构集成的玻璃基高功率窄线宽半导体激光器，属于激光器的制备技术领域。本发明基于InP基/GaAs基增益芯片、玻璃基光波导芯片实现窄线宽半导体激光器及其放大，利用玻璃基光波导芯片上的布拉格光栅与增益芯片之间构成激光谐振，通过拉长腔长压缩激光线宽，随后利用无源玻璃基光波导集成的掺铒光波导放大器对线宽压缩后的激光信号进行放大，实现基于两种材料体系芯片异构集成的高功率窄线宽半导体激光器，为实现窄线宽激光器的高功率输出提供一种集成度高且成本低廉的解决方案。
一种基于集成玻璃功率窄线宽半导体激光器

[发明专利]硅基高电流传输比双达林顿晶体管及其制作方法-CN201710980121.0有效
发明人：王波;景媛媛;向勇军 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2017-10-19 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基高电流传输比双达林顿晶体管及其制作方法，本发明的硅基高电流传输比双达林顿晶体管包括衬底层、N型硅外延层、二氧化硅钝化层、第一极基区、电极、第一级发射区、第二级基区、第二级发射区、集电区、氮化硅层和底层电极。本发明的硅基高电流传输比双达林顿晶体管的电流传输比相对于普通晶体管高出数倍，降低了后续电路的放大成本，为整机节约了体积。本发明的硅基高电流传输比双达林顿晶体管的制作方法，采用新结构及工艺制作出了硅基高电流传输比双达林顿晶体管，其电流传输比达到2000以上，解决了现有光电三极管对氦氖激光器作光源的光电响应较低，电流传输比低的技术问题。
硅基高电流传输双达林顿晶体管及其制作方法

[发明专利]一种光模块输出光功率自动稳定电路及方法-CN202111516546.9有效
发明人：周本军;胡伟;饶垚;叶峻宏 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G05F1/66 文献下载
摘要：本发明属于光电子器件领域，特别涉及一种光模块输出光功率自动稳定电路及方法，所述电路包括LD激光器组件、PD激光器组件、PD电流检测电路、比较器、选通控制器、二次逼近算法处理中心、自增减算法处理中心及偏置电流产生电路，PD电流检测电路检测PD激光器组件的背探电流，比较器根据背探电流与指标电流的关系输出选通控制信号，选通控制器根据选通控制信号决定使用二次逼近算法处理中心采用二次逼近算法快速得到满足要求的偏置电流值，通过自增减算法处理中心进行对偏置电流值进行微调，偏置电流产生电路根据得到的偏置电流值以及微调后的偏置电流值产生偏置电流；本发明解决光模块内部激光器老化带来的输出光功率衰退问题。
一种模块输出功率自动稳定电路方法

[发明专利]一种用于大面阵混成式焦平面的铟柱结构及制作方法-CN202011502926.2有效
发明人：王立;董绪丰;黄晓峰;崔大健;高新江;莫才平 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种用于大面阵混成式焦平面的铟柱结构及制作方法，该结构包括探测器芯片基板和铟柱；铟柱设置在基板上；制作方法包括：用蒸发‑光刻的方式制作一层与铟高浸润的UBM金属打底层；在UBM打底层上旋转涂布一层高分子聚合物掩模并用退火的方式固化；将高分子掩模层盖住UBM打底层的区域刻蚀掉，形成铟柱模型孔；采用双层厚胶剥离的方式在回溶区域上制作一块底面铟层；去掉铟柱表面氧化层后，通过在有机溶剂中高温加热的方式进行回溶整形；最后用化学清洗剂将下面的高分子聚合物去掉，形成铟柱；本发明通过调节铟柱模型孔的大小和深度，获得形貌、大小、高度可控的铟柱。
一种用于大面混成平面结构制作方法

[发明专利]一种抗辐照的高速光电耦合器及其制作方法-CN202011237861.3有效
发明人：胡锐兴;谢俊聃;张广涵;蒋利群;舒红梅;周来芳 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2020-11-09 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明属于光电耦合器件邻域，具体涉及一种抗辐照的高速光电耦合器，该器件包括：底座、光敏集成板、盖板以及封装外壳；所述底座的内部设置有凹槽，该凹槽用于放置光敏集成板和盖板；所述光敏集成板包括底板、多角金属导片、下金属导片、光敏集成数字电路输出芯片以及两个支撑座；所述盖板包括固定板、短金属导片、长金属导片以及发光LED光源芯片；采用封装外壳将底座、光敏集成板、盖板进行气密性封装；本发明的的输出级采用光敏集成数字电路输出芯片，集成度高，电路形式和结构简单，通过调节电路输出形式，可以实现集电极开路输出和图腾柱输出，提高传输效率。
一种辐照高速光电耦合器及其制作方法

[发明专利]一种自适应调节尾电流的图像传感器-CN202310135111.2在审
发明人：祝晓笑;李常林;翟江皞;刘业琦 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H04N25/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种自适应调节尾电流的图像传感器，包括像素阵列，用于探测并采集光电信号；列总线，与所述像素阵列的像素列一一对应设置，用于传输光电信号；像素尾电流模块，一一对应电连接于所述列总线上，用于根据寄存器控制信号及工作尾电流控制信号自适应调节尾电流，使总的尾电流大小随图像传感器的工作主频同步变化；以及列级电路，一一对应电连接于所述列总线的输出端，用于根据所述尾电流对输出总线输出的光电信号进行处理后读出；与现有技术相比，本发明具有较高的自适应调节精度，综合提升了图像传感器的工作速度性能、功耗性能和噪声性能等。
一种自适应调节电流图像传感器

[发明专利]采用曲线光波导连接的铌酸锂薄膜双Y分支光波导调制器-CN202110158375.0有效
发明人：田自君;郑帅峰;陈诚;文利 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用曲线光波导连接的铌酸锂薄膜双Y分支光波导调制器，包括双Y分支光波导相位调制器芯片，所述双Y分支光波导相位调制器芯片包括衬底,所述衬底上依次设有二氧化硅层、光波导层和保护层，所述保护层上设有调制电极；所述光波导层包括铌酸锂薄膜层和双Y分支光波导结构的铌酸锂脊形光波导，连接两个Y分支光波导的过渡光波导为曲线波导。本发明中，过渡光波导采用曲线结构，有效消除了辐射模在光路中耦合形成的串扰和噪声问题；另外，本发明通过改变铌酸锂薄膜光波导芯片的结构，增大了铌酸锂脊形光波导与保护层的折射率差，进而增强了对光的束缚能力，使光波导的弯曲半径大大减小，实现了双Y分支光波导调制器的小型化。
采用曲线波导连接铌酸锂薄膜分支调制器

[发明专利]基于单级双驱动调制器的低噪声微波光子变频架构-CN202010415054.X有效
发明人：胡波;肖永川;汤振华;瞿鹏飞;孙力军 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2020-05-15 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H04B10/516 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于单级双驱动调制器的低噪声微波光子变频架构，包括激光器驱动电路、激光器、单级双驱动调制器、射频前置放大器、本振信号产生装置、第一光电探测器和中频滤波放大器，所述单级双驱动调制器为设有两组行波电极的马赫曾德尔双臂干涉器。本发明中，微波光子变频结构能够很好的与光传输系统相兼容，便于实现对光传输系统的扩展；采用单级调制器完成光域混频，大大改善了链路插损，系统结构简单，有利于噪声系数的优化；调制器工作在低偏位置，输出噪声进一步降低，噪声系数进一步改善；本发明可用于雷达、电子战、通信等领域中，应用范围广，工作噪声低，使用效果好。
基于单级双驱动调制器噪声微波光子变频架构

[发明专利]扩展图像传感器动态范围的可编程增益放大器电路-CN202310088933.X在审
发明人：吴治军;李常林;李毅强 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2023-02-03 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本发明涉及一种扩展图像传感器动态范围的可编程增益放大器电路，包括开关电容电路和负反馈的直流失调消除电路；所述开关电容电路用于对图像传感器像素列的输出信号进行两次相关双采样及放大处理，消除固定模式噪声和复位热噪声，并输出高灵敏度和低灵敏度的模拟电压；所述负反馈的直流失调消除电路用于采用运放失调电压存储的方式降低主运算放大器的失调电压对输出电压的影响。本发明中，通过运放失调存储技术，可以大大降低主运算放大器的失调电压引起的图像列固定模式噪声，通过两次相关双采样处理技术，可以为后级处理电路分时提供高灵敏度和低灵敏度的模拟信号输入，扩展图像传感器动态范围，提高图像成像质量。
扩展图像传感器动态范围可编程增益放大器电路

[发明专利]一种低频窄脉宽交流光响应度测试方法-CN202310088054.7在审
发明人：刘果;龙志刚;章浩;李常林 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G01J11/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种低频窄脉宽交流光响应度测试方法，属于光电探测领域，包括以下步骤：S1：在光电探测器中设置低噪声前放电路，作为标准探测器；S2：使用1：1分光比的光分路器将激光器的光信号分为两路；S3：一路光进入标准探测器，将窄脉冲光功率转化为电压信号进行检测；S4：另一路光进入待测光电探测器进行加光测试；S5：通过示波器和计算机采集待测光电探测器与标准探测器的光电信号；S6：当激光器出现瞬时光不稳定的情况时，计算机根据标准探测器反馈到示波器上的信号波动幅度，对待测光电探测器在示波器上的示数进行补偿，实现对探测器类产品的交流响应度的准确测量。
一种低频窄脉宽交流光响应测试方法

[发明专利]一种裸芯片无损可靠性检测方法-CN202211550230.6在审
发明人：谷顺虎;程顺昌;陈雯静;黄芳;唐伟;刘果;林珑君 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种裸芯片无损可靠性检测方法，属于芯片性能检测技术领域。本发明公开了一种裸芯片无损可靠性检测方法，该方法中待检测裸芯片通过热发泡膜粘接固定后在连接在PCB板上，具有以下优点：(1)可以进行各种可靠性测试；(2)芯片试验过程中避免了芯片的沾污、划伤、破损等风险；(3)在可靠性测试结束后能够通过简单的加热即可除去热发泡膜，避免了PCB板与待检测裸芯片之间通过常规胶粘结导致的无法无损取下的问题；(4)本方法中待检测裸芯片与PCB板之间通过金丝球焊进行芯片引出端连接，可以使待检测裸芯片在可靠性测试后除去金丝而不影响后续压焊。
一种芯片无损可靠性检测方法