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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]化学机械研磨过程中稳定铜研磨速率的方法-CN201911173870.8在审
  • 王凯;孙延松;严钧华;王春伟 - 上海华力微电子有限公司
  • 2019-11-26 - 2020-02-21 - B24B53/017
  • 本发明公开了一种化学机械研磨过程中稳定铜研磨速率的方法，包括：利用电化学镀铜清洗液对研磨垫进行冲洗；对研磨垫进行整理和超纯水冲洗；对晶圆进行铜研磨；晶圆研磨结束后，利用电化学镀铜清洗液对研磨垫进行冲洗，对研磨垫进行整理和超纯水冲洗。本发明在铜研磨之前使用电化学镀铜清洗液对研磨垫进行预冲洗，而且在铜研磨完成后再次使用电化学镀铜清洗液对研磨垫进行冲洗，这样可以提高研磨垫上研磨副产物的去除率，有效地保证研磨垫的持续清洁度，有效地降低铜研磨速率发生异常波动的几率，使铜研磨制程的工艺能力指数稳定度显著提高。
  • 化学机械研磨过程稳定速率方法
  • [发明专利]一种测定薄膜研磨速率的方法-CN201410710267.X有效
  • 王从刚;朱也方;严钧华;丁弋 - 上海华力微电子有限公司
  • 2014-11-28 - 2017-10-03 - B24B37/005
  • 一种使用一种测定薄膜研磨速率的方法，包含以下步骤提供一表面覆盖有预定厚度值的测试薄膜和底部薄膜的半导体衬底，且所述测试薄膜覆盖所述底部薄膜的上表面；利用扭矩研磨终点检测工艺获取研磨机台将所述测试薄膜研磨至所述底部薄膜的上表面的时间值；根据所述厚度值和所述时间值获取所述研磨机台研磨所述测试薄膜的研磨速率；其中，所述测试薄膜与所述底部薄膜在使用本发明所述的方法，简化了检测流程，避免了复杂流程各环节可能出现的不稳定造成的研磨速率测定偏差，提高了检测速度和检测稳定性。
  • 一种测定薄膜研磨速率方法
  • [发明专利]一种防止研磨垫刮伤晶圆的系统-CN201410106660.8有效
  • 丁弋;朱也方;严钧华 - 上海华力微电子有限公司
  • 2014-03-20 - 2017-01-04 - B24B37/34
  • 本发明公开了一种防止研磨垫刮伤晶圆的系统，包括：一清理盘，其表面设置有凸出的若干钻石，且每个所述钻石暴露的表面均包裹有一层磁性材料；一研磨垫，其表面与所述清理盘的表面相对设置；一磁性感应器，设置于所述研磨垫的下方，以对所述研磨垫表面的磁性情况进行检测，另外该系统还包括报警装置。在研磨过程中，若清理盘上的磁性材料脱落至研磨垫上，就会被磁性感应器感应，触发报警装置，研磨垫停止研磨。该系统可以实时的监测钻石是否脱落而导致的晶圆刮伤的效果，防止了晶圆由于严重刮伤而报废的后果，大大提高了产品的良率，降低了成本。
  • 一种防止研磨垫刮伤晶圆系统
  • [发明专利]防刮伤化学机械研磨装置及其化学机械研磨方法-CN201610107799.3在审
  • 严钧华;朱也方;王从刚 - 上海华力微电子有限公司
  • 2016-02-26 - 2016-06-01 - B24B37/27
  • 一种防刮伤化学机械研磨装置，包括：晶圆载入装置，用以将晶圆载入；晶圆承载器，吸附晶圆，并通过转轴将晶圆从载入位依次转移至第一研磨平台、第二研磨平台和后处理平台；研磨液供应管，向第一研磨平台、第二研磨平台和后处理平台输送研磨液；移动轨道，分别设置在载入位、第一研磨平台、第二研磨平台以及后处理平台外围；去离子水管路，设置在移动轨道内，并在出水端设置喷头。本发明使得在研磨工艺过程中，喷头持续对研磨台罩和晶圆承载器喷洒去离子水，不仅进行有效的清洗和保湿，而且避免飞溅的研磨液结晶，减少因结晶小颗粒物导致刮伤造成废片的可能，提高了产品良率。
  • 防刮伤化学机械研磨装置及其方法
  • [发明专利]一种防止化学机械研磨时微观刮伤的研磨方法-CN201410411838.X有效
  • 严钧华;张明华 - 上海华力微电子有限公司
  • 2014-08-20 - 2014-12-03 - B24B37/04
  • 一种防止化学机械研磨时微观刮伤的研磨方法，该方法中对晶圆依次进行第一研磨平台的第一道次粗磨、第二研磨平台依次进行的第二道次粗磨和精磨的流水研磨处理，并通过增加一套研磨液供给系统，以在晶圆表面上还剩下总的需研磨厚度的1/3～1/4时，开始进行精磨的研磨处理，并开始投入使用该增加的研磨液供给系统，该研磨液供给系统只在该精磨中使用，且该研磨液中的粒度不到粗磨过程中使用的粒度的一半；使用本发明的方法，能在不影响化学机械研磨效率的前提下，而通过小直径研磨颗粒的精磨以修复在粗磨中大直径研磨颗粒在晶圆表面造成的刮伤，能提高晶圆的质量和使用寿命。
  • 一种防止化学机械研磨微观方法
  • [发明专利]研磨垫、研磨机台及研磨方法-CN201410110064.7在审
  • 丁弋;朱也方;严钧华 - 上海华力微电子有限公司
  • 2014-03-24 - 2014-06-18 - B24B37/20
  • 本发明揭示了一种研磨垫，所述研磨垫包括底层，所述底层包括一疏水层表面，所述疏水表面的接触角大于等于90°。本发明还提供包括所述研磨垫的研磨机台及其研磨方法。所述疏水表面的表面张力较大，有利于水从所述研磨垫的表面滑落，在研磨过程中，水分很容易地从所述研磨垫的表面去除，避免水分接触金属铝等薄膜材料，从而避免金属铝等薄膜受水分的影响(例如被腐蚀)，提高被研磨薄膜的质量；同时，由于水分很容易即被排出，所以，减少了特定化学试剂的用量，节约研磨成本。
  • 研磨机台方法
  • [发明专利]在鳍形有源区上制备高K金属栅的方法-CN201310202994.0有效
  • 张明华;方精训;严钧华;丁弋 - 上海华力微电子有限公司
  • 2013-05-28 - 2013-09-11 - H01L21/28
  • 本发明提供了在鳍形有源区上制备高K金属栅的方法，包括：提供一个硅衬底；在硅衬底上沉积一层垫氧化硅层和氮化硅层，在硅衬底中形成鳍形有源区图案，填充氧化硅膜，平坦化氧化硅膜；去除氮化硅层；形成鳍形有源区；在硅衬底上依次沉积栅氧化硅膜和多晶硅薄膜，所述多晶硅薄膜将所述鳍形有源区遮盖住，平坦化所述多晶硅膜的顶部；形成多晶硅伪栅极；在多晶硅伪栅极中填充高K层间介电膜，研磨层间介电膜至多晶硅伪栅极顶部暴露；去除多晶硅伪栅极，在层间介电膜中形成伪栅极沟槽，在伪栅极沟槽中填充栅极金属，研磨栅极金属直至与层间介电质氧化硅平齐，从而形成高K金属栅。本方法适用于后栅集成法制备具有高K金属栅的鳍形场效应晶体管。
  • 有源制备金属方法
  • [发明专利]化学机械研磨装置及其方法-CN201310122247.6无效
  • 严钧华;张明华;黄耀东 - 上海华力微电子有限公司
  • 2013-04-09 - 2013-09-04 - B24B37/04
  • 本发明提供了一种化学机械研磨装置及其方法，该化学机械研磨装置包括：转盘及固定设置于所述转盘上的研磨垫；用于固定待研磨晶圆的研磨头，所述研磨头上设置有第一磁性材料；以及位于所述研磨垫上的钻石整理盘，所述钻石整理盘上设置有与所述第一磁性材料极性相同的第二磁性材料。利用同性相斥原理，防止研磨头与钻石整理盘相撞，从而降低晶圆宏观刮伤和磨损，提高晶圆的成品率，并且该化学机械研磨装置可以在现有装置的基础上进行改进，方法简单，同时提高了机台的稳定性。
  • 化学机械研磨装置及其方法
  • [发明专利]浅沟槽隔离结构的制作方法-CN201310121621.0无效
  • 张明华;严钧华;黄耀东;方精训;彭树根 - 上海华力微电子有限公司
  • 2013-04-09 - 2013-08-07 - H01L21/762
  • 本发明提供了一种浅沟槽隔离结构的制作方法，包括：在半导体衬底上依次覆盖氧化层和氮化层；进行曝光与刻蚀工艺，形成浅沟槽图形；沉积隔离层填满所述浅沟槽图形；对所述隔离层实施平坦化处理并留下部分隔离层；干法刻蚀去除剩余隔离层；湿法刻蚀去除所述氮化层。在本发明提供的浅沟槽隔离结构的制作方法中，平坦化处理未接触到氮化层，采用普通的研磨液就可以达到平坦化，降低了研磨液的成本，同时用干法刻蚀去除氮化层上剩余的隔离层，解决了化学机械研磨产生的凹陷与侵蚀现象。
  • 沟槽隔离结构制作方法
  • [发明专利]一种制备钨通孔的方法-CN201310120032.0无效
  • 张明华;严钧华;黄耀东;方精训;彭树根 - 上海华力微电子有限公司
  • 2013-04-08 - 2013-07-31 - H01L21/768
  • 本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种制备钨通孔的方法，通过采用氮化硅膜作为金属钨研磨工艺的停止层，以代替传统工艺中的氧化硅膜，由于在研磨工艺中氮化硅膜相对氧化硅具有更高研磨选择比，在完成钨金属研磨工艺后，使得晶圆的表面的厚度具有较好的均匀性，并通过后续高选择比湿法刻蚀工艺，将在钨金属研磨中产生的缺陷如晶圆表面的微划伤、残留的微粒等及剩余的氮化硅膜完全去除，使得在不同密度通孔区域形成的钨栓突出高度近似，便于后续工艺的进行，进而提高产品的良率。
  • 一种制备钨通孔方法
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