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[发明专利]半导体装置-CN202210790718.X在审
发明人：朝羽俊介;河野洋志 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：半导体装置具备第一导电型的第一半导体层、第二导电型的第二至第五半导体层、第一及第二电极。第一及第二电极电连接于第一半导体层。第一半导体层具有活性区域和末端区域。第一半导体层在活性区域中设于第一及第二电极之间。第二半导体层设于第一半导体层与第二电极之间，在从第一电极朝向第二电极的第一方向上具有第一层厚。第三半导体层设于末端区域，包围第二半导体层，在第一方向上具有比第一层厚长的第二层厚。第四半导体层包围第二及第三半导体层，与第三半导体层分离，且在第一方向上具有比第二层厚短的第三层厚。第五半导体层连接于第二半导体层，在末端区域中连接于第三及第四半导体层。第三及第四半导体层设于第一与第五半导体层之间。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210805135.X在审
发明人：西胁达也;下条亮平;末代知子 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：实施方式提供能够提高生产性的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置包括第1电极、多个单位元件区域及分区区域。各单位元件区域包括第1半导体部分、第2电极及第1导电部。第1半导体部分包括设置于第1电极之上的第1导电型的第1半导体区域、设置于第1半导体区域之上的第2导电型的第2半导体区域及设置于第2半导体区域之上的第1导电型的第3半导体区域。第2电极设置于第2、3半导体区域之上并与第2、3半导体区域电连接。第1导电部包括隔着第1绝缘膜而与第2半导体区域相对的部分。多个单位元件区域彼此包括至少一部分的共通模式。分区区域包括与第1半导体部分连续的第2半导体部分并将多个单位元件区域分区。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]电子电路及驱动系统-CN202211053702.7在审
发明人：川井秀介 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：一种电子电路及驱动系统。本发明的实施方式涉及电子电路及驱动系统。提供一种能够抑制开关元件接通时流过的电流的振铃的电子电路。电子电路具备驱动电路，该驱动电路向第一开关元件的控制端子供给驱动电流，并与连接于第一开关元件的第一端子或第二端子的第二开关元件中流过的电流变为0的第一时刻相应地使驱动电流增加。
电子电路驱动系统

[发明专利]半导体装置-CN202211446144.0在审
发明人：南川和生;吉川大辉;安原纪夫;中村和敏 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L29/41 文献下载
摘要：实施方式提供半导体装置，能够降低接通时的损耗。实施方式的半导体装置具备第一电极、半导体部、第二电极、构造体和绝缘部。半导体部包含设于第一电极之上的p型的第一半导体区域、设于第一半导体区域之上的n型的第二半导体区域、设于第二半导体区域之上的p型的第三半导体区域和设于第三半导体区域之上的n型的第四半导体区域及p型的第五半导体区域。构造体包含栅极部和虚设部，栅极部包含至少一个栅极电极，虚设部包含至少两个虚设电极。栅极部和虚设部交替地配置。对于第二电极，施加第一电位。对于栅极电极，施加比第一电位高的第二电位。对于设于与栅极部相邻的位置的虚设电极，施加比第一电位高的第三电位。
半导体装置

[发明专利]激光焊接方法-CN202310134258.X在审
发明人：增田梨沙;外川隆一;小原隆 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： B23K26/21 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制接合不良的激光焊接方法。实施方式的激光焊接方法是通过照射激光而将第二部件焊接于第一部件的方法。实施方式的激光焊接方法具备准备工序以及焊接工序。在上述准备工序中，准备上述第二部件被定位焊于上述第一部件且具有多个连接部的定位焊部件。在上述焊接工序中，通过对上述定位焊部件照射激光而相对于上述第一部件焊接上述第二部件。在上述焊接工序中，进行第一工序，然后进行第二工序。在上述第一工序中，从位于上述多个连接部中的一个连接部即第一连接部与和上述第一连接部相邻的第二连接部之间的规定位置、到上述第二连接部照射激光。在上述第二工序中，从上述第一连接部到上述规定位置照射激光。
激光焊接方法

[发明专利]半导体装置-CN202210846354.2在审
发明人：田中克久;河野洋志 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：根据一实施方式，半导体装置具备第一电极、第一半导体区域、栅极电极、第二导电型的第二半导体区域、第二导电型的第三半导体区域、第一导电型的第四半导体区域、第一导电型的第五半导体区域以及第二电极。第一半导体区域包含第一导电型的第一区域。栅极电极设于第一半导体区域之上。第二半导体区域在与从第一电极朝向第一半导体区域的第一方向垂直的第二方向上，与栅极电极相对。第三半导体区域在第一方向上设于第一半导体区域与第二半导体区域之间。第三半导体区域的下部的宽度比第三半导体区域的上部的宽度长。第四半导体区域设于第三半导体区域与栅极电极之间，具有比第一区域高的第一导电型的杂质浓度。第五半导体区域设于第二半导体区域之上。
半导体装置

[发明专利]外观检查系统及外观检查方法-CN202210888830.7在审
发明人：元永郁夫 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本实施方式提供一种外观检查系统及外观检查方法，能够对封带包装中的热压接的缺陷进行判定。实施方式的外观检查系统具备红外拍摄装置和判定部。对于能够向内部插入电子器件、且在规定区域中被热压接了重叠的第一带的第二带，红外拍摄装置通过红外光含盖规定区域的至少一部分地进行拍摄。判定部使用由红外拍摄装置含盖规定区域的至少一部分地进行拍摄而得的红外图像，对规定区域的热压接的状态进行判定。
外观检查系统方法

[发明专利]半导体装置-CN202210943334.7在审
发明人：花形祥子 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：实施方式提供一种能够抑制恢复时的电压振动的半导体装置。有关实施方式的半导体装置包括第1～第2电极和第1～第5半导体区域。第1半导体区域设置在第1电极之上，与第1电极电连接，是第1导电型。第2半导体区域设置在第1半导体区域之上，是第1导电型。第3半导体区域设置在第2半导体区域的一部分之上，是第1导电型。第4半导体区域设置在第2半导体区域之上及第3半导体区域之上，是第2导电型。第5半导体区域设置在第4半导体区域的一部分之上，是第2导电型。第5半导体区域的至少一部分位于第3半导体区域的至少一部分的上方。第2电极设置在第5半导体区域之上，与第5半导体区域电连接。
半导体装置

[发明专利]发送接收电路、方法-CN202211062149.3在审
发明人：石原宽明 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H03K19/018 文献下载
摘要：本发明的目的在于抑制消耗电力的增加。本实施方式的发送接收电路具备：发送部，根据输入信号，输出包括N个脉冲波形的第一波形，N为2以上的自然数；传输部，使所述第一波形成为包括至少N+1个脉冲波形的第二波形并通过电磁场耦合进行传输；以及接收部，接收所述第二波形，基于至少N+1个所述脉冲波形来判定输入信号。
发送接收电路方法

[发明专利]半导体装置-CN202210936331.0在审
发明人：竹田骏 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L23/043 文献下载
摘要：实施方式提供半导体装置，减少信号端子的配线的电感，同时使半导体装置的组装简易。实施方式的半导体装置(1)包含壳体(10)和器件(20)。壳体(10)具备半导体电路。器件(20)构成为能够安装于壳体(10)。器件(20)具备信号端子(TGU)和与信号端子(TGU)电连接的配线(22)。配线(22)具有：接触部(CP)，其在器件(20)被安装于壳体(10)的情况下与包含于半导体电路的电极(14)相接；引线部(LP)，其具有设于接触部(CP)的上方的第一部分；以及弹簧部(SP)，其设于引线部(LP)的第一部分与接触部(CP)之间，且具有弹性。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202210841233.9在审
发明人：谷平圭;堀阳一;河野洋志 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：实施方式的半导体装置具备：第一电极；第一导电型的第一半导体层，连接于所述第一电极；第二半导体层，设于所述第一半导体层上的第一区域，所述第二半导体层是第一导电型，且杂质浓度比所述第一半导体层的杂质浓度高；第二导电型的第三半导体层，设于所述第二半导体层上；第四半导体层，设于所述第一半导体层上的第二区域，所述第四半导体层是第一导电型，且杂质浓度比所述第一半导体层的杂质浓度高、比所述第二半导体层的杂质浓度低，并隔着所述第一半导体层的一部分与所述第二半导体层分离；第二导电型的第五半导体层，设于所述第四半导体层上的一部分；以及第二电极，连接于所述第三半导体层、所述第四半导体层以及所述第五半导体层。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210804971.6在审
发明人：朝羽俊介;铃木拓马 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：实施方式涉及一种半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备半导体部，该半导体部包含：第一导电型的第一半导体层以及设于第一半导体层中的第二导电型的第二半导体层。半导体部包含：第一半导体层与第二半导体部之间的第一界面以及与第一界面交叉的第一半导体层与第二半导体部之间的第二界面。第二半导体层包含层叠于与第一界面正交的方向上的多个部分，第二界面包含第二半导体层的多个部分与第一半导体层之间的界面。第二界面在相对于第一方向倾斜的第二方向上延伸，该第一方向与第一界面正交。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]磁盘装置的RW参数调整方法以及调整装置和磁盘装置-CN202210592267.9在审
发明人：渡边大辅;前田拓哉;大竹雅哉;须藤健;佐藤隆一 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G11B21/02 文献下载
摘要：提供一种磁盘装置的RW参数调整方法以及调整装置和磁盘装置，能够在有限的试验时间内，平衡良好地满足多个要求标准，并且能够缩短调整时间。实施方式的磁盘装置的RW参数调整方法，进行事先登记处理，按试验用的磁盘装置的各种头的每个头，改变决定容量/特性的多个与读写相关的参数的条件来测定特性，按每个头制作登记了特性的测定结果得到的数据库，针对调整对象的磁盘装置的调整处理，按每个头改变所述参数的条件来测定特性，从所述每个头的数据库搜索相似特性的头的数据库，基于找到的数据库的特性，通过神经网络计算机的推定，针对容量/特性从全部命中条件中进行适当平衡的设定。
磁盘装置 rw 参数调整方法以及

[发明专利]通信系统、发送装置以及接收装置-CN202210966758.5在审
发明人：金泰沅 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H04L67/12 文献下载
摘要：实施方式提供能够进行广播的通信系统、发送装置以及接收装置。实施方式涉及的通信系统具备发送装置和多个接收装置。发送装置对多个接收装置发送识别信息和数据，识别信息包括指定通信方式的第1信息和指定发送目的地的接收装置的第2信息。多个接收装置各自在第1信息指定来自发送装置的数据发送的情况下，基于第2信息的至少一部分来决定可否接收数据。
通信系统发送装置以及接收

[发明专利]集成电路-CN202210974614.4在审
发明人：下条义满 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H03M1/08 文献下载
摘要：本发明的实施方式涉及一种集成电路，具备：多个AD转换电路，包括第一AD转换电路和第二AD转换电路；以及控制电路，为了使上述第一AD转换电路不受由于上述第二AD转换电路的取样处理(S2)而产生的噪声影响，在上述第二AD转换电路的取样处理中，使开始定时比通常的开始定时延迟，但通过使取样时间缩短，将上述第二AD转换电路的取样处理的结束定时控制为与进行了通常的取样处理的情况下的结束定时相同。
集成电路