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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置及半导体存储装置-CN201910583203.0在审
发明人：内海哲章 -专利权人： 东芝存储器株式会社
申请日： 2019-07-01 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L27/11563 文献下载
摘要：实施方式提供一种高集成度的半导体装置及半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：半导体衬底、设置在半导体衬底表面的多个晶体管、以及电连接于多个晶体管的栅极电极的第1电路。多个晶体管包含：在第1方向上隔着绝缘区域相邻的第1及第2晶体管、在与第1方向交叉的第2方向上隔着绝缘区域而与第1及第2晶体管相邻的第3晶体管、以及在第2方向上隔着绝缘区域而与第1及第2晶体管相邻的第4晶体管。第1电路根据第1信号而使第1～第4晶体管为导通状态。
半导体装置存储

[发明专利]存储装置-CN201510555747.8有效
发明人：山本和彦;铃木都文 -专利权人： 东芝存储器株式会社
申请日： 2015-09-02 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种存储单元间的干扰较少的存储装置。实施方式的存储装置具备：第1配线，其沿第1方向延伸；第2配线，其沿相对于所述第1方向交叉的第2方向延伸；第1层，其设置在所述第1配线的表面上的至少一部分；第2层，其设置在所述第2配线的表面上的至少一部分；及第3层，其设置在所述第1配线与所述第2配线之间，且与所述第1层及所述第2层接触。所述第1层包含第14族的第1元素，所述第2层包含第15族的第2元素及第16族的第3元素，所述第3层包含所述第1元素、所述第2元素及所述第3元素。
存储装置

[发明专利]磁屏蔽托盘、磁屏蔽包覆件及屏蔽外部磁场的磁性存储器产品-CN201680045562.5有效
发明人：藤森健史 -专利权人： 东芝存储器株式会社
申请日： 2016-03-14 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： B65D85/86 文献下载
摘要：根据实施例，一种磁屏蔽托盘包含：主体，其具有板形式且包含磁性材料；及安装部，其作为安置于所述主体中的孔。所述磁性材料暴露于所述孔的内表面上。
屏蔽托盘包覆件外部磁场磁性存储器产品

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201510848078.3有效
发明人：久米一平;内田健悟 -专利权人： 东芝存储器株式会社
申请日： 2015-11-27 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种能够向TSV内稳定地埋设金属等的半导体装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置具备：半导体基板，设有从第1面贯通至与所述第1面为相反侧的第2面的贯通孔；器件层，位于所述半导体基板的所述第1面，且包含配线；第1绝缘层，覆盖所述器件层；第1贯通电极，贯通所述第1绝缘层；第2绝缘层，从所述半导体基板的所述第2面上，穿过所述半导体基板的所述贯通孔的内侧面而到达所述器件层，且与所述器件层接触的部分的形状为锥形状；以及第2贯通电极，从所述第2绝缘层上穿过所述半导体基板的所述贯通孔内而与所述配线电连接。
半导体装置制造方法

[发明专利]存储系统-CN201610141288.3有效
发明人：前嶋洋 -专利权人： 东芝存储器株式会社
申请日： 2016-03-11 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种能够提高可靠性的存储系统。实施方式的存储系统包含：存储器件，包含存储单元阵列；以及控制器，对存储器件的动作进行控制，在存储单元阵列中指定第1区域(101)及第2区域(102)。第1区域(101)包含层叠在衬底(190)的第1存储单元(MCA)。第2区域(102)包含层叠在衬底(190)的上方的多个第2存储单元(MCB)。控制器能够将第1存储单元(MCA)连接于第1字线(WL)。此外，控制器能够将第2存储单元(MCB)连接于多个第2字线(WLk、WLk+1)。
存储系统

[发明专利]文件传送/接收装置及其控制方法-CN201580011266.9有效
发明人：熊木良成;松尾英知;奈良和哉 -专利权人： 东芝存储器株式会社
申请日： 2015-03-13 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H04W4/80 文献下载
摘要：根据一个实施例，一种文件传送/接收装置包含通信方向管理单元及应用单元。在近场通信中，所述通信方向管理单元在其中与相对装置发生冲突的情况下切断与所述相对装置的连接，且在重新连接至所述相对装置之后，将所述文件传送/接收装置切换至主控模式及从属模式中的任一模式。所述应用单元根据由所述通信方向管理单元指定的模式以所述主控模式或所述从属模式在所述相对装置与所述文件传送/接收装置之间执行文件的传送、接收、或传送/接收。
文件传送接收装置及其控制方法

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201910167490.7在审
发明人：赤田裕亮 -专利权人： 东芝存储器株式会社
申请日： 2019-03-06 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：实施方式提供一种能够实现小型、薄型化的半导体装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置具备：衬底，在第1面具有第1端子；以及第1半导体芯片，设置在第1面，且具有第2端子。第1半导体芯片在平行于第1面的方向上离开粘着性树脂而设置。此外，该半导体装置具备将第1端子与第2端子电连接的第1连接材。第1连接材的一部分埋入粘着性树脂中。进而，该半导体装置具备设置在衬底的第1面的第2半导体芯片以及设置在第2半导体芯片与第1面之间的粘着性树脂。
半导体装置制造方法

[发明专利]存储系统、信息处理系统及非易失性存储器的控制方法-CN201610591775.X有效
发明人：菅野伸一 -专利权人： 东芝存储器株式会社
申请日： 2016-07-25 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明的实施方式实现能够帮助主机控制非易失性存储器的存储系统、信息处理系统及非易失性存储器的控制方法。实施方式的存储系统从主机接收写入命令，所述写入命令包含指定多个区块内的第1区块的区块地址及指定所述第1区块内的多个页面内的第1页面的页面地址。所述存储系统将所述写入命令指定的数据写入至所述第1区块内的所述第1页面。所述控制器将表示在向所述第1页面写入所述数据前由所述主机写入数据的所述第1区块内的页面群之中，因向所述第1页面的所述数据的写入而变得可读出的最新的页面的页面地址，通知给所述主机。
存储系统信息处理系统非易失性存储器控制方法

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201610576858.1有效
发明人：荒井伸也 -专利权人： 东芝存储器株式会社
申请日： 2016-07-20 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L27/11578 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置及半导体装置的制造方法。根据实施方式，半导体装置包括：衬底；积层体，设置在所述衬底上；及积层膜，具有半导体膜及电荷储存膜。所述积层体具有：多个电极膜，隔着空隙而积层；第1绝缘膜，设置在所述多个电极膜中的最下层的电极膜与所述衬底之间，作为金属氧化膜、碳化硅膜、或碳氮化硅膜；及第2绝缘膜，设置在所述多个电极膜中的最上层的电极膜之上，作为金属氧化膜、碳化硅膜、或碳氮化硅膜。所述半导体膜在所述积层体内沿所述积层体的积层方向延伸，所述电荷储存膜设置在所述半导体膜与所述电极膜之间。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体存储装置及其制造方法-CN201911282806.3在审
发明人：坂本涉;铃木亮太;冈本达也;加藤龙也;荒井史隆 -专利权人： 东芝存储器株式会社
申请日： 2015-01-07 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：本发明涉及半导体存储装置及其制造方法。根据一个实施例，一种半导体存储装置包括基板、设置在所述基板上且在竖直方向上延伸的半导体柱、设置在所述半导体柱的侧方且在第一方向上延伸的多个第一电极膜。所述多个第一电极膜沿着所述竖直方向彼此分离地配置。所述半导体存储装置进一步包括设置在所述半导体柱与所述第一电极膜之间的多个第二电极膜。所述多个第二电极膜沿着所述竖直方向彼此分离地配置。所述半导体存储装置进一步包括设置在所述半导体柱与所述第二电极膜之间的第一绝缘膜，以及设置在所述第二电极膜与所述第一电极膜之间的第二绝缘膜。
半导体存储装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201910221859.8在审
发明人：田岛尚之;下川一生 -专利权人：株式会社东芝;东芝存储器株式会社
申请日： 2019-03-22 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明提供半导体装置及其制造方法。半导体装置具备：绝缘层；导电部件，设于所述绝缘层内；芯片，配置于所述绝缘层的第一面上，并连接于所述导电部件；以及电极，经由电阻率比所述导电部件的电阻率高的阻挡层连接于所述导电部件，且至少一部分从所述绝缘层的第二面突出。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201811092112.9在审
发明人：松尾浩司 -专利权人： 东芝存储器株式会社
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：实施方式提供一种具有适合于微细化的电极构造的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备：第1半导体电路层，具有第1导电层；第2半导体电路层，具有第2导电层；以及第3半导体电路层，设置在第1半导体电路层与第2半导体电路层之间，且具有与第1导电层相接的第3导电层、与第2导电层相接的第4导电层、及将第3导电层与第4导电层电连接且与第3导电层相接的第5导电层；第5导电层的宽度比第3导电层的宽度窄。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体存储装置及数据写入方法-CN201910089600.2在审
发明人：小仓达朗;堀井秀人 -专利权人： 东芝存储器株式会社
申请日： 2019-01-30 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种在以步进写入方式对电荷捕获膜写入数据时，能够抑制相邻字线干扰的半导体存储装置及数据写入方法。实施方式的数据写入方法通过对分别连接于多个存储单元的多个字线中的选择字线一面使程序电压的电压值步进一面施加直至数据的写入结束为止，来对连接于选择字线的存储单元进行数据的写入。此时，根据施加至选择字线的程序电压的值，对多个字线中的选择字线以外的特定的字线施加不同的通过电压。
半导体存储装置数据写入方法

[发明专利]半导体存储装置-CN201910090060.X在审
发明人：前川裕昭;松下直辉 -专利权人： 东芝存储器株式会社
申请日： 2019-01-30 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： G11C11/02 文献下载
摘要：实施方式提供一种高品质的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：存储区域，具备多个存储单元；以及控制器，在对存储区域进行第1写入数据的写入的情况下，将存储单元中所存储的读出数据读出，将读出数据与第1写入数据进行比较，算出在进行写入时重写为第1数据所需要的第1数，在从读出数据覆写为第1写入数据的反转数据即第2写入数据的情况下，将读出数据与第1写入数据的反转数据即第2写入数据进行比较，算出在进行写入时重写为第1数据所需要的第2数，将第1数与第2数进行比较，在第1数小于第2数的情况下，将第1写入数据写入到存储区域，在第1数为第2数以上的情况下，将第2写入数据写入到存储区域。
半导体存储装置

[发明专利]半导体存储装置-CN201910091613.3在审
发明人：诸冈哲 -专利权人： 东芝存储器株式会社
申请日： 2019-01-30 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：实施方式的半导体存储装置具备衬底、多层配线层、阻挡绝缘膜、电荷蓄积膜、隧道绝缘膜及半导体膜。多层配线层介隔多层绝缘层积层在衬底的上方，具有沿与衬底垂直的方向延伸的开口部，且分别具有：第1面，朝与衬底的表面平行的第1方向凹陷；第2面，朝与衬底的表面平行且与第1方向不同的第2方向凹陷；第3面，朝与衬底的表面平行且与第1及第2方向不同的第3方向凹陷；以及第4面，朝与衬底的表面平行且与第1至第3方向不同的第4方向凹陷。阻挡绝缘膜以与第1至第4面各面相接的方式设置。电荷蓄积膜设置在阻挡绝缘膜的侧面。隧道绝缘膜设置在电荷蓄积膜的侧面。半导体膜设置在隧道绝缘膜的侧面。
半导体存储装置

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