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[发明专利]半导体存储装置及其制造方法-CN201911282806.3在审
发明人：坂本涉;铃木亮太;冈本达也;加藤龙也;荒井史隆 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2015-01-07 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：本发明涉及半导体存储装置及其制造方法。根据一个实施例，一种半导体存储装置包括基板、设置在所述基板上且在竖直方向上延伸的半导体柱、设置在所述半导体柱的侧方且在第一方向上延伸的多个第一电极膜。所述多个第一电极膜沿着所述竖直方向彼此分离地配置。所述半导体存储装置进一步包括设置在所述半导体柱与所述第一电极膜之间的多个第二电极膜。所述多个第二电极膜沿着所述竖直方向彼此分离地配置。所述半导体存储装置进一步包括设置在所述半导体柱与所述第二电极膜之间的第一绝缘膜，以及设置在所述第二电极膜与所述第一电极膜之间的第二绝缘膜。
半导体存储装置及其制造方法

[发明专利]路径搜索系统、路径搜索方法以及计算机程序-CN201580047381.1有效
发明人：谷崎大介;日与川豊治;加藤龙也;中村元裕;渡边和纪;田代博之;广尾啓 -专利权人：爱信艾达株式会社;丰田自动车株式会社
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： G01C21/34 文献下载
摘要：本发明提供一种能够搜索对用户来说更适宜的路径的路径搜索系统、路径搜索方法以及计算机程序。在探测中心(4)从在全国行驶的各车辆(3)收集探测信息，另一方面，在导航装置(2)进行推荐路径的搜索，在此情况下，根据探测信息计算相匹配的路段的路段耗费(S2)，根据为了计算一个路段的路段耗费而使用的探测信息的数量，确定所计算出的路段耗费的可信度(S3)，根据所确定的可信度，对该可信度被确定的路段耗费的值进行修正(S6)，使用修正过的路段耗费的值来进行推荐路径的搜索(S7)。
路径搜索系统方法以及计算机程序

[发明专利]半导体存储装置及其制造方法-CN201410250359.4有效
发明人：坂本涉;铃木亮太;冈本达也;加藤龙也 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2014-06-06 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供半导体存储装置及其制造方法。半导体存储装置具备：基板；设置在所述基板上且沿上下方向延伸的半导体柱；设置在所述半导体柱的侧方、沿第1方向延伸且沿所述上下方向彼此分离地配置的多张第1电极膜；设置在所述半导体柱与所述第1电极膜之间、且沿所述上下方向彼此分离地配置的多个第2电极膜；设置在所述半导体柱与所述第2电极膜之间的第1绝缘膜；和设置在所述第2电极膜与所述第1电极膜之间的第2绝缘膜。
电极膜半导体柱半导体存储装置彼此分离上下方向绝缘膜配置的基板上下方向延伸方向延伸侧方制造

[发明专利]路径搜索系统、路径搜索方法以及计算机程序-CN201580047389.8在审
发明人： 加藤龙也;谷崎大介;日与川豊治;中村元裕;渡边和纪;田代博之;有田知子 -专利权人：爱信艾达株式会社;丰田自动车株式会社
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： G01C21/26 文献下载
摘要：本发明提供一种能够搜索对用户来说更加适宜的路径的路径搜索系统、路径搜索方法以及计算机程序。具体而言，在搜索切换多个移动方式进行移动之际的推荐路径的情况下，基于第一移动方式和与第一移动方式不同的第二移动方式的组合，对从第一移动方式向第二移动方式进行切换的条件进行设定，按照所设定的条件搜索切换多个移动方式进行移动的推荐路径。
路径搜索系统方法以及计算机程序

[发明专利]半导体存储装置及其制造方法-CN201580004157.4在审
发明人：坂本涉;铃木亮太;冈本达也;加藤龙也;荒井史隆 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-01-07 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：根据一个实施例，一种半导体存储装置包括基板、设置在所述基板上且在竖直方向上延伸的半导体柱、设置在所述半导体柱的侧方且在第一方向上延伸的多个第一电极膜。所述多个第一电极膜沿着所述竖直方向彼此分离地配置。所述半导体存储装置进一步包括设置在所述半导体柱与所述第一电极膜之间的多个第二电极膜。所述多个第二电极膜沿着所述竖直方向彼此分离地配置。所述半导体存储装置进一步包括设置在所述半导体柱与所述第二电极膜之间的第一绝缘膜，以及设置在所述第二电极膜与所述第一电极膜之间的第二绝缘膜。
半导体存储装置及其制造方法

[发明专利]烧结磁铁和烧结磁铁的制造方法-CN201180017121.1有效
发明人：森田启之;皆地良彦;森宜宽;加藤龙也;须藤信浩;王子直人 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2011-03-31 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01F1/11 文献下载
摘要：本发明解决的技术问题是确保薄化了的烧结磁铁的强度。因此，烧结磁铁（1）是通过烧结磁性材料而成的铁氧体烧结磁铁。烧结磁铁（1）通过如下方法制造：将混合磁性粉末与粘性树脂而得到的磁性粉末混合物在施加了磁场的模具的内部射出成形而制作成形体，并烧成该成形体。烧结磁铁（1）的重心位置的厚度为3.5mm以下。另外，烧结磁铁（1）的表面粗糙度（Rz）为0.1μm以上2.5μm以下。表面粗糙度（Rz）是十点平均粗糙度。
烧结磁铁制造方法

[发明专利]铁素体磁性材料、铁素体磁铁、铁素体烧结磁铁-CN201180004147.2有效
发明人：柳田茂树;森宜宽;森田启之;须藤信浩;加藤龙也;皆地良彦 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2011-03-15 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： C04B35/26 文献下载
摘要：提供可获得保持高Br和HcJ并且具有高Hk/HcJ的永久磁铁的铁素体磁性材料，以及含有该铁素体磁性材料的铁素体磁铁和铁素体烧结磁铁。铁素体磁性材料、含有该铁素体磁性材料的铁素体磁铁和铁素体烧结磁铁的特征在于，所述铁素体磁性材料具有六方晶结构的铁素体相构成的主相，具有Ca1-w-x-yRwSrxBayFezMm表示的金属元素组成，满足0.25＜w＜0.5、0.01＜x＜0.35、0.0001＜y＜0.013、y＜x、8.7＜z＜9.9、1.0＜w/m＜2.1、0.017＜m/z＜0.055，至少含有Si成分作为副成分，将上述铁素体磁性材料中上述Si成分换算为SiO2的含量y1质量％在Y轴表示，将上述z与m的合计量x1在X轴表示，则x1和y1的关系在具有上述X轴和Y轴的X-Y坐标中规定的4个点包围的范围内。
铁素体磁性材料磁铁烧结

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200910003275.X有效
发明人：远藤真人;加藤龙也 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2009-02-01 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： H01L23/535 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：多个第一互连层，设置在绝缘层中，且形成为宽度和间隔小于曝光技术的分辨极限的图形；以及第二互连层，设置在绝缘层中的第一互连层之间，并且宽度大于第一互连层的宽度。第二互连层和邻近第二互连层两侧的每个第一互连层之间的间隔等于第一互连层之间的间隔。
半导体器件及其制造方法

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