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[发明专利]基于模型的控制方法、基于模型的控制系统和程序-CN202310087984.0在审
发明人：田村淳;北山智久 -专利权人： 东京毅力科创株式会社
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及基于模型的控制方法、基于模型的控制系统和程序，可使温度控制部件的温度分布更迅速地接近作为目标的温度分布。基于模型的控制方法包括：步骤a，获取设置于处理装置的、具有能够单独地进行温度控制的多个区域的温度控制部件的包含各个区域的温度数据的温度控制数据；步骤b，对于各个区域确定其他区域的温度；步骤c，对于各个区域，使用所确定的其他区域的温度和温度控制数据，确定多输入单输出的状态空间模型的参数；步骤d，通过将所确定的多输入单输出的状态空间模型的参数分配给多输入多输出的状态空间模型的各元素，生成多输入多输出的状态空间模型；和步骤e，使用多输入多输出的状态空间模型，控制温度控制部件的各个区域的温度。
基于模型控制方法控制系统程序

[发明专利]等离子体处理装置-CN202310030992.1在审
发明人：小谷光司;镰田英纪;池田太郎 -专利权人： 东京毅力科创株式会社
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01J37/16 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置，能够在构成等离子体处理装置所具有的处理容器的顶壁的顶板内抑制电磁波的传播。所述等离子体处理装置具有：处理容器；顶板，其构成所述处理容器的顶壁，所述顶板由第一电介体形成，在所述第一电介体具有开口；透过窗，其配置于所述开口，所述透过窗由介电常数比所述第一电介体的介电常数大的第二电介体形成；以及电磁波供给部，其构成为朝向所述透过窗供给电磁波。
等离子体处理装置

[发明专利]基片处理装置和基片输送方法-CN201880022064.8有效
发明人：诧间康司 -专利权人： 东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明实施方式的基片处理装置包括承载器载置部(11)、基片载置部、第一输送装置(13)、多个处理部、第二输送装置(17)和控制部(18)。承载器载置部(11)载置收纳多个基片的承载器(C)。基片载置部能够载置多个基片。第一输送装置(13)在载置于承载器载置部(11)的承载器(C)与基片载置部之间输送基片。多个处理部处理基片。第二输送装置(17)在多个处理部与基片载置部之间输送基片。此外，控制部(18)以第一输送装置(13)从承载器(C)取出基片而将其载置到基片载置部并且从基片载置部取出基片而收纳到承载器(C)为止的所需时间以上的时间间隔，使第一输送装置(13)执行从承载器(C)取出基片而将其载置到基片载置部的取出动作。
处理装置输送方法

[发明专利]基板处理装置、基板的输入方法以及基板处理方法-CN201910956845.0有效
发明人：永田朋幸 -专利权人： 东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-10-10 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明提供基板处理装置、基板的输入方法以及基板处理方法。该基板处理装置能够使内管与基板之间的距离接近。该基板处理装置具有：圆筒形状的反应管，其在下端具有开口；盖体，其能够打开关闭该反应管的所述开口；基板保持件，其能够载置于该盖体，能够在纵向上空开间隔地多层保持多个基板；以及内管，其能够载置于所述盖体，覆盖所述基板保持件。
处理装置输入方法以及

[发明专利]等离子体处理装置-CN202010070561.4有效
发明人：久保田绅治 -专利权人： 东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-01-21 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：在例示性实施方式的等离子体处理装置中，高频电源产生高频电力，以生成等离子体。偏置电源对下部电极周期性施加脉冲状的负极性的直流电压，以将离子引入基板支撑器。高频电源在脉冲状的负极性的直流电压未施加到下部电极的期间，作为一个以上的脉冲供应高频电力。高频电源在脉冲状的负极性的直流电压施加到下部电极的期间，停止供应高频电力。一个以上的脉冲中的每一个具有从其开始时刻到其峰值出现的时刻为止逐渐增加的功率级。
等离子体处理装置

[发明专利]滤波器装置和等离子体处理装置-CN202010419680.6有效
发明人：奥西直彦;永岛望 -专利权人： 东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-04-25 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种滤波器装置和等离子体处理装置。滤波器装置具备：第一线圈组，其由沿中心轴线配置且以第一内径螺旋状地卷绕的多个线圈构成；以及第二线圈组，其由沿中心轴线配置且以比所述第一内径大的第二内径螺旋状地卷绕的多个线圈构成，其中，所述第二线圈组的各个线圈的单匝线圈间的间距比所述第一线圈组的各个线圈的单匝线圈间的间距大。
滤波器装置等离子体处理

[发明专利]基板处理方法、基板处理装置以及记录介质-CN201710728899.2有效
发明人：畠山真一;渡边圣之;西幸三;户塚诚也;吉原健太郎 -专利权人： 东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-08-23 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及基板处理方法、基板处理装置以及记录介质，有效提高涂布膜的膜厚的均匀性。涂布和显影装置(2)具备：喷嘴(22)，其向晶圆喷出处理液；压送部(40)，其向喷嘴侧加压输送处理液；送液管路(50)，其具有从压送部侧向喷嘴侧排列的阀(53、54)，用于从压送部向喷嘴引导处理液；以及控制器(100)。控制器构成为执行以下动作：在阀(54)关闭且阀(53)与阀(54)之间的压力比压送部与阀(53)之间的压力高的状态下打开阀(53)；控制压送部以使由于阀(53)打开而降低的阀(53)与阀(54)之间的压力上升；以及在由于阀(53)打开而阀(53)与阀(54)之间的压力降低之后打开阀(54)。
处理方法装置以及记录介质

[发明专利]基板支承部件、基板输送装置和基板支承部件的制造方法-CN202310037100.0在审
发明人：并木未央 -专利权人： 东京毅力科创株式会社
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明提供能够使基板支承部件的轻量化和高刚度化兼得的基板支承部件、基板输送装置和基板支承部件的制造方法。本发明的一个方式的基板支承部件为能够在用于输送基板的基板输送装置中设置多个来支承所述基板的长条形状的基板支承部件，其特征在于：在长度方向上从根端侧向前端侧去依次具有第一部分、第二部分和第三部分，在设所述第一部分、所述第二部分和所述第三部分的与所述长度方向正交的截面分别为第一截面、第二截面和第三截面时，所述第一截面、所述第二截面和所述第三截面具有彼此不同的形状，所述第二截面的截面积小于所述第一截面的截面积，并且所述第三截面的截面积小于所述第二截面的截面积。
支承部件输送装置制造方法

[发明专利]气体供给系统、等离子体处理装置及气体供给方法-CN202310013724.9在审
发明人：泽地淳 -专利权人： 东京毅力科创株式会社
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种气体供给系统、等离子体处理装置及气体供给方法。气体供给系统具备的控制部执行以下控制：计算在多个气体供给流路的各气体供给流路中流动的主气体的流量；获取在添加气体流路中流动且与在各个气体供给流路中流动的主气体进行混合的添加气体的流量；在多个气体供给流路的各气体供给流路中计算主气体的流量与添加气体的流量之和即合计流量；使用在多个气体供给流路的各气体供给流路中计算出的合计流量、以及主气体及添加气体的预先获取到的流量与压力之间的关系，来计算多个气体供给流路各自的内部压力；计算在多个气体供给流路的各气体供给流路中计算出的内部压力之比；以及基于内部压力之比来对多个流量控制阀的开度进行比例控制。
气体供给系统等离子体处理装置方法

[发明专利]基片处理方法和热处理装置-CN202310487865.4在审
发明人：佐野要平;川上真一路;榎本正志;盐泽崇博;吉田圭佑;鬼塚智也 -专利权人： 东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明在使用含金属材料的基片处理中，抑制热处理中的金属污染同时适当地形成含金属膜。基片处理系统具有对形成于基片上的含金属膜进行热处理的热处理装置。热处理装置包括：收纳晶片W的处理腔室(320)；设置于处理腔室(320)的内部，用于载置晶片W的热处理板(360)；对处理腔室(320)的内部供给含水分气体的喷头(330)；和从处理腔室(320)的中央部对内部进行排气的中央排气部。
处理方法热处理装置

[发明专利]输送装置和基板处理装置-CN201811004547.3有效
发明人：郑傲;长谷川孝祐 -专利权人： 东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明提供一种输送装置和基板处理装置。提供能够使输送精度提高的输送系统。一实施方式的输送装置具有：移载器，其在对被输送物的温度进行测定的测定位置与自所述测定位置分离开的待机位置之间移动；温度传感器，其以顶端从所述移载器突出的方式安装于所述移载器，在所述测定位置处对所述被输送物的温度进行测定；以及引导件，其在从所述待机位置向所述测定位置的移动方向侧具有开口，保护所述温度传感器的所述顶端。
输送装置处理

[发明专利]检查系统-CN201910145368.X有效
发明人：百留孝宪;藤原润;坂本裕昭;远藤朋也;姜兴军 -专利权人： 东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种基板内的器件用的检查系统。一实施方式的检查系统具有检查模块、对准模块、支承机构以及固定机构。检查模块具有多个测试器，提供多个检查室。多个测试器分别能够收容于多个检查室。对准模块具有对准器。对准器设置于对准空间内。对准器相对于多个测试器中的收容到对准空间内的测试器调整基板的位置。支承机构从下方支承收容到对准空间内的测试器。固定机构构成为，与支承机构协作来固定被收容到对准空间内的测试器。
检查系统

[发明专利]接合装置、接合系统、接合方法和计算机存储介质-CN201780069249.X有效
发明人：中满孝志;松本宗兵;稻益寿史 -专利权人： 东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-10-10 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：将基板彼此接合的接合装置具有：第一保持部，其对第一基板进行抽真空来将该第一基板吸附保持于所述第一保持部的下表面；第二保持部，其设置于该第一保持部的下方，对第二基板进行抽真空来将该第二基板吸附保持于所述第二保持部的上表面；旋转机构，其使第一保持部与第二保持部相对旋转；移动机构，其使第一保持部与所述第二保持部沿水平方向相对移动；三个位置测量部，所述三个位置测量部设置于通过旋转机构进行旋转的第一保持部或第二保持部，并且测量该第一保持部或第二保持部的位置；以及控制部，其基于该三个位置测量部的测量结果来控制旋转机构和移动机构。
接合装置系统方法计算机存储介质

[发明专利]半导体基板的处理方法和半导体基板的处理装置-CN201880008160.7有效
发明人：清田健司;福冈哲夫 -专利权人： 东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-01-16 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种在使形成有集成电路芯片的半导体晶圆的背面侧(另一面侧)的厚度减小的工序之前在表面侧(一面侧)形成保护膜时能够实现保护膜的平坦化的技术。本发明的半导体基板的处理装置具备将剥离用的固化剂(11)涂布于晶圆(W)的表面侧的模块(51)、通过照射紫外线来使固化剂(11)固化的模块(54)、将保护膜用的固化剂(12)涂布于固化剂(11)之上的模块(52)、接着在利用由玻璃板构成的按压构件(14)对固化剂的表面进行按压的状态下通过照射紫外线来使固化剂(12)固化的模块(56)、之后对晶圆(W)进行背面磨削的装置(G)、将切割用带粘接于晶圆(W)的背面侧的模块、之后向晶圆(W)的表面侧照射激光来使固化剂(11)变质而产生气体以将固化剂(11、12)从晶圆(W)剥离的模块。
半导体处理方法装置

[发明专利]制造过程中的超局部和等离子体均匀性控制-CN201880063202.7有效
发明人：巴顿·G·莱恩;彼得·G·文泽克 -专利权人： 东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本文描述用于提供局部高密度等离子体源的结构、平台和方法，所述局部高密度等离子体源在晶片制造过程中点燃局部气体以提供整体均匀性。这种等离子体源是在处于或高于微波值的射频下操作的谐振结构。
制造过程中的局部等离子体均匀控制