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- [发明专利]晶圆传输机械手系统及方法-CN202310919456.7在审
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刘强;杨平
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上海稷以科技有限公司
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2023-07-25
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2023-10-24
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B25J15/00
- 本发明提出了一种晶圆传输机械手系统及方法，包括末端执行器二、末端执行器三、末端执行器四和末端执行器五，沿Z向由下到上依次设置；丝杠A和丝杠B，丝杠A用于驱动末端执行器二和末端执行器五沿Z向移动；末端执行器二、末端执行器五均与对应的丝杆螺母固定；丝杠B用于驱动末端执行器三、末端执行器四沿Z向移动；末端执行器三、末端执行器四均与对应的丝杆螺母固定；线轨A和线轨B，用于限制对应的丝杠绕Z轴旋转；末端执行器一，作为Z向的基准层，用于单独装载传输晶圆以进行单层取放模式或进行多层取放模式，其固定于一单层底座并位于末端执行器二的下方。本发明可兼顾单层和多层晶圆传输，同时自动调节多层传输机械手之间的间距。
- 传输机械手系统方法
- [发明专利]进气法兰加热结构、加热控制系统及方法-CN202310754975.2在审
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刘强;杨平
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上海稷以科技有限公司
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2023-06-25
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2023-09-19
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C23C16/455
- 本发明提出了一种进气法兰加热结构、加热控制系统及方法，该加热结构包括进气法兰，包括内环和外环，内环与外环贯通，且固定于外环；内环和外环之间设置沿圆周方向分布的区域II和区域III，区域II和区域III上均开设连通内环和外环的进气孔；内环形成区域I；区域I、区域II和区域III的面积不等；加热装置A，用于加热区域I，包绕在内环的外环面上；加热装置B，用于加热区域II和区域III，包括若干加热器一，区域II和区域III内均嵌设加热器一；加热器一的一端延伸至外环的外部。本发明在通过加热提高炉管进气法兰处温度的同时，兼顾不破环工艺区温度均匀性，还保证进气法兰圆周方向升温速率的一致性。
- 法兰加热结构控制系统方法
- [发明专利]下电极装置及晶圆处理方法-CN202310654376.3在审
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许国青;杨平
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上海稷以科技有限公司
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2023-06-05
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2023-09-15
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H01J37/32
- 本发明提出了一种下电极装置及晶圆处理方法，该装置包括晶圆载盘，其正面开设若干环形沟槽，相邻环形沟槽之间通过直线沟槽连通；非工艺气通孔，用于通入非工艺气体，非工艺气体从非工艺气通孔溢流并从晶圆的边缘流出，以阻挡等离子体钻入晶圆背面，其开设于位于内侧的环形沟槽并位于直线沟槽；非工艺气通孔连通气体支路的输出端，气体支路由晶圆载盘的内部向下延伸出晶圆载盘；真空通孔，用于为晶圆背面和晶圆载盘之间的气体提供抽取端口，其开设于晶圆载盘的正面，并位于最外侧的两相邻环形沟槽之间。本发明可减小晶圆与载台之间的间隙，并可阻挡等离子体钻入晶圆背部。
- 电极装置处理方法
- [发明专利]半导体工艺设备及安装方法-CN202310738542.8在审
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刘强;杨平
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上海稷以科技有限公司
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2023-06-21
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2023-09-15
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C23C16/455
- 本发明提出了一种半导体工艺设备及安装方法，该设备包括进气法兰；反应腔内管，其腔体形成反应区，反应腔内管的下端面可拆卸地设置于进气法兰的内壁上；反应腔内管的侧壁上开设供杂质气体排出的排气口；晶圆支撑架，用于放置若干片晶圆，晶圆支撑架设置于反应腔内管的腔体内，包括一固定于反应腔内管内壁的顶板，顶板上设置若干沿轴向延伸的支撑条，每个支撑条上均开设用于承接晶圆且沿轴向分布的若干栅格，所有支撑条共同承接同一片晶圆；及反应腔外管，用于将反应腔内管中的杂质气体排出，底部密封法兰，用于封闭反应区，与进气法兰的下端面接触。本发明可实现大批量晶圆生产、提高工艺反应腔寿命，还可以减少颗粒污染物。
- 半导体工艺设备安装方法
- [发明专利]氧气浓度控制系统及控制方法-CN202310680660.8在审
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刘强;杨平
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上海稷以科技有限公司
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2023-06-09
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2023-09-05
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H01L21/67
- 本发明提出了氧气浓度控制系统及控制方法，该系统包括：区域一为晶圆传输区域，区域二和区域三分别为一晶圆盒形成的密闭区域；检测气体进气口一、检测气体进气口二及检测气体进气口三，三通阀一和三通阀二，三通阀一包括气口A1、气口B1及气口C1，三通阀二包括气口A2、气口B2及气口C2；气口A1与检测气体进气口一连通，气口B1与气口C2连通；气口C1依次与过滤器、泵、阀二、氧气分析仪和流量计连接；气口A2与检测气体进气口二连通，气口B2与检测气体进气口三连通；惰性气体过滤进气口一、进气口二及进气口三。本发明可将晶圆盒及晶圆传输区域的氧气浓度控制分别独立开来，并通过对晶圆盒的氧气浓度控制，降低了晶圆传输区域的吹扫次数。
- 氧气浓度控制系统控制方法
- [实用新型]一种新型的工艺腔隔离装置-CN202320305508.7有效
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杨平
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上海稷以科技有限公司
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2023-02-24
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2023-09-05
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H01J37/32
- 实用新型公开了一种新型的工艺腔隔离装置，属于晶圆设备技术领域，包括工艺腔，工艺腔内部腔室放置晶圆，工艺腔腔体表面设有接通其内部腔室的工艺气体管道、射频管道、高纯氮气管道、真空泵连接管道、大气开关和压力计，工艺腔腔体还设有门阀，阀门上方设有分气装置，分气装置内部形成有分气腔，底部等间距设置有多个朝向门阀的出气孔，分气装置顶部通过分气管道摄入有高纯氮气，分气管道上设有控制高纯氮气流通的充气阀，通过本实用新型分气装置的设置，当门阀开门的情况下开启充气阀，分气装置下方出气产生气帘，用以隔绝环境空气进入工艺腔，以保持工艺腔工艺环境无额外气氛且干燥稳定，提高了工艺稳定性。
- 一种新型工艺隔离装置
- [发明专利]半导体工艺制程设备及气体置换方法-CN202310578011.7在审
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刘强;杨平
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上海稷以科技有限公司
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2023-05-22
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2023-08-22
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H01L21/673
- 本发明提出了一种半导体工艺制程设备及气体置换方法，该设备包括：晶圆传输区域，其外壁的前端面开设一用于连通晶圆盒的第一窗口，气体交换区域，用于防止晶圆盒内非工艺气体进入晶圆传输区域，并置换出晶圆盒内的非工艺气体，其固定于晶圆传输区域的内壁上；气体交换区域横跨第一窗口，围成气体交换区域的外壁上，开设第二窗口，第二窗口位于第一窗口的后侧；气体交换区域的外壁上开设用于气体排气口、用于通入惰性气体的气体进气口；前封板和后封板，前封板用于密封第一窗口，后封板用于密封第二窗口，均位于气体交换区域内；气缸一、气缸二和气缸三。本发明可防止晶圆盒内非工艺气体进入晶圆传输区域，并能置换晶圆盒内的非工艺气体。
- 半导体工艺设备气体置换方法
- [发明专利]半导体测试设备及位置调整方法-CN202310602050.6在审
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刘强;杨平
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上海稷以科技有限公司
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2023-05-25
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2023-08-22
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H01L21/67
- 本发明提出了一种半导体测试设备及位置调整方法，该设备包括套管；温度传感器，用于测量工艺腔室内的温度，置于套管内并可在套管内升降，温度传感器的下段伸出套管；连接装置，设置在温度传感器的下段和悬臂之间；连接装置能够使温度传感器能够相对于悬臂在水平面的预设范围内移动，以使得温度传感器在套管中升降的过程中，与套管发生接触产生摩擦或碰撞时，温度传感器可在水平面的预设范围内移动，并且温度传感器可在角度α范围内自由摆动；悬臂沿X向设置并与一升降装置连接。本发明可消除温度传感器相对于套管的位置偏差，实现温度传感器在受限范围内自由平面移动和自由倾斜摆动。
- 半导体测试设备位置调整方法
- [发明专利]温度控制系统及调节方法-CN202310560280.0在审
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刘强;杨平
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上海稷以科技有限公司
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2023-05-18
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2023-08-18
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H01L21/67
- 本发明提出了一种温度控制系统及调节方法，该系统包括磁流体，固定于法兰位于工艺腔室外的底面；磁流体位于冷却水管形成的冷却区域内；冷却水管连通用于进水的第一水管、用于回水的第二水管；冷却水管上设置热电偶一，三通阀，用于控制冷却水管处冷却水的通断，包括接口A、接口B和接口C，接口A连接进水管，接口B连通第一水管，接口C连通第二水管；第二水管的输出端连接回水管的进水端；加热器，用于控制法兰的温度，固定于法兰的底面，法兰上设置热电偶二。本发明解决了磁流体随着温度升高而导致的粘度降低，磁性性能下降的问题；并通过底部法兰加热器对特定区域进行加热，防止了工艺气体因为温度过低，在组件底部产生沉积。
- 温度控制系统调节方法
- [发明专利]炉门组件、立式炉及立式炉的启闭方法-CN202310609702.9在审
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刘强;杨平
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上海稷以科技有限公司
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2023-05-29
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2023-07-25
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F27D1/18
- 本发明提出了一种炉门组件、立式炉及立式炉的启闭方法，该组件包括炉门和气缸，炉门用于密封炉管，炉门与连接单元连接，连接单元套设于气缸的输出轴上，输出轴可沿Z向上下移动；连接单元远离炉门的一端设置一导向轮，导向轮可沿导向板的侧面垂直移动、之后旋转移动；导向板，其固定于驱动底座，其朝向导向轮的一侧面上开设导向槽，导向槽包括依次与导向轮配合且沿Z向延伸的垂直槽和曲线槽；曲线槽的上端连通垂直槽的下端；驱动底座，其上设置与输出轴的上段间隙配合的上轴承、与输出轴的下段配合的下轴承。本发明维护方便，取消所有因保护控制元器件而额外增加的冗余结构。
- 炉门组件立式启闭方法
- [发明专利]一种自检式芯片刻蚀用等离子体清洗去胶设备-CN202310475530.0在审
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彭帆
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上海稷以科技有限公司
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2023-04-27
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2023-07-18
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H01J37/32
- 本发明公开了一种自检式芯片刻蚀用等离子体清洗去胶设备，涉及离子体清洗去胶技术领域，包括密封箱、气泵、气体输出泵、硅圆片和主轴，所述主轴设置于密封箱的内部上方，所述主轴的输出端安装有行星齿轮组，所述行星齿轮组的下方安装有输出盘，所述输出盘的内部设置有等离子体发生器，所述密封箱的内部下方安装有隔断环，所述隔断环的中部安装有承载板，所述隔断环的内壁上设置有触点。本发明通过延长等离子气体对突出部分胶质的清理时间，加速对硅圆片上的胶质形成平滑表面，同时解决等离子气体在输出后向四周扩散，使得边缘区域的等离子气体浓度大于中心区域的等离子气体浓度，导致硅圆片上各个区域的清理效果不一的问题。
- 一种自检芯片刻蚀等离子体洗去设备
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