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[发明专利]氮化物半导体基板、半导体元件及氮化物半导体基板的制造方法-CN202180016240.9在审
发明人：三宅秀人;王丁;上杉谦次郎 -专利权人：国立大学法人三重大学
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：氮化物半导体基板(11、21)具备基板(2)和设在基板(2)的上方的含AlN膜(100、200)，含AlN膜(100、200)的膜厚为10000nm以下，含AlN膜(100、200)的贯通位错密度为2×108cm‑2以下。
氮化物半导体元件制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201710766837.0有效
发明人： 上杉谦次郎;彦坂年辉;布上真也 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置及其制造方法，提供能够提高性能的半导体装置的制造方法。根据实施方式，半导体装置的制造方法包括：通过使用了包含第1元素的气体的干法蚀刻去除设置于包含Alx1Ga1－x1N(0≤x11)的第1膜之上的包含Alx2Ga1－x2N(0x21，x1x2)的第2膜的一部分，形成槽，使第1膜的一部分在槽的底部露出。制造方法包括：使露出的第1膜的一部分与包含NH3的气氛接触来进行热处理。制造方法包括：在热处理之后在第1膜的一部分之上形成绝缘膜。制造方法包括：在绝缘膜之上形成电极。绝缘膜具有从第1膜的一部分朝向电极的第1方向上的中央的第1位置，第1位置处的所述第1元素的浓度为1×1018cm‑3以下。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201710766821.X有效
发明人： 上杉谦次郎;新留彩;加藤大望;蔵口雅彦;布上真也 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：提供能够提高性能的半导体装置的制造方法。根据实施方式，半导体装置的制造方法包括通过使用了包含第1元素的气体的干蚀刻而去除设置在包含Alx1Ga1－x1N(0≤x11)的第1膜之上的包含Alx2Ga1－x2N(0x21，x1x2)的第2膜的一部分来形成槽，使第1膜的一部分在槽的底部露出。制造方法包括使露出的第1膜的一部分与包含NH3的气氛接触来进行热处理的工序。制造方法包括在热处理之后在第1膜的一部分之上形成绝缘膜的工序。制造方法包括在绝缘膜之上形成电极的工序。绝缘膜具有从第1膜的一部分朝向电极的第1方向上的中央的第1位置，第1位置的所述第1元素的浓度为1×1018cm‑3以下。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体基板和半导体器件-CN201810163337.2有效
发明人：加藤大望;吉田学史;田岛纯平;上杉谦次郎;彦坂年辉;汤元美树;布上真也;蔵口雅彦 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2018-02-27 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：提供一种能够提高耐压的半导体基板和半导体器件。根据实施方式，半导体基板包含：第1半导体层，包含Alx1Ga1‑x1N(0x1≤1)，包含碳和氧；以及第2半导体层，包含Alx2Ga1‑x2N(0x2x1)，包含碳和氧。所述第2半导体层中的碳浓度相对所述第2半导体层中的氧浓度的第2比是730以上。
半导体半导体器件

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201810160353.6在审
发明人：田岛纯平;彦坂年辉;上杉谦次郎;木村重哉;蔵口雅彦;布上真也 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2018-02-27 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置及其制造方法，能够得到高阈值。根据实施方式，半导体装置包括第1～第3电极、第1～第3层以及绝缘层。第1层包括远离第1电极的第1面、远离第2电极的第2面以及远离第3电极并且倾斜的第3面。第2层包括设置于第1电极与第1面之间的第1部分区域、设置于第2电极与第2面之间的第2部分区域以及设置于第3电极与第3面之间的第3部分区域。第3层包括设置于第1电极与第1部分区域之间的第4部分区域、设置于第2电极与第2部分区域之间的第5部分区域以及设置于第3电极与第3部分区域之间的第6部分区域。与第4、第5部分区域、第1、第2电极分别电连接。绝缘层设置于第3电极与第6部分区域之间。
电极半导体装置绝缘层电连接制造

[发明专利]半导体发光元件-CN201510507533.3在审
发明人：田岛纯平;大野浩志;伊藤俊秀;上杉谦次郎;布上真也 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-08-18 - 公布日： 2016-03-09 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：半导体发光元件包括基体、第一半导体层、第二半导体层、第一发光层、第一导电层、第三半导体层、第四半导体层、第二发光层、第二导电层、第一部件和第二部件。所述第一部件包括第一端部和第二端部。第一端部定位在基体与第一导电层之间并且电连接于第一导电层，第二端部不与第二导电层重叠。第二部件包括第三端部和第四端部。第三端部定位在基体与第二导电层之间并且电连接于第二导电层。第四端部电连接于第二端部。
半导体发光元件