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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装-CN202211246735.3在审
发明人：崔洛俊;金炳祚;吴炫智;丁星好 -专利权人：苏州立琻半导体有限公司
申请日： 2017-09-13 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种半导体器件和包括其的半导体器件封装，该半导体器件包括：发光结构，发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和有源层，有源层设置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间；第二导电半导体层具有范围为1：1.25至1：100的第二最短距离W2与第一最短距离W1的比率，第二最短距离W2是从第一表面到第二点的距离，第一最短距离W1是从第一表面到第一点的距离；第一表面为第二半导体层的远离有源层的表面；第一点是第二导电半导体层的铝成分与有源层的最靠近第二导电半导体层的阱层的铝成分相同的点；并且第二点是第二导电半导体层具有与铝成分相同的掺杂剂成分的点。
半导体器件包括封装

[发明专利]半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装-CN202211246664.7在审
发明人：崔洛俊;金炳祚;吴炫智;丁星好 -专利权人：苏州立琻半导体有限公司
申请日： 2017-09-13 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种半导体器件和包括其的半导体器件封装，该半导体器件包括：发光结构，发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和有源层，有源层设置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间；第二导电半导体层具有范围为1：1.25至1：100的第二最短距离W2与第一最短距离W1的比率，第二最短距离W2是从第一表面到第二点的距离，第一最短距离W1是从第一表面到第一点的距离；第一表面为第二半导体层的远离有源层的表面；第一点是第二导电半导体层的铝成分与有源层的最靠近第二导电半导体层的阱层的铝成分相同的点；并且第二点是第二导电半导体层具有与铝成分相同的掺杂剂成分的点。
半导体器件包括封装

[发明专利]半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装-CN202211246713.7在审
发明人：崔洛俊;金炳祚;吴炫智;丁星好 -专利权人：苏州立琻半导体有限公司
申请日： 2017-09-13 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种半导体器件和包括其的半导体器件封装，该半导体器件包括：发光结构，发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和有源层，有源层设置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间；第二导电半导体层具有范围为1：1.25至1：100的第二最短距离W2与第一最短距离W1的比率，第二最短距离W2是从第一表面到第二点的距离，第一最短距离W1是从第一表面到第一点的距离；第一表面为第二半导体层的远离有源层的表面；第一点是第二导电半导体层的铝成分与有源层的最靠近第二导电半导体层的阱层的铝成分相同的点；并且第二点是第二导电半导体层具有与铝成分相同的掺杂剂成分的点。
半导体器件包括封装

[发明专利]半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装-CN202211245094.X在审
发明人：崔洛俊;金炳祚;吴炫智;丁星好 -专利权人：苏州立琻半导体有限公司
申请日： 2017-09-13 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种半导体器件和包括其的半导体器件封装，该半导体器件包括：发光结构，发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和有源层，有源层设置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间；第二导电半导体层具有范围为1：1.25至1：100的第二最短距离W2与第一最短距离W1的比率，第二最短距离W2是从第一表面到第二点的距离，第一最短距离W1是从第一表面到第一点的距离；第一表面为第二半导体层的远离有源层的表面；第一点是第二导电半导体层的铝成分与有源层的最靠近第二导电半导体层的阱层的铝成分相同的点；并且第二点是第二导电半导体层具有与铝成分相同的掺杂剂成分的点。
半导体器件包括封装

[发明专利]半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装-CN202211246672.1在审
发明人：崔洛俊;金炳祚;吴炫智;丁星好 -专利权人：苏州立琻半导体有限公司
申请日： 2017-09-13 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种半导体器件和包括其的半导体器件封装，该半导体器件包括：发光结构，发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和有源层，有源层设置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间；第二导电半导体层具有范围为1：1.25至1：100的第二最短距离W2与第一最短距离W1的比率，第二最短距离W2是从第一表面到第二点的距离，第一最短距离W1是从第一表面到第一点的距离；第一表面为第二半导体层的远离有源层的表面；第一点是第二导电半导体层的铝成分与有源层的最靠近第二导电半导体层的阱层的铝成分相同的点；并且第二点是第二导电半导体层具有与铝成分相同的掺杂剂成分的点。
半导体器件包括封装

[发明专利]半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装-CN201780056302.2有效
发明人：崔洛俊;金炳祚;吴炫智;丁星好 -专利权人：苏州立琻半导体有限公司
申请日： 2017-09-13 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：一个实施例公开了一种半导体器件和一种包括该半导体器件的半导体器件封装，该半导体器件包括：发光结构，包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和设置在第一和第二导电半导体层之间的有源层；与第一导电半导体层电连接的第一电极；以及与第二导电半导体层电连接的第二电极，其中第二导电半导体层包括第二电极被设置在其上的第一表面并且具有从第一表面到第二点的第二最小距离W2与从第一表面到第一点的第一最小距离W1的比率(W2：W1)1：1.25至1：100，分别地，第一点是具有与有源层的最靠近第二导电型半导体层的阱层的铝成分相同成分的点，第二点是第二导电半导体层的铝成分和掺杂剂成分相同的点。
半导体器件包括封装

[发明专利]发光器件和包括发光器件的发光器件封装-CN201610183343.5有效
发明人：徐在元;李尚烈;丁星好;崔珍炯 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2016-03-28 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：公开了一种发光器件和发光器件封装。发光器件包括：衬底；发光结构，布置在衬底下方并包括第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层；第一绝缘层，配置为暴露第二导电半导体层并布置在发光结构的下边缘上；第一透光电极层，布置在第一绝缘层所暴露的第二导电半导体层下方；第二透光电极层，布置在第一绝缘层和第一透光电极层下方；以及反射层，布置在第二透光电极层下方。
发光器件包括封装

[发明专利]发光器件封装和包括该发光器件封装的照明设备-CN201610109347.9有效
发明人： 丁星好;任范镇;李尚烈 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2016-02-26 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：公开了一种发光器件封装和照明设备。所述发光器件封装包括：衬底；发光结构，布置在所述衬底的下方并且包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；第一电极，被连接至通过至少一个接触孔暴露的所述第一导电型半导体层；第二电极，被连接至所述第二导电型半导体层；第一绝缘层，被布置为从所述发光结构的下方延伸至在所述发光结构的一侧与所述第一电极之间的空间并且被配置为反射光；以及反射层，布置在所述第一绝缘层的下方。
发光器件封装包括照明设备

[发明专利]发光器件和发光器件封装-CN201680018542.9有效
发明人：李尚烈;金会准;丁星好 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2016-03-16 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：在实施例中，一种发光器件包括：基板；置放在基板上并且包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的发光结构；分别地连接到第一和第二导电半导体层的第一和第二电极；分别地连接到第一和第二电极的第一和第二结合焊盘；以及置放在第一结合焊盘和第二电极之间以及在第二结合焊盘和第一电极之间的绝缘层。第一电极的第一厚度可以是置放在第二结合焊盘和第一电极之间的绝缘层的第二厚度的1/3或者更小。
发光元件封装

[发明专利]发光器件和具有该发光器件的发光器件封装-CN201410512828.5有效
发明人： 丁星好;成演准;宋炫暾 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2014-09-29 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开一种发光器件和具有该发光器件的发光器件封装，所述发光器件包括：半导体结构层，包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层上的有源层和布置在所述有源层上的第二导电半导体层；以及多个下折射层，布置在所述半导体结构层的外表面上。所述下折射层包括在所述半导体结构层的表面上，具有低于所述半导体结构层的折射率的第一折射率的第一下折射层；以及在所述第一下折射层的外表面上具有低于所述第一折射率的第二折射率的第二下折射层，所述第二下折射层的所述第二折射率为1.5或更小，所述第二下折射层在其外表面上布置有多个突起，以及所述第二下折射层包括多个金属氧化物粉末。本发明的发光器件可以提高外部量子效率。
发光器件具有封装

[发明专利]发光二极管-CN201680040260.9在审
发明人：成演准;丁星好 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2016-07-07 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H01L33/54 文献下载
摘要：根据本发明的发光二极管包括包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的发光结构；保护发光结构的钝化层；以及在发光结构上的在发光结构和钝化层之间形成的金属层，其中钝化层和金属层之间的距离比钝化层的厚度大4到12倍。
发光二极管

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