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[发明专利]半导体结构及半导体结构的形成方法-CN202310882446.0在审
发明人：李新宇;叶鹏辉;丁帼君;姜清华 -专利权人：常州承芯半导体有限公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，结构包括：衬底；位于所述衬底上的电感结构，所述电感结构包括若干层分立的金属层，若干层所述金属层沿垂直于衬底表面的方向堆叠，若干层所述金属层相连，构成具有两个端口的导电通路。所述电感结构沿垂直于衬底表面的方向上形成，能够缩小电感结构占用衬底表面的面积。
半导体结构形成方法

[发明专利]掩膜版图的形成方法、存储介质及终端-CN202310874635.3在审
发明人： 丁帼君;李新宇;赵亚楠;姜清华 -专利权人：常州承芯半导体有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G03F1/38 文献下载
摘要：一种掩膜版图的形成方法、存储介质及终端，其中形成方法包括：建立直径尺寸为的晶圆图形；调入基础曝光区域图形；获取基础曝光区域图形的宽度尺寸和长度尺寸；根据晶圆图形的直径尺寸、基础曝光区域图形的宽度尺寸和长度尺寸，获取掩膜版图沿第一方向和第二方向所需的基础曝光区域图形的第一数量和第二数量；将基础曝光区域图形沿第一方向进行第一数量、以及沿第二方向进行第二数量的阵列处理，形成掩膜版图。通过自动化的建立晶圆圆形、以及自动化的计算出第一数量和第二数量，能够有效解决手动绘制圆形过程中所带来的繁琐性问题，而且还能够有效避免人为计算出现的错误，有效提高掩膜版图的设计效率和准确性。
版图形成方法存储介质终端

[发明专利]掩膜版及晶圆的曝光方法-CN202310872604.4在审
发明人：姜清华;高谷信一郎;李新宇;丁帼君 -专利权人：常州承芯半导体有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G03F1/38 文献下载
摘要：一种掩膜版及晶圆的曝光方法，其中曝光方法包括：提供晶圆，所述晶圆对应有若干曝光区域；提供原始掩膜版，所述原始掩膜版包括公共区、增补区和监控区，所述监控区的掩膜图形用于在所述晶圆中形成工艺控制监控的结构；对各个所述曝光区域进行逐次曝光处理，且在曝光处理过程中，部分所述曝光区域基于所述监控区进行曝光处理。在曝光过程中，通过在部分所述曝光区域基于所述监控区进行曝光处理，以减少在所述晶圆中形成工艺控制监控的结构的数量，进而减少占用形成实际出货芯片的区域，以增加所述晶圆的芯片产出数量。
掩膜版曝光方法

[发明专利]对位标识的对位坐标获取方法、存储介质及终端-CN202310679479.5在审
发明人：李新宇;丁帼君;赵亚楠;姜清华 -专利权人：常州承芯半导体有限公司
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：一种对位标识的对位坐标获取方法、存储介质及终端，其中对位标识的对位坐标获取方法包括：提供顶层版图；从所述顶层版图中确定对位标识图形，并通过选取边框将所述对位标识图形进行框选；获取所述选取边框的若干边框节点坐标；定义若干坐标变量，并将所述选取边框中每个所述边框节点坐标的横坐标和纵坐标的值赋予对应的所述坐标变量；根据若干所述坐标参量获取所述对位标识图形的对位坐标。通过自动化的获取所述顶层版图中所述对位标识图形的所述对位坐标，能够解决手动提取所述对位坐标所带来的偏差和繁琐性问题，能够有效提高获取所述对位坐标的准确性和效率。
对位标识坐标获取方法存储介质终端

[发明专利]异质结双极型晶体管及异质结双极型晶体管的形成方法-CN202310885002.2在审
发明人：姜清华;赵亚楠;丁帼君;吴炫聪 -专利权人：常州承芯半导体有限公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种异质结双极型晶体管及其形成方法，结构包括：衬底，在第一方向上依次包括第一区、第二区和第三区，所述第二区位于所述第一区和所述第三区之间，所述第一方向平行于衬底表面；位于所述衬底上的集电层；位于所述第一区和第二区的集电层上的基层；位于所述第一区的基层上的发射层；位于所述衬底上的导电结构，所述导电结构包括第一导电层、第二导电层及第三导电层,所述第一导电层、所述第二导电层和所述第三导电层的结构及厚度相同；所述第三导电层位于所述第三区，与所述集电层电性连接；所述第二导电层位于所述第二区，与所述基层电性连接；所述第一导电层位于所述第一区，与所述发射层电性连接。所述结构的形成过程使用的光罩数量减少。
异质结双极型晶体管形成方法

[发明专利]垂直腔面发射激光器及其形成方法-CN202310574144.7在审
发明人：姜清华;丁帼君;叶鹏辉;吴炫聪 -专利权人：常州承芯半导体有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01S5/125 文献下载
摘要：一种垂直腔面发射激光器及其形成方法，方法包括：提供衬底，衬底包括器件区和环绕所述器件区的第一隔离区，器件区包括发射区和环绕所述发射区的第二；在衬底表面依次形成第一反射镜结构、有源层、至少两层重叠的第二反射镜结构以及位于相邻第二反射镜结构之间的透光材料层以及第一钝化层；在第二隔离区上形成第二凹槽，第二凹槽底部暴露出所述第一反射镜结构；在第一隔离区上形成第一凹槽，第一凹槽暴露出衬底表面，第二凹槽的深度小于第一凹槽的深度；在第一隔离区上的第一钝化层内形成切割凹槽，第一凹槽位于切割凹槽和第二凹槽之间。第一凹槽能阻挡切割时产生的微裂纹扩展至发射区，避免切割时产生微裂纹对器件性能带来不良影响。
垂直发射激光器及其形成方法

[实用新型]一种异质结双极晶体管结构-CN202223320712.0有效
发明人： 丁帼君;赵亚楠;姜清华;黄玺 -专利权人：常州承芯半导体有限公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：一种异质结双极晶体管结构，包括：衬底；金属层，位于所述衬底上；集电层，位于所述金属层上；若干集电极，位于所述金属层上，所述金属层与若干所述集电极电连接；基极层，位于所述集电层上；基极电极，嵌入所述基极层；发射层，位于所述基极层上；以及发射电极，位于所述发射层上。上述方案可以在减小HBT尺寸的情况下，实现多个集电极之间的电流流通。
一种异质结双极晶体管结构

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202211595421.4在审
发明人：李新宇;丁帼君;姜清华;黄玺 -专利权人：常州承芯半导体有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其形成方法，所述半导体器件包括：衬底、位于所述衬底上的集电层、位于所述集电层上的基极层及位于所述基极层上的发射层；其中，所述集电层、所述基极层及所述发射层包括掺杂的离子；介质层，覆盖第一共用层，所述第一共用层为所述集电层、所述基极层和所述发射层其中之一；电阻层，位于所述介质层上；第一连接部，所述第一连接部的一端与所述电阻层的一端电连接，所述第一连接部的另一端与所述第一共用层电连接。使用上述技术方案能够在半导体器件单位面积内形成电阻值更大的电阻，以缩小半导体器件的面积。
半导体器件及其形成方法

[实用新型]垂直腔面发射激光器-CN202221138577.5有效
发明人：姜清华;黄玺;叶鹏辉;丁帼君 -专利权人：常州承芯半导体有限公司
申请日： 2022-05-12 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01S5/028 文献下载
摘要：一种垂直腔面发射激光器，包括：衬底；位于衬底上的第一反射镜结构；位于第一反射镜结构上的有源层；位于有源层上至少两层的第二反射镜结构；位于第二反射镜结构和第一发射镜结构顶部上的第一钝化层；位于第一钝化层上的第二钝化层；位于第一钝化层和第二钝化层内的第一电极层，第一电极层与第二反射镜结构电连接；位于第一钝化层内的第二电极层，第二电极层与第一反射镜结构电连接；位于第一钝化层和第二钝化层之间的下极板，下极板与第二电极层电连接；位于第二钝化层上的上极板，上极板与第一电极层电连接。通过上极板、下极板和第二钝化层形成电容器。当断电之后存储在电容器内的电荷还能够对有源层放电，起到延时发光的功能。
垂直发射激光器

[发明专利]垂直腔面发射激光器及其形成方法-CN202210820979.1在审
发明人：姜清华;黄玺;俞洁;丁帼君 -专利权人：常州承芯半导体有限公司
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：一种垂直腔面发射激光器及其形成方法，垂直腔面发射激光器包括：柔性衬底；位于柔性衬底表面的第一反射镜结构；位于第一反射镜结构上的有源层；位于有源层表面的至少两层重叠的第二反射镜结构，所述第二反射镜结构的导电类型与第一反射镜结构的导电类型相反；位于相邻两层第二反射镜结构之间的挡光层和透光层，所述挡光层位于透光层的两侧；位于所述第二反射镜结构内、所述有源层内和所述第一反射镜结构内的凹槽，所述凹槽暴露出所述挡光层侧壁表面。所述垂直腔面发射激光器可柔性折叠，能够节省体积。
垂直发射激光器及其形成方法

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