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[发明专利]一种高频率柱晶-CN201610763307.6在审
发明人：林家海 -专利权人：浙江一晶电子科技有限公司
申请日： 2016-08-29 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： H03H9/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种高频率柱晶，包括晶片、玻璃珠、外壳和引线，所述晶片设置于玻璃珠上，与引线连接固定，所述外壳罩于玻璃珠外端，所述晶片设置为上端分叉的音叉片结构，采用ST切型切割，晶片表面附着旋转式电极。本发明产品通过采用独特的ST切型，保留传统的音叉结构，利用旋转式电极促使其让晶片顺利起振，扭曲式振动方式最大实现了音叉晶体常规所无法达到的频率，大幅降低使用进口产品和使用倍频电路的成本。
一种频率

[发明专利]一种具有低插入损耗的MEMS压电谐振器-CN201510873190.2在审
发明人：鲍景富;李昕熠;张超;秦风;鲍飞鸿;张翼 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-12-03 - 公布日： 2016-03-09 - 主分类号： H03H9/24 文献下载
摘要：本发明属于射频通信及微机电系统中的元器件技术领域，涉及一种具有低插入损耗的MEMS压电谐振器，该谐振器采用叉指形状的输入、输出换能电极，使得谐振块上施加的驱动力分布更加均匀，解决了由于宽度增加带来的电极换能器应力分布不均匀的问题，包括基底、支撑台、谐振块、支撑梁，所述谐振块上设置压电薄膜，压电薄膜上设置输入、输出换能电极，输入、输出换能电极通过位于支撑梁上的金属走线与位于支撑台上的外部互连金属区连接导通，其特征在于，所述输入、输出换能电极呈叉指形状分布。本发明压电谐振器，在谐振频率不改变的情况下，通过增加谐振块的宽度w来减小动态阻抗R、并提升品质因数，进而大大降低谐振器的插入损耗。
一种具有插入损耗 mems 压电谐振器

[发明专利]环形检测电极面内伸缩谐振器设计及其制备方法-CN201510810985.9在审
发明人：张萌;宁瑾;司朝伟;韩国威;赵永梅 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2015-11-20 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： H03H9/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种环形检测电极面内伸缩谐振器及其制备方法。所述谐振器包括：依次生长在衬底上的下电极缓冲层、下电极层、压电层、绝缘保护层和上电极层，该面内伸缩谐振器的主体结构包括通过中间的耦合梁连接的圆形平板驱动单元和检测单元，驱动单元从底部依次包括圆形下电极、压电薄膜层以及上面覆盖的圆形上电极层，检测单元从底部依次包括环形下电极层、压电薄膜层以及上面覆盖的环形上电极层，驱动单元和检测单元之间的耦合梁没有上电极层，所述主体结构的整体的外侧通过锚点两端固定连接在衬底上；所述主体结构下方的衬底通过背面刻蚀形成悬空结构。
环形检测电极伸缩谐振器设计及其制备方法

[发明专利]微机械硅谐振器的温度补偿结构及制作方法-CN201510780724.7在审
发明人：熊斌;冯端;徐德辉;马颖蕾;陆仲明;王跃林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2015-11-13 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： H03H9/24 文献下载
摘要：本发明提供一种微机械硅谐振器的温度补偿结构及其制作方法，包括微机械谐振器结构；设有空腔并用于支撑所述微机械谐振器结构的底层基底以及位于所述微机械谐振器结构与所述底层基底之间的绝缘层；所述微机械谐振器结构包括具有第一温度系数的结构层，所述结构层上具有周期分布的凹槽；填充满所述凹槽的具有第二温度系数的补偿材料；所述第一温度系数和所述第二温度系数相反。本发明通过在微机械振动谐振器中引入结构材料温度系数相反的另一种材料来对其进行温度补偿，能够有效控制谐振器的温度漂移；采用该温度补偿结构，可以大大提高微机械谐振器的温度稳定性，同时减少外部补偿电路的复杂性。
微机谐振器温度补偿结构制作方法

[发明专利]用于调谐谐振频率的装置和方法-CN201380076480.3在审
发明人： M·沃蒂莱宁 -专利权人：诺基亚技术有限公司
申请日： 2013-03-11 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： H03H9/24 文献下载
摘要：公开了用于调谐谐振频率的各种装置和方法。在一些实施例中，提供了一种装置(200)，该装置包括用于接收射频信号的至少一个输入电极(202、204)；石墨烯箔(210)，其用于将所述射频信号的至少一部分转变成机械能；至少一个介电支撑单元(212)，其支撑所述石墨烯箔(210)以及间隔开所述至少一个输入电极(202、204)和所述石墨烯箔(210)。所述石墨烯箔(210)具有压电性能。在一些实施例中，提供了一种方法，所述方法包括：由装置(200)的至少一个输入电极(202、204)接收射频信号；向装置(200)提供用于对装置(200)的谐振频率进行调谐的偏置电压；以及由具有压电性能的石墨烯箔(210)将射频信号的至少一部分转变成机械能。
用于调谐谐振频率装置方法

[发明专利]振荡电路、振荡器及其控制方法、电子设备、移动体-CN201510107972.5在审
发明人：渡边徹;二村良彦 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2015-03-12 - 公布日： 2015-10-14 - 主分类号： H03H9/24 文献下载
摘要：提供振荡电路、振荡器及其控制方法、电子设备、移动体，即使在低电压下也能够进行振荡动作。振荡电路(1)构成为具有：电压生成部(10)，其具有接受脉冲信号(Vp)的提供而进行动作的升压电路(11)，并将使所输入的基准电压(Vref)升压而生成的偏置电压(Vb)输出到振子(100)；时钟脉冲信号生成部(20)，其生成并输出时钟脉冲信号(Vcp)；以及开关部(30)，其在第1状态和第2状态之间切换，在第1状态中，将时钟脉冲信号(Vcp)作为向升压电路(11)输入的脉冲信号(Vp)，在第2状态中，将从振子(100)振荡出的信号(Vosc)作为所述脉冲信号(Vp)。
振荡电路振荡器及其控制方法电子设备移动

[发明专利]一种利用双谐振单元抵消馈通量的MEMS压电谐振器-CN201510206387.0在审
发明人：鲍景富;李昕熠;张超;黄裕霖;陈兆隽;秦风;安佳琪;张翼 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-04-28 - 公布日： 2015-08-05 - 主分类号： H03H9/24 文献下载
摘要：本发明属于微机械系统(MEMS)器件设计制造领域，提出了一种降低馈通电容影响的MEMS压电谐振器，包括差分输入/输出结构和两个MEMS压电谐振单元；其特征在于，所述两个MEMS压电谐振单元中，一个在硅基底及二氧化硅绝缘层上对应于振动块和支撑梁的位置刻蚀有空腔，另一个未开设有空腔。与传统的MEMS谐振器相比，该结构通过引入差分输入/输出结构，使两个谐振器的馈通信号在输出端实现相减进而产生抵消作用，从而实现降低馈通电容影响的作用，提高谐振器的能量转换效率，使其具有更好的选频特性，并抑制谐振器的输出杂散。
一种利用谐振单元抵消通量 mems 压电谐振器

[实用新型]MEMS谐振器-CN201420148846.5有效
发明人：何昭文 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-03-28 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H03H9/24 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种MEMS谐振器，所述MEMS谐振器包括：锚部；围绕所述锚部，并且与所述锚部连接的质量块，所述质量块中开设有多个孔径；及围绕所述质量块，并且与所述质量块具有一定间隙的电极。在本实用新型提供的MEMS谐振器中，所述MEMS谐振器的频率可由质量块中开设的多个孔径予以改变。由此当需要不同频率的MEMS谐振器时，只需选取不同数量/大小的孔径即可，即通过改变MEMS谐振器的设计结构即可实现。相对于现有技术中，要得到不同频率的MEMS谐振器需要对MEMS谐振器的制造工艺做出改变而言，通过本实用新型的MEMS谐振器更加易于得到不同的频率。
mems 谐振器

[发明专利]单片体MEMS设备-CN201410247050.X在审
发明人：艾曼纽尔·P·奎芙;丹尼尔·N·小库瑞 -专利权人：硅谷实验室公司
申请日： 2014-06-05 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H03H9/24 文献下载
摘要：一种以减少或消除应变从基板至结构的传递方式机械锚定悬浮电极的MEMS结构的技术将MEMS设备从应变源解耦，悬浮电极以一方式机械锚定，该方式减少或消除应变从基板至结构的传递，或应变至电极和主体的传递以使得变换器为耐应变。该技术包括使用嵌入至传导结构材料中的电绝缘材料以用于机械地耦合和电绝缘。
单片 mems 设备

[发明专利]基于绝缘材料振动块的MEMS谐振器-CN201410439227.6在审
发明人：鲍景富;李昕熠;王秋苹;黄裕霖 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-08-29 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： H03H9/24 文献下载
摘要：基于绝缘材料振动块的MEMS谐振器，属于电子科学技术领域。包括一个绝缘材料振动块，振动块采用四个支撑锚点架空于基片上，任意两个支撑锚点之间的振动块侧边沉积导电材料形成换能电容内电极，四个支撑锚点上分别具有一个直流驱动电压输入端，四个输入输出端口分别通过一段导电材料与一个换能电容外电极相连。本发明采用绝缘材料制作振动块，使得谐振器输入的电信号无法直接经由直通电容而传输至输出端，而是经过电-机-电的转换过程，从而尽量降低了直通电容的影响，提高了谐振器的能量转换效率，使其具有更好的选频特性，并抑制谐振器的输出杂散。同时，每个谐振器换能电容内电极具有单独的驱动电压，使得驱动电压分布更均匀。
基于绝缘材料振动 mems 谐振器

[实用新型]一种电极横向可动的微机械圆盘谐振器-CN201420183493.2有效
发明人：董林玺;俞权 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2014-04-15 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H03H9/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电极横向可动的微机械圆盘谐振器。其中振动圆盘由底面锚支撑，并在圆盘上方设置偏置电压焊点。输入输出电极上方分别引入交流电压焊点和交流电流焊点。输入输出电极另一端连接一个矩形电极杆，并连接到由点状支承固定的矩形弹性臂。矩形弹性臂和点状支承之间由电极臂连接。矩形弹性臂和电极臂表面设置电绝缘层二氧化硅，并在上方铺上金属导线。采用外部金丝球焊技术用金线将金属导线两端的驱动电流焊点连接到封装管壳引脚上，并接入恒流源。本实用新型通过安培力的作用，使电极产生固定的横向移动，优化了电极结构。通过横向可动电极，弥补了工艺误差导致的两端电极间隙不匹配，从而降低运动电阻，提高谐振器性能。
一种电极横向微机圆盘谐振器

[发明专利]横截面扩张模式共振器-CN201280048214.5有效
发明人：左诚杰;长汉·运;智升·罗;卫斯里·纳桑尼尔·艾伦;马里奥·弗朗西斯科·韦莱兹;龙海·金 -专利权人：高通MEMS科技公司
申请日： 2012-09-20 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H03H9/24 文献下载
摘要：本发明揭示机电系统扩张模式共振器DMR结构。所述DMR包含第一电极层、第二电极层及由压电材料形成的压电层。所述压电层具有包含以下各项的尺寸：在X轴与垂直于所述X轴的Y轴的平面中的横向距离D以及沿垂直于所述X轴及所述Y轴的Z轴的厚度T。所述厚度与所述横向距离的数值比T/D经配置以响应于提供到所述电极中的一者或一者以上的信号而提供所述压电层的具有沿所述Z轴及沿所述X轴与所述Y轴的所述平面的位移的振动模式。梯式滤波器电路可构造有DMR作为串联及/或分路元件，且所述共振器可具有螺旋配置。
横截面扩张模式共振器

[实用新型]一种低热弹性阻尼扭转式微机电谐振器件-CN201420001856.6有效
发明人：李普;方玉明;台永鹏 -专利权人：东南大学
申请日： 2014-01-02 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H03H9/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低热弹性阻尼扭转式微机电谐振器件，包括基底、设置在基底上的低热弹性阻尼结构、驱动电极和感应电极，以及由低热弹性阻尼结构支撑的扭转平板，低热弹性阻尼结构包括位于同一轴线上的、具有矩形截面的第一扭转支撑梁和第二扭转支撑梁，扭转平板能够绕第一扭转支撑梁和第二扭转支撑梁所在的轴线旋转，驱动电极和感应电极对称设置在低热弹性阻尼结构的轴线两侧，第一扭转支撑梁和第二扭转支撑梁的矩形截面的长边垂直于基底。本实用新型中扭转支撑梁横截面的长边保持垂直于基底平面，此时产生的热弹性阻尼是小于长边水平放置，尤其是高频时，热弹性阻尼明显下降。
一种低热弹性阻尼扭转式微机电谐振器件

[实用新型]具有无热弹性阻尼结构扭转微机电谐振器件-CN201420000914.3有效
发明人：李普;方玉明;台永鹏 -专利权人：东南大学
申请日： 2014-01-02 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H03H9/24 文献下载
摘要：本实用新型公布了一种具有无热弹性阻尼结构扭转微机电谐振器件，包括基底、设置在基底上的第一驱动电极、第二驱动电极、感应电极、位于同一轴线上的第一扭转支撑梁和第二扭转支撑梁，以及由第一扭转支撑梁和第二扭转支撑梁共同支撑的扭转平板。扭转平板能够绕第一扭转支撑梁和第二扭转支撑梁所构成的扭转轴线旋转，第一驱动电极和第二驱动电极设置在扭转轴线的同一侧，感应电极设置在扭转轴线的另一侧，第一扭转支撑梁和第二扭转支撑梁的横向截面积相等。本实用新型的微机电谐振器件中，驱动电极能产生纯扭转力矩，纯扭转力矩引起纯扭转变形，纯扭转变形不产生热弹性阻尼。
有无弹性阻尼结构扭转微机谐振器件

[发明专利]振子以及电子设备-CN201310566481.8在审
发明人：木原龙儿;矢岛有继 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2013-11-14 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H03H9/24 文献下载
摘要：本发明提供振子以及电子设备。作为课题，提供了如下这样的振子：其能够进一步小型化，并且振动泄漏少，能够在制造工序中不导致可动电极产生粘连的情况下，稳定地进行制造。MEMS振子（100）具有：基板（1）；固定部（23），其设置在基板（1）的主面上；从固定部（23）延伸出的支撑部（22）；以及上部电极（21）（振动体），其以与基板（1）相离的方式被支撑部（22）支撑，上部电极（21）在由于从上部电极（21）的周缘部朝向上部电极（21）的中央部形成的缺口部（30）而露出的上部电极（21）的侧面部中的、从所述中央部面向所述周缘部的方向的侧面（31）上具有被连接部，被连接部与支撑部（22）相连。
以及电子设备