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- [发明专利]一种低噪声高稳定度晶体振荡器-CN202310579862.3在审
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刘惠光;王淦;张晓
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深圳市晶科鑫实业有限公司
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2023-05-19
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2023-08-22
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H03B1/04
- 本发明涉及晶体振荡器技术领域，公开的一种低噪声高稳定度晶体振荡器，包括陶瓷罩壳、设于陶瓷罩壳内的恒温罩壳、设于陶瓷罩壳外的降噪罩壳；陶瓷罩壳包括设有若干根导电引脚的陶瓷底座、安装于陶瓷底座表面的陶瓷腔盖；恒温罩壳包括恒温底座、安装于恒温底座顶部的恒温腔盖；恒温底座表面设有集成电路板、温控电路板、石英晶片、振荡器电路板；石英晶片内嵌有总成电极，集成电路板、温控电路板、石英晶片和振荡器电路板均设于恒温罩壳内腔，恒温底座和恒温腔盖是由真空的双层隔热板组合而成。本申请具有改善晶体振荡器工作产生的噪声和晶体的振荡受温度的改变而容易变化的效果。
- 一种噪声稳定晶体振荡器
- [发明专利]一种振荡器自我锁定电路-CN202310469439.8在审
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张峻荣
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深圳市极致汇仪科技有限公司
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2023-04-24
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2023-08-04
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H03B1/04
- 一种振荡器自我锁定电路包括：克拉泼振荡电路、与克拉泼振荡电路连接的相移器、与克拉泼振荡电路连接的并进行最终频率输出的隔直电容C0，克拉泼振荡电路包括：振荡器的LC谐振器、三极管Q1，相移器包括：与振荡器的LC谐振器连接的电感SL2、与电感SL2连接的电感SL1、一端接入电感SL2与电感SL1的公共端的可调电容SC1，相移器从克拉泼振荡电路中取得振荡器的振荡信号经过相位变化后，反馈到述振荡器的LC谐振器中；上述振荡器自我锁定电路利用注入锁定、相移器对固定频率的固定相移，通过电路的结构巧妙结合，实现振荡器的自我锁定自我稳定，从而达到电路简单、成本低、体积小、工作温宽大的优势特点。
- 一种振荡器自我锁定电路
- [发明专利]一种VCO幅度校准电路-CN202310426657.3在审
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杨俊浩;赵子露;秦战明;张沁枫
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中国电子科技集团公司第五十八研究所
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2023-04-20
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2023-07-28
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H03B1/04
- 本发明公开一种VCO幅度校准电路，属于集成电路芯片领域，包括选择器、幅度检测模块、幅度比较器、数字状态机、数控电流源和幅度控制模块；所述选择器、幅度检测模块、幅度比较器、数字状态机、数控电流源、幅度控制模块依次相连构成幅度校准电路；所述选择器输入连接至VCO的输出端，所述幅度控制模块输出连接至压控振荡器交叉耦合管的基极构成整个环路。本发明取代传统尾电流管电流控制策略，采用电流复制的方式对谐振腔电流进行控制，消除了尾电流管对于输出幅度的限制；尾电感与尾电容谐振在二次谐波频率处避免二次谐波能量损耗造成的Q值退化和相噪恶化，因此本发明可实现较好相位噪声水平与较大输出摆幅情况下的快速稳定校准。
- 一种vco幅度校准电路
- [发明专利]一种多核振荡电路及振荡器-CN202310125843.3在审
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詹祥勋;殷俊;麦沛然;马许愿
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澳门大学
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2023-02-16
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2023-05-23
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H03B1/04
- 本申请提供一种多核振荡电路及振荡器，涉及振荡器技术领域。该多核振荡电路包括N个振荡内核、N个第一电感、2N个第二电感。每个振荡内核的第一电压端通过一个第一电感与一个相邻振荡内核的第二电压端连接，每个振荡内核的第二电压端还通过一个第一电感与另一个相邻振荡内核的第一电压端连接；每个振荡内核的第三电压端通过2个第二电感与每个振荡内核的一个非相邻振荡内核的第四电压端连接，每个振荡内核的第四电压端还通过2个第二电感与的另一个非相邻振荡内核的第三电压端相连接。本申请提供的多核振荡电路，提供了一种振荡器的双路径拓扑结构，不仅抑制了多核振荡器中频率不匹配引起的相位噪声损失，还保留了环形振荡电路的高Q值优势。
- 一种多核振荡电路振荡器
- [发明专利]一种新型结构的F23类压控振荡器-CN201910840839.9有效
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康凯;周龙龙;吴韵秋;赵晨曦;刘辉华;余益明
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电子科技大学
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2019-09-06
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2023-03-24
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H03B1/04
- 本发明属于无线通信技术领域，涉及压控振荡器，具体为一种新型结构的F23类压控振荡器；用以克服传统的F23类压控振荡器调谐过于复杂、有待进一步优化的问题。本发明F23类压控振荡器包括：第一谐振腔，交叉耦合管对及第二谐振腔；本发明相对于传统结构的F23类压控振荡器结构简单；将原有的变压器替换为电感，简化了电路的复杂度，在实际使用中降低了调谐的难度，使得压控振荡器更容易处于理想工作状态；同时，采用了一种新型电感结构，可以配合电容在奇次和偶次谐波输入时呈现不同的谐振峰，且随电容变化谐振峰比例不变；另外，本发明在mos管的漏极和源极分别形成基波、二三次谐波的方法，符合F23类压控振荡器的理论基础，有效分离了基波和谐波成分。
- 一种新型结构f23压控振荡器
- [发明专利]一种小型化离散耦合多核振荡器-CN202110133881.4有效
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舒一洋;钱慧珍;罗讯
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电子科技大学
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2021-02-01
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2022-11-08
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H03B1/04
- 本发明公开了一种小型化离散耦合多核振荡器，主要解决现有技术难以实现多核集成、难以引入波形倍增，波形整形等振荡器等高性能技术且芯片尺寸较大的问题。该多核振荡器由多个LC振荡器耦合相连而成，所述LC振荡器由电感L、电容C以及有源管构成；每个电感连接的两个有源负阻之间间隔着一个有源负阻。每个电感可视为两段，一段与前一个电感相耦合，一段与后一个电感相耦合。并且该离散耦合多核振荡器不局限于2级，可任意扩展为m级n核离散耦合振荡器(mn)，离散耦合级数越高，芯片尺寸越小。通过上述设计，本发明可以使得振荡器相同芯片尺寸下，实现的电感值大大增加，换言之，对于特定频率要求，芯片尺寸能极大降低。因此，适宜推广应用。
- 一种小型化离散耦合多核振荡器
- [发明专利]一种超低相位噪声微带振荡器-CN202210837286.3在审
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肖飞;邵兰淳;杨汇峰;肖礼康;何俊岭
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电子科技大学
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2022-07-15
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2022-10-18
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H03B1/04
- 本发明提供一种具有超低相位噪声的微带振荡器，其引入一个准带通选频网络。准带通选频网络由两个四分之一波长谐振器进行源/负载直接耦合，可实现一个准二阶广义切比雪夫带通频率响应。在通带每侧各有一个传输零点，可以有效得改善频率选择性，同时有助于形成较高的群时延。此外，由于馈线的特殊构造，额外引入三个传输零点，极大得改善了带外抑制性能。实施例的测试结果表明：振荡频率为1.976GHz，输出功率为9.61dBm，相位噪声为‑129.85dBc/Hz@100kHz，带外二次谐波抑制达到了48.21dBc，在偏离载波100kHz处的振荡器品质因数为‑200.66dBc/Hz。
- 一种相位噪声微带振荡器
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