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[发明专利]一种具有耗尽型电流非注入层的激光芯片及其制备方法-CN202310680072.4有效
发明人：周少丰;丁亮;刘鹏;陈华为;曹雄 -专利权人：深圳市星汉激光科技股份有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本发明提供一种具有耗尽型电流非注入层的激光芯片，激光芯片沿着外延生长方向依次包括阴极电极、衬底层、下限制层、下波导层、量子阱有源层、上波导层、上限制层、脊波导层、阳极电极和第三电极，衬底层下方设置有阴极电极，脊波导上方设置有阳极电极，脊波导层的前端面凹进形成台阶状结构，台阶状结构上设有电流非注入层，并在电流非注入层的上方生长第三电极，电流非注入层两侧方向的上波导层与上限制层的侧面与前端面呈预设角度，以在电流非注入层两侧均形成渐变脊高结构，上述方案，通过电流非注入区两侧的上限制层，上波导层形成渐变脊高结构，使整个光场下压，远离P型层，从而减小损耗散射，减少吸收，提升器件性能。
一种具有耗尽电流注入激光芯片及其制备方法

[发明专利]一种高慢轴光束质量的宽条型大功率半导体激光器及其制备方法-CN202310633870.1在审
发明人：孙春明;任夫洋;苏建 -专利权人：山东华光光电子股份有限公司;山东芯光光电科技有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种高慢轴光束质量的宽条型大功率半导体激光器及其制备方法。所述半导体激光器的P型限制层呈脊型台状，宽条型脊条设置在P型限制层本体层上方；宽条型脊条上表面设置有欧姆接触层，欧姆接触层上表面设置有深入至P型限制层内的柱状孔；欧姆接触层上方设置有P面金属层，欧姆接触层侧表面、宽条型脊条侧表面和P型限制层本体层上表面设置有绝缘层。本发明通过在宽条型脊条边缘处制备空气柱结构，降低宽条型脊条边缘处的散热能力，降低宽条型脊条边缘处的散热效率，消除热分布不均匀问题，消除热透镜效应，降低芯片在大功率工作模式下的慢轴发散角，有效提高宽条型半导体激光器的光束质量。
一种高慢轴光束质量宽条型大功率半导体激光器及其制备方法

[实用新型]一种半导体激光器-CN202320628061.7有效
发明人：李淼;郭小峰;王卫春 -专利权人：因林光电科技（苏州）有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体激光器，包括依次层叠的N面电极、衬底、N型下包层、有源层、光栅层、P型上包层、脊波导以及P面电极；有源层为量子阱结构；所述脊波导两侧分别设置有沟槽区；沟槽区包括第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽位于量子阱结构远离N型下包层的一侧；第二凹槽位于第一凹槽内，第二凹槽为U型槽，第二凹槽贯穿量子阱结构。本实用新型实施例的技术方案，通过现有的脊波导结构之上刻蚀贯穿量子阱结构的U型槽，U型槽阻断了电流在注入量子阱结构之前的横向扩散而降低了无效的热损耗，同时由于电流密度集中而导致核心发光区的折射率变化进而导致发光更加集中，进而降低了阈值电流，提升了器件效率。
一种半导体激光器

[发明专利]具有周期性泵浦结构的表面刻蚀光栅半导体激光器-CN202111671737.2在审
发明人：吴芳;唐涌波;克里斯托·弗华生;克里欧·匹米诺夫;优瑞·罗格温 -专利权人：深圳市斑岩光子技术有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本申请涉及一种具有周期性泵浦结构的表面刻蚀光栅半导体激光器，所述结构包括依次层叠的底层掺杂介质层、多量子阱有源层、脊形掺杂介质层，以及形成于所述脊形掺杂介质层上的周期性光栅沟槽结构和与光栅沟槽之间的电接触区域形成欧姆电接触的顶面电接触层。载流子经周期性电接触层注入，流经电接触区域，到达光栅沟槽底部后横向扩散，并继续扩散至多量子阱有源层。在均匀分布时可实现基于折射率调制的激光器；在非均匀分布时，引入附加增益调制从而实现混合调制的激光器。本申请在有效提高半导体激光器的性能稳定性的前提下，降低其制造成本，并提高其良率及可靠性。
具有周期性结构表面刻蚀光栅半导体激光器

[发明专利]一种多渐变脊波导DFB激光器芯片-CN202310126502.8有效
发明人：柯程;鄢静舟;薛婷;季晓明;王坤;杨奕;吴建忠 -专利权人：福建慧芯激光科技有限公司
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种多渐变脊波导的DFB激光器芯片，其在衬底上形成至少两个激光器腔；各激光器腔沿y方向的两端面分别为HR涂层解理面和AR涂层解理面；各激光器腔沿y方向刻蚀有一呈喇叭形的脊条，脊条的窄端位于HR涂层解理面，脊条的宽端位于AR涂层解理面，由此使得脊条的等效折射率沿y方向发生变化。相对于传统多激光器腔均匀宽度脊波导的DFB激光器芯片，本发明的单模测试成本更低。本发明的相邻两激光器腔内的起始光栅之间具有△L的相对位置差，使得两激光器腔的HR涂层解理面处于不同的光栅位置，由此确保至少有一个激光器腔的HR涂层解理面在光栅处的位置处于或接近所需范围，从而使该DFB激光器芯片具有较高的SMSR，单模良率可达到100%。
一种渐变波导 dfb 激光器芯片

[发明专利]一种电加热宽调谐范围窄线宽DFB激光器及其制作方法-CN202310089224.3在审
发明人：丁振文;孙维忠;黄祝阳 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种电加热宽调谐范围窄线宽的DFB激光器及其制作方法，其结构包括DFB外延结构、负极金属、正极金属和加热电极金属，外延结构的正面设有脊波导；外延结构沿DFB激光器的腔长方向包括相移区和增益区，腔长方向的一端为反射端面，其中相移区靠近反射端面；增益区的外延结构包括光栅，相移区的外延结构不包括光栅，正极金属覆盖增益区和相移区脊波导的70％以上，加热电极金属位于相移区脊波导的一侧。本发明通过在芯片反射端引入加热电极金属，并结合部分光栅的外延设计，实现电流控制的快速且宽范围的激光器调谐，实现了精细的无跳模频率调谐的功能。
一种加热调谐范围窄线宽 dfb 激光器及其制作方法

[发明专利]一种GaN基激光二极管及其制作方法-CN202310116317.0在审
发明人：阚宏柱;李水清;王星河;张江勇;马斯特;徐浩翔;陆恩;周进泽;牧立一;韩霖 -专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本发明提出了一种GaN基激光二极管及其制作方法，所述GaN基激光二极管包括自上至下依次设置的P‑GaN层、P‑Cladding层、P‑波导层、量子阱、N‑波导层、N‑Cladding层和N‑GaN层，所述P‑GaN层位于所述P‑Cladding层中间部位并形成脊状结构，且所述脊状结构的宽度小于所述P‑Cladding层的宽度，所述P‑Cladding层上位于所述脊状结构周边区域设置有绝缘层，所述脊状结构与所述绝缘层的接触面开设有开口朝上的孔洞，所述脊状结构和孔洞上设置有导电层，所述P电极设置在所述导电层上，所述N电极设置在所述N‑GaN层上。本发明所提出的GaN基激光二极管能够形成更高的光限制效果，以满足更高的使用需求。
一种 gan 激光二极管及其制作方法

[发明专利]多光束半导体激光元件及其制造方法-CN202211374511.0在审
发明人：奥村忠嗣;坂井繁太 -专利权人：优志旺电机株式会社
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：提供多光束半导体激光元件及其制造方法，容易地或者经济地制造具有多个振荡波长的半导体激光器。在端面发射型的多光束半导体激光元件(100)中，层叠构造(130)包含基板(110)、n型覆盖层(122)、发光层(124)、p型覆盖层(126)。就层叠构造(130)而言，基板(110)与n型覆盖层(122)合在一起的高度在沿第一方向邻接的m个(m≥2)区域中不同。在m个区域中的n个(2≤n≤m)区域，形成有沿与第一方向垂直的第二方向延伸的脊条构造的n个激光谐振器(140)。
光束半导体激光元件及其制造方法

[发明专利]氮化物半导体激光元件及半导体激光装置-CN201911208715.5有效
发明人：野口哲宽;谷善彦;谷本佳美;津田有三 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2019-11-30 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：提供一种改善动作电压且可靠性高的氮化物半导体激光元件。氮化物半导体激光元件至少包括：设置在第二导电型半导体层的脊部、覆盖所述脊部的上表面与所述脊部的两个侧面的一部分的导电性氧化物层、覆盖所述导电性氧化物层的一部分的电介质层、以及覆盖所述导电性氧化物层与所述电介质层的第一金属层，所述导电性氧化物层中的层叠于所述脊部的上表面的部分自所述电介质层露出，同时被所述第一金属层覆盖。
氮化物半导体激光元件装置

[发明专利]一种太赫兹量子级联激光器脊波导刻蚀方法-CN202310240998.1在审
发明人：万文坚;曹俊诚 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01S5/227 文献下载
摘要：本发明涉及一种太赫兹量子级联激光器脊波导刻蚀方法。该方法包括：(1)提供一种太赫兹量子级联激光器材料；(2)在材料表面进行刻蚀，刻蚀出一深度和下接触层厚度相同的凹槽(7)；(3)采用配备激光干涉仪的干法刻蚀系统对材料再进行刻蚀，刻蚀出脊形结构(8)，凹槽(7)同步被刻蚀，激光干涉仪对凹槽底部进行在线检测；(4)当激光干涉仪振荡信号强度出现跳变时，凹槽(7)底部刚好被刻蚀至下接触层(4)与刻蚀停止层(3)界面，而此时脊形结构(8)两边刚好被刻蚀至多量子阱有源区(5)和下接触层(4)的界面。该方法仅通过增加一步简单的凹槽预刻蚀工艺，即可有效判断最佳刻蚀深度，提高了激光器脊波导刻蚀深度准确性。
一种赫兹量子级联激光器波导刻蚀方法

[发明专利]半导体激光二极管-CN201810915857.4有效
发明人：斯文·格哈德;克里斯托夫·艾希勒;克里斯蒂安·鲁姆博尔茨 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2018-08-13 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体激光二极管，所述半导体激光二极管具有半导体层序列，所述半导体层序列具有至少一个有源层和脊波导结构，所述脊波导结构具有脊部，所述脊部沿纵向方向从光耦合输出面延伸至后侧面并且所述脊部在垂直于纵向方向的横向方向上通过脊部侧面限界，其中脊部具有第一区域和在垂直于纵向和横向方向的竖直方向上邻接于所述第一区域的第二区域，其中脊部在第一区域中具有第一半导体材料并且在第二区域中具有至少一种与第一半导体材料不同的第二半导体材料，其中脊部在第一区域中具有第一宽度，并且其中脊部在第二区域中具有第二宽度，所述第二宽度大于第一宽度。
半导体激光二极管

[发明专利]准连续域束缚态电注入激光器结构及半导体激光器-CN202310375494.0有效
发明人：郑婉华;戴迎秋;王宇飞;傅廷;王学友;陈静瑄 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本发明提供一种准连续域束缚态电注入激光器结构及半导体激光器，涉及微纳结构及半导体激光器技术领域，准连续域束缚态电注入激光器结构包括：N面金属电极层和依次叠设于N面金属电极层表面的N型包层、有源层、P型包层、脊波导层及P面金属电极层；其中，在靠近激光器输出前端面的脊波导层的表面刻蚀有窄狭槽光栅，窄狭槽光栅的刻蚀深度不超过脊波导层的厚度；窄狭槽光栅用于基于干涉相消构造沿横向的准连续域束缚态来抑制光的横向辐射损耗。该准连续域束缚态电注入激光器结构能够提高光的输出功率，实现低阈值单模大功率输出，并且简化了制备工艺。
连续束缚态注入激光器结构半导体激光器

[实用新型]一种半导体激光器-CN202223337699.X有效
发明人：张鹏斐;张意;宣扬;骆伟;祝涛 -专利权人：华中光电技术研究所（中国船舶集团有限公司第七一七研究所）
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体激光器，该半导体激光器包括在外延结构上刻蚀的脊波导，在靠近半导体激光器背光端面位置的脊波导上刻蚀有光栅结构；光栅结构包括模式选择区光栅和位于模式选择区一侧的模式过滤区光栅；本实用新型的半导体激光器在常规的大功率半导体激光器脊波导上制备光栅，实现模式选择和过滤，模式选择区的光栅与模式过滤区的光栅可以独立优化调整，最终实现大功率单模稳定工作，无须额外配备复杂的散热装置；另外该方案的大功率单模半导体激光器的制备工艺简单、可靠性高。
一种半导体激光器

[发明专利]一种半导体激光器及其制备方法-CN202211617110.3在审
发明人：张鹏斐;张意;宣扬;骆伟;祝涛 -专利权人：华中光电技术研究所（中国船舶集团有限公司第七一七研究所）
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体激光器及其制备方法，半导体激光器包括在外延结构上刻蚀的脊波导，在靠近半导体激光器背光端面位置的脊波导上刻蚀有光栅结构；光栅结构包括模式选择区光栅和位于模式选择区一侧的模式过滤区光栅；本发明的半导体激光器在常规的大功率半导体激光器脊波导上制备光栅，实现模式选择和过滤，模式选择区的光栅与模式过滤区的光栅可以独立优化调整，最终实现大功率单模稳定工作，无须额外配备复杂的散热装置；另外该方案的大功率单模半导体激光器的制备工艺简单、可靠性高。
一种半导体激光器及其制备方法

[发明专利]一种小功率GaN激光二极管及其制作方法-CN202310130593.2在审
发明人：李水清;白怀铭;张江勇;张敏;马斯特;牧立一 -专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种小功率GaN激光二极管及其制作方法，属于激光二极管技术领域，用于解决现有激光二极管中脊的制作难度大且成本高的技术问题。本小功率GaN激光二极管在外延层上设置ITO欧姆接触层和Pd金属覆盖层的复合结构，使外延覆盖层厚度降低，降低了成本；采用ITO作为欧姆接触层，并搭配Pd金属覆盖层作为光刻掩模版，利用ITO侧蚀角度更大，结合Pd掩模，形成脊结构两侧的直角面，可以形成良好的欧姆接触以及接近垂直角的脊结构，达到较好的光学限制效果，提高产品性能；并在欧姆接触层处设置直角沟槽结构，可以提高刻蚀脊结构时刻蚀角度的直角度，进一步提高光学限制效果，并降低了直角脊结构的刻蚀难度。
一种功率 gan 激光二极管及其制作方法