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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种异质结硅磁敏三极管-CN201822197195.X有效
发明人：赵晓锋;漆园园;刘红梅;温殿忠 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01L43/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种异质结硅磁敏三极管，所述传感器包括作为器件层的第一硅片(1)和作为衬底的第二硅片(2)，其中，在所述第一硅片(1)上设置有用于检测磁场的硅磁敏三极管。本实用新型所述异质结硅磁敏三极管结构简单，实现了芯片的小型化和集成化。
磁敏三极管异质结硅片本实用新型检测磁场集成化器件层传感器衬底芯片

[发明专利]一种具有选择性滤波特性的自旋波起偏器-CN201611261990.X有效
发明人：余伟超;兰金;肖江 -专利权人：复旦大学
申请日： 2016-12-31 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： H01L43/00 文献下载
摘要：本发明属于磁性器件技术领域，具体为一种具有选择性滤波特性的自旋波起偏器。该自旋波起偏器基于具有DMI效应的反铁磁材料或人工反铁磁结构，其结构为一反铁磁纳米线，该纳米线中存在两块磁化方向相反的磁畴与介于两者之间的磁畴壁。当体系具有DMI效应时，平行于磁畴壁的线偏模式能够无反射通过，垂直于磁畴壁的线偏模式会被反射，由此对不同偏振模式自旋波的选择性过滤，达到了起偏器的效果。通过调控纳米线的排布方向以及磁畴壁在纳米线中的位置，本发明可以实现任意方向的线偏过滤。本发明结构简单，易于制备，功耗小，易与现有电子芯片技术结合，可用于有效操控自旋波的偏振特性并实现进一步的逻辑运算。
一种具有选择性滤波特性自旋波起偏器

[发明专利]磁存储器器件及其制造方法-CN201510459661.5有效
发明人：姜信在;朴钟撤;裴丙才;权载奭;申铉受 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2015-07-30 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L43/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种制造磁存储器器件的方法和磁存储器器件。所述方法可包括：在衬底上按次序形成第一磁性层、隧道势垒层和第二磁性层；在第二磁性层上形成掩模图案，以暴露出第二磁性层的一部分；在掩模图案的侧壁和第二磁性层的所述部分上形成封盖绝缘层；通过封盖绝缘层将氧离子注入到第二磁性层的所述部分中，以形成氧化物层；各向异性地蚀刻封盖绝缘层，以形成封盖间隔件；以及利用掩模图案和封盖间隔件将氧化物层、隧道势垒层和第一磁性层图案化。
磁存储器器件及其制造方法

[发明专利]一种异质结硅磁敏三极管和制作工艺方法-CN201811594928.1在审
发明人：赵晓锋;漆园园;刘红梅;温殿忠 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01L43/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结硅磁敏三极管及其制作工艺，所述传感器包括作为器件层的第一硅片(1)和作为衬底的第二硅片(2)。本发明所述异质结硅磁敏三极管结构简单，实现了芯片的小型化和集成化；所述制作工艺简单，易于实现，适合规模化工业应用。
磁敏三极管制作工艺异质结硅片工业应用规模化集成化器件层传感器衬底芯片

[发明专利]一种可重构的磁逻辑器件及其制备方法-CN201610804501.4有效
发明人：罗昭初;章晓中;卢子尧;熊成悦;孙雯 -专利权人：清华大学
申请日： 2016-09-05 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L43/00 文献下载
摘要：本发明属于自旋电子学以及器件的技术领域，尤其涉及一种可重构的磁逻辑器件及其制备方法。该磁逻辑器件包括：磁性单元和微分负电导器件；磁性单元包括3个电极，电极按一定的几何形状制作在磁性薄膜的表面；电极分为输入电极和输出电极；微分负电导器件的一端与磁性单元的输出电极连接，微分负电导器件的另一端接地。该磁逻辑器件可以在室温和低磁场下实现四种基本逻辑运算，且具有很高的输出比和低工作磁场的性能特点。该磁逻辑器件与硅基半导体工业兼容，性能突出，结构简单，原材料价格适中，且环境友好。
一种可重构逻辑器件及其制备方法

[发明专利]具有负微分电阻的磁性隧道结及包括其的自旋电子学器件-CN201510426980.6有效
发明人：姜俊;张轩;郭鹏;张晓光;韩秀峰 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2015-07-20 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： H01L43/00 文献下载
摘要：本发明涉及具有负微分电阻的磁性隧道结及包括其的自旋电子学器件。一种磁性隧道结包括：第一磁层，其具有固定磁化；第二磁层，其磁化方向能随外磁场而自由转动；以及势垒层，其由绝缘材料制成，并且被夹置在所述第一磁层和所述第二磁层之间，其中，所述势垒层具有拱形的能带曲线。所述磁性隧道结在预定的偏压范围中可以具有负微分电阻。本发明还涉及包括该磁性隧道结的振荡电路和交流放大电路。
具有微分电阻磁性隧道包括自旋电子学器件

[发明专利]一种基于铁电薄膜和自组装磁性纳米颗粒结构的微纳米磁电耦合器件-CN201610248539.8有效
发明人：刘晓燕;邸永江;李江宇;谢淑红 -专利权人：重庆科技学院
申请日： 2016-04-17 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L43/00 文献下载
摘要：本发明针对高性能微纳米磁电耦合器件不容易进行可控制备的问题，提出了一种通过压电力响应显微技术对铁电薄膜进行图形化+Z和‑Z铁电畴加工，再通过光化学沉积法在铁电畴表面极化自组装磁性金属纳米颗粒，制备出具有铁电薄膜和自组装磁性纳米颗粒结构的磁电耦合器件。该器件包括铁电薄膜层，支撑铁电薄膜的导电基底，以及在铁电薄膜层上自组装形成的磁性纳米颗粒结构。本发明利用压电力响应显微技术加工微纳米级按任意图形极化分布的PZT铁电畴，通过光化学沉积法自组装磁性金属纳米颗粒结构，生产工艺简单，适宜于微纳米磁电耦合器件的集成化制备。
一种基于薄膜组装磁性纳米颗粒结构磁电耦合器件

[发明专利]一种制造超小型磁性随机存储记忆单元的方法-CN201611191871.1在审
发明人：肖荣福;张云森 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L43/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种制造超小型磁性随机存储记忆单元的方法，首先采用刻蚀技术对记忆层进行刻蚀；在刻蚀记忆层的时候，并不完全刻蚀记忆层使之留下超薄记忆层在势垒层上；然后采用氧化工艺，对刻蚀后暴露出来的记忆层周边进行氧化。由于采用了刻蚀和氧化并用的方法，不仅缩小了记忆层的导电截面积，而且彻底消除了磁性随机存储器记忆层和参考层短路通道的形成，有利于MRAM回路磁性性能、电学性能和产品良率的提升。
记忆层刻蚀记忆单元随机存储超小型磁性随机存储器产品良率电学性能短路通道刻蚀技术氧化工艺参考层势垒层导电制造并用暴露

[发明专利]一种基于自旋波干涉及多铁性材料的逻辑器件-CN201510188999.1有效
发明人：车坪;于海明;郭玮;张学莹;张有光 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2015-04-20 - 公布日： 2017-08-15 - 主分类号： H01L43/00 文献下载
摘要：一种基于自旋波干涉及多铁性材料的逻辑器件，自旋波激发区、自旋波分频区、电场调控区、自旋波干涉区、自旋波探测区五个功能区；其基础结构和形状由自旋波传输介质构成，由于自旋波在介质中的色散关系，当外加磁场或介质内部磁性发生改变时，自旋波传输的方向及模式发生改变；本发明是一种能实现信息传输及逻辑运算的逻辑器件。因自旋波基于电子自旋，调控电压基于电场，因此都不产生电子或空穴的移动，有效地避免了电流产生的焦耳热，及漏电流带来的静态功耗问题。
一种基于自旋涉及多铁性材料逻辑器件

[实用新型]集成型磁开关-CN201621110262.4有效
发明人：陈雪平;闻永祥;刘琛;孙伟 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2016-10-10 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： H01L43/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种集成型磁开关，包括ASIC电路；形成于所述ASIC电路上的第一介质层；形成于所述第一介质层上的多个磁电阻条；形成于所述第一介质层上的第一金属层，所述第一金属层包括第一金属互连线和电极部，所述第一金属互连线连接所述多个磁电阻条以组成惠斯通电桥结构，所述电极部形成所述惠斯通电桥结构的电极；形成于所述第一介质层上的第二介质层，所述第二介质层和所述第一介质层同时露出所述部分ASIC电路，所述第二介质层还露出所述电极；及形成于所述第二介质层上的第二金属层，所述第二金属层包括第二金属互连线，所述第二金属互连线连接所述部分ASIC电路及所述电极。极大的减小所形成的集成型磁开关的体积。
集成开关

[发明专利]一种基于剪切压电效应的扭振磁电耦合器件-CN201410454375.5有效
发明人：何金良;胡军;韩金池;王善祥;余占清;曾嵘 -专利权人：清华大学
申请日： 2014-09-09 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： H01L43/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于剪切压电效应的扭振磁电耦合器件，属于多铁性功能器件技术领域。本扭振磁电耦合器件，包括紧固件、管状压电复合件和永磁体，管状压电复合件的一端与紧固件相对固定，另一端通过粘接方式与永磁体相对固定，永磁体的磁化方向与管状压电复合件的中心轴线垂直，管状压电复合件包括瓦片状压电条和薄金属电极片，瓦片状压电条和薄金属电极片相互间隔沿圆周均布，相邻两个薄金属电极片之间的极性相反。本扭振磁电耦合器件利用剪切模式压电效应实现强磁电耦合，易于小型化，具有广阔的应用前景，如磁场/电流传感器、微波换能器及能量采集等应用领域。
一种基于剪切压电效应磁电耦合器件

[发明专利]集成型磁开关及其制造方法-CN201610884916.7在审
发明人：陈雪平;闻永祥;刘琛;孙伟 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2016-10-10 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： H01L43/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种集成型磁开关及其制造方法，通过半导体工艺将磁电阻条制作于ASIC电路上，由此可以极大的减小所形成的集成型磁开关的体积。进一步的，采用剥离工艺形成第一金属层，从而有效地避开了连接孔刻蚀、连接金属淀积前的溅射刻蚀时对磁电阻条的损伤，即提高了所形成的集成型磁开关的质量与可靠性。
集成开关及其制造方法

[实用新型]基于铁电薄膜和自组装磁性纳米颗粒结构的微纳米磁电耦合器件-CN201620338942.5有效
发明人：刘晓燕;邸永江;李江宇;谢淑红 -专利权人：重庆科技学院
申请日： 2016-04-17 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： H01L43/00 文献下载
摘要：本实用新型针对高性能微纳米磁电耦合器件不容易进行可控制备的问题，提出了一种通过压电力响应显微技术对铁电薄膜进行图形化+Z和‑Z铁电畴加工，再通过光化学沉积法在铁电畴表面极化自组装磁性金属纳米颗粒，制备出具有铁电薄膜和自组装磁性纳米颗粒结构的磁电耦合器件。该器件包括铁电薄膜层，支撑铁电薄膜的导电基底，以及在铁电薄膜层上自组装形成的磁性纳米颗粒结构。本实用新型利用压电力响应显微技术加工微纳米级按任意图形极化分布的PZT铁电畴，通过光化学沉积法自组装磁性金属纳米颗粒结构，生产工艺简单，适宜于微纳米磁电耦合器件的集成化制备。
基于薄膜组装磁性纳米颗粒结构磁电耦合器件

[发明专利]采用压电层的自旋晶体管以及相关存储器、存储器系统和方法-CN201380024185.3有效
发明人： Y·杜 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2013-05-09 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： H01L43/00 文献下载
摘要：本发明公开了自旋晶体管以及相关的存储器、存储器系统和方法。自旋晶体管由具有共享多铁层的至少两个磁性隧道结(MTJ)提供。所述多铁层由具有金属电极(金属)的铁磁薄膜(FM通道)之上的压电(PE)薄膜形成。铁磁层用作自旋通道，并且压电层用于转移压电应力，以控制所述通道的自旋状态。共享层的一侧上的MTJ形成自旋晶体管的源极，并且共享层的另一侧上的MTJ形成自旋晶体管的漏极。
采用压电自旋晶体管以及相关存储器系统方法

[实用新型]用于InSb磁敏器件的薄膜材料结构-CN201521137521.8有效
发明人：马可军;俞振中;郑律 -专利权人：江苏森尼克电子科技有限公司
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2016-07-13 - 主分类号： H01L43/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于InSb磁敏器件的薄膜材料结构，通过过渡层，屏蔽了掺杂效应，保证了薄膜层的电学性质；过渡层选用与薄膜层同类材料，二者热膨胀系数差异很小，降低了因热膨胀系数不同而对薄膜层的影响；当衬底层材料选用陶瓷时，由于过渡层设置，避免了陶瓷上孔洞对薄膜层的影响；而过渡层与薄膜层均为导电层，二者之间增加绝缘层起到了绝缘的作用。
用于 insb 器件薄膜材料结构

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