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[发明专利]红外线光设备-CN202310309038.6在审
发明人：安田大贵;藤田浩己 -专利权人：旭化成微电子株式会社
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L31/16 文献下载
摘要：提供制造容易、并且在中红外长波长区域抑制了吸收损耗的高性能的红外线光设备。红外线光设备具备在中心波长λ具有峰的光接收和发射特性，所述红外线光设备具备半导体基板和薄膜层叠部，所述薄膜层叠部依次具有：形成在半导体基板上的第1反射层、活性层、p型半导体层、以及第1电极层，第1反射层和p型半导体层与活性层直接连接，第1反射层通过低折射率层与折射率高于低折射率层的高折射率层的层叠而构成，所述低折射率层为n型半导体层，所述低折射率层配置在第1反射层中最靠近活性层侧，活性层及p型半导体层的折射率高于低折射率层，中心波长λ在室温下为7μm以上。
红外线设备

[发明专利]光源集成的光传感系统和包括其的电子装置-CN201810538775.2有效
发明人：李银京;金桢祐;崔秉龙;尹熙善;黄仁吾 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L31/16 文献下载
摘要：一种光传感系统包括布置为具有第一光轴的多个光发射装置和布置为具有第二光轴的多个光接收装置，第二光轴与第一光轴平行。所述多个光发射装置和所述多个光接收装置被形成为具有单片集成结构，并且第一光轴和第二光轴基本彼此同轴，从而提高光接收的效率。
光源集成传感系统包括电子装置

[发明专利]红外线光设备-CN202211327557.7在审
发明人：藤田浩己;诸原理;安田大贵 -专利权人：旭化成微电子株式会社
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L31/16 文献下载
摘要：本发明提供一种高性能的红外线光设备，其具备能够在中红外区域广泛利用的反射层结构。红外线光设备具备在中心波长λ具有峰的光接收和发射特性，所述红外线光设备具备半导体基板和薄膜层叠部，所述薄膜层叠部依次具有形成在半导体基板上的第一反射层、具有第一导电型的下部半导体层、光接收和发射层、具有第二导电型的上部半导体层、以及第二反射层，第一反射层包含构成材料含有AlGaInAsSb(0≤Al+Ga≤0.5、0≤As≤1.0)且杂质浓度不同的多个层，中心波长λ在室温下为2.5μm以上。
红外线设备

[发明专利]光开关结构、相关的制造方法以及具有光开关结构和电压源的装置-CN202010887547.3有效
发明人：胡思福;胡佳洁;菲利克斯·胡 -专利权人：成都特频微电子科技发展有限公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L31/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种光开关结构(2)，包括具有n区(5)的半导体衬底(4)，布置在所述半导体衬底(4)的n区侧的氢化SiNx层(8)，与所述n区(5)接触的阴极(9)，和与所述SiNx层(8)接触的阳极(10)，其中，所述光开关结构(2)设置成，当在所述阳极(10)与所述阴极(9)之间施加外部电压时，用光(L)照射所述SiNx层(8)，以切换到非线性导电状态。
开关结构相关制造方法以及有光电压装置

[发明专利]光接收单元-CN201880028889.0有效
发明人： T·劳尔曼;C·佩珀;W·克斯特勒 -专利权人：阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2018-03-08 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L31/167 文献下载
摘要：一种光接收单元(EM)，其具有第一能量源(VQ1)，第一能量源具有分别构造为电流源或电压源的两个部分源(TQ1，TQ2)，在第一部分源(TQ1)的上侧上构造有第一连接接通部(VSUP1)，在第二部分源(TQ1)的下侧上构造有第二连接接通部(VSUP2)，部分源(TQ1，TQ2)分别具有至少一个半导体二极管(D1，D2)，第一半导体二极管(D1)具有与第一光波长(L1)相匹配的吸收棱边，第二半导体二极管(D2)具有与第二光波长(L2)相匹配的吸收棱边，第二光波长与第一光波长(L1)不同，从而第一部分源(TQ1)在以第一光波长(L1)进行照射的情况下产生电压，第二部分源(TQ2)在以第二光波长(L2)进行照射的情况下产生电压，第一半导体二极管(D1)与第二半导体二极管(D2)极性相反地串联连接，从而由第一半导体二极管和第二半导体二极管(D1，D2)所产生的电压至少部分地相互抵消。
接收单元

[发明专利]具有封装结构空腔的隔离器集成电路和制造方法-CN201780068616.4有效
发明人： B·J·马莱;B·库克;R·A·内伊多尔夫;S·库默尔 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L31/16 文献下载
摘要：所公开的实例包含一种集成电路(100)，所述集成电路具有：引线框结构(104a、104b)；第一电路结构(106a)，其包含经配置以产生沿光学路径(114)的光信号的光源(108a)；第二电路结构(106b)，其包含面向所述光学路径(114)以接收所述光信号的光传感器(108b)；以及经模制封装结构(102)，其封闭所述引线框结构(104a、104b)的部分，所述经模制封装结构(102)具有由所述经模制封装结构(102)的内表面限定的空腔(110)，所述光学路径(114)所述空腔(110)中在所述第一电路结构与所述第二电路结构(106a、106b)之间延伸。
具有封装结构空腔隔离器集成电路制造方法

[发明专利]光学隔离系统和电路以及具有延伸横向P-N结的光子检测器-CN201780066981.1有效
发明人： B·J·马莱 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L31/16 文献下载
摘要：所公开的实例包含横向光伏传感器(100)和系统，其具有：一或多个半导体结构(101、103)，所述一或多个半导体结构单独地包含横向传感器表面(107b)以接收给定波长(λ)的光子；以及延伸横向结区，其具有大于5乘以对应于所述给定波长(λ)的所述半导体结构的吸收深度的有效结距离(D)，以促进高电流传送比率以供用于低噪声、高效率电力供应应用以及光学隔离数据传送或光子检测器应用。
光学隔离系统电路以及具有延伸横向光子检测器

[实用新型]一种高压大功率半导体激光光控晶闸管-CN202220918637.9有效
发明人：黄曹斌;聂强;任成贤 -专利权人：四川两用技术有限公司
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L31/167 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高压大功率半导体激光光控晶闸管，包括晶闸管本体以及为所述晶闸管本体提供光信号的光纤，所述晶闸管本体包括壳体，所述壳体内部开设有芯片腔，芯片腔中设置有芯片以及与所述芯片连接的光路；所述光纤穿过壳体伸入芯片腔的内部并与光路连接。本实用新型公开的高压大功率半导体激光光控晶闸管工作过程较普通晶闸管工作时无须接通额外的触发电平，从而避免了高压电流通过触发回路返回到触发器上，导致人身伤亡事故以及触发器损坏的发生，使用时只要激光能量及激光光纤的长度足够就可以轻松实现远程操作。
一种高压大功率半导体激光光控晶闸管

[发明专利]一种硫化铜基多孔热电复合材料及其制备方法-CN202110886096.6有效
发明人：葛振华;娄路遥;张益欣;杨添驭;冯晶 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2021-08-03 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L31/16 文献下载
摘要：本发明属于热电材料技术领域，公开了一种硫化铜基多孔热电复合材料及其制备方法。该材料的化学通式为Cu1.96S‑GMS，该材料包括基体相Cu1.96S和玻璃非晶第二相，所述玻璃非晶第二相均匀分布在基体相Cu1.96S中，还包括气孔，气孔亦均匀分布在基体相Cu1.96S中。该材料具有较高的服役稳定性，而且玻璃微球担体质量分数控制在0.5～2％时，其综合热电性能会提升。
一种硫化铜基多热电复合材料及其制备方法

[实用新型]半导体元件-CN202220065256.0有效
发明人：徐志旭 -专利权人：拓纬实业股份有限公司
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L31/16 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体元件。半导体元件包括激光二极管以及感光芯片。激光二极管依据驱动信号来朝向第一方向提供激光信号。感光芯片包括感光部。感光部沿着相对于第一方向的第二方向面向激光二极管，从而直接地接收激光信号。感光芯片依据激光信号进行操作。半导体元件能够实现小体积化。
半导体元件

[实用新型]光电子半导体装置和电子设备-CN202120668348.3有效
发明人：李致纬;蓝哲维;李玮恩;刘恩铨;许莉绢;黄昱智;陈章源 -专利权人：亿光电子工业股份有限公司
申请日： 2021-04-01 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L31/16 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种光电子半导体装置和电子设备，涉及光电子半导体装置技术领域，以解决现有光电子半导体装置易发生串扰的技术问题。该光电子半导体装置包括电路板、发光元件和感测元件，发光元件和感测元件分别设置在电路板的不同位置上，发光元件和感测元件分别与电路板的不同电路电性连接。感测元件接收待检测体反射的发光元件发射的光线。电路板上设置有封装体，封装体覆盖发光元件和感测元件。封装体内设置有阻挡结构，阻挡结构位于发光元件和感测元件之间。发光元件和感测元件之间具有间隙。本实用新型能够降低光电子半导体装置的串扰，提高光电子半导体装置和电子设备的使用稳定性。
光电子半导体装置电子设备

[发明专利]用于显示器下指纹和手势传感器的具有半导体活性层的光检测器-CN201980092345.5在审
发明人：郭凌杰;崔晴宇 -专利权人：密歇根大学董事会
申请日： 2019-01-16 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L31/16 文献下载
摘要：在各个方面，本公开提供了可以以阵列提供的光检测器设备。该光检测器包括第一电极、第二电极、以及设置在第一电极与第二电极之间的光活性层组件。该光活性层组件包括第一电荷传输层、第二电荷传输层、以及基本上无掺杂的并且为设置在第一电荷传输层与第二电荷传输层之间的基本上无掺杂的非晶硅(a‑Si)材料。光检测器设备透射在预定波长范围内的光、并且当具有小于或等于约50勒克斯的光强度的光被引导朝向光检测器设备时能够产生可检测的光电流。
用于显示器指纹手势传感器具有半导体活性检测器

[发明专利]LED/ZnO纳米线阵列集成的光电晶体管芯片及制备方法-CN201910297009.6有效
发明人：伊晓燕;张硕;刘志强;梁萌;冯涛;任芳;王蕴玉;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2019-04-11 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L31/167 文献下载
摘要：一种LED/ZnO纳米线阵列集成的光电晶体管芯片及其制备方法，该器件通过在UVA波段LED上生长垂直ZnO纳米线阵列，顶端通过石墨烯作为电流扩展层来制作电极。其中LED的N电极作为晶体管栅极，ZnO纳米线阵列一端作为源极，LED的P电极即LED与ZnO异质结界面作为漏极，通过栅极电压大小调节LED发光功率，进一步调控ZnO纳米线阵列的光电导大小。本发明利用ZnO纳米线阵列对近紫外光优良的光敏特性，使LED与ZnO纳米线阵列进行集成，实现了GaN基的光电互联，从而获得了光电集成晶体管芯片。
led zno 纳米阵列集成光电晶体管芯片制备方法

[实用新型]光电传感器感应对管-CN202022260671.5有效
发明人：陈智军 -专利权人：深圳市诚强光电数码有限公司
申请日： 2020-10-12 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L31/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及光电传感器技术领域，特指一种光电传感器感应对管；本实用新型包括屏蔽盖、基板，基板的正反两面具有平面线路，基板正面配有接收晶元、发射晶元，接收晶元、发射晶元分别配有金线，接收晶元外罩有接收黑胶，发射晶元外罩有发射透明胶，接收黑胶、发射透明胶外盖有屏蔽盖，屏蔽盖的上端具有透射孔，接收黑胶、发射透明胶位于透射孔底端；本实用新型通过将接收晶元、发射晶元分别焊接于基板的正面，基板的背面采用平面引脚，从而使产品整体结构简洁，包装方便，而且能够直接批量生产，生产效率高，同时，后续组装线路板时，可以采用贴片式回流焊加工生产，提高后续组装生产的效率。
光电传感器感应

[发明专利]光学传感器封装件-CN202010952141.9在审
发明人：栾竟恩 -专利权人：意法半导体有限公司
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01L31/167 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及光学传感器封装件。本公开涉及一种具有第一组件和第二组件的光学传感器封装件，第一组件和第二组件具有在第一组件与第二组件之间延伸、并且将第一组件和第二组件耦合的密封剂。第一组件包括：第一衬底；第一管芯，在第一衬底上；透明材料，在第一管芯上；以及红外过滤器，在透明材料上。第二组件包括：第二衬底；第二管芯，在第二衬底上；透明材料，在第二管芯上；以及红外过滤器，在透明材料上。穿过与第一管芯和第二管芯对准的密封剂形成孔。第一管芯被配置为通过一个孔透射光，其中，光从待检测的物体反射并且通过孔中的另一个孔，在第二管芯处被接收。
光学传感器封装

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