[发明专利]红外线光设备在审

申请号：	202211327557.7	申请日：	2022-10-27
公开（公告）号：	CN116053351A	公开（公告）日：	2023-05-02
发明（设计）人：	藤田浩己;诸原理;安田大贵	申请（专利权）人：	旭化成微电子株式会社
主分类号：	H01L31/16	分类号：	H01L31/16;H01L31/0216;H01L31/0304;H01L31/0224
代理公司：	北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277	代理人：	刘新宇;李茂家
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：	本发明提供一种高性能的红外线光设备，其具备能够在中红外区域广泛利用的反射层结构。红外线光设备具备在中心波长λ具有峰的光接收和发射特性，所述红外线光设备具备半导体基板和薄膜层叠部，所述薄膜层叠部依次具有形成在半导体基板上的第一反射层、具有第一导电型的下部半导体层、光接收和发射层、具有第二导电型的上部半导体层、以及第二反射层，第一反射层包含构成材料含有AlGaInAsSb(0≤Al+Ga≤0.5、0≤As≤1.0)且杂质浓度不同的多个层，中心波长λ在室温下为2.5μm以上。
搜索关键词：	红外线设备
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摘要：本发明提供一种高性能的红外线光设备，其具备能够在中红外区域广泛利用的反射层结构。红外线光设备具备在中心波长λ具有峰的光接收和发射特性，所述红外线光设备具备半导体基板和薄膜层叠部，所述薄膜层叠部依次具有形成在半导体基板上的第一反射层、具有第一导电型的下部半导体层、光接收和发射层、具有第二导电型的上部半导体层、以及第二反射层，第一反射层包含构成材料含有AlGaInAsSb(0≤Al+Ga≤0.5、0≤As≤1.0)且杂质浓度不同的多个层，中心波长λ在室温下为2.5μm以上。

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摘要：在各个方面，本公开提供了可以以阵列提供的光检测器设备。该光检测器包括第一电极、第二电极、以及设置在第一电极与第二电极之间的光活性层组件。该光活性层组件包括第一电荷传输层、第二电荷传输层、以及基本上无掺杂的并且为设置在第一电荷传输层与第二电荷传输层之间的基本上无掺杂的非晶硅(a‑Si)材料。光检测器设备透射在预定波长范围内的光、并且当具有小于或等于约50勒克斯的光强度的光被引导朝向光检测器设备时能够产生可检测的光电流。

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摘要：本实用新型涉及光电传感器技术领域，特指一种光电传感器感应对管；本实用新型包括屏蔽盖、基板，基板的正反两面具有平面线路，基板正面配有接收晶元、发射晶元，接收晶元、发射晶元分别配有金线，接收晶元外罩有接收黑胶，发射晶元外罩有发射透明胶，接收黑胶、发射透明胶外盖有屏蔽盖，屏蔽盖的上端具有透射孔，接收黑胶、发射透明胶位于透射孔底端；本实用新型通过将接收晶元、发射晶元分别焊接于基板的正面，基板的背面采用平面引脚，从而使产品整体结构简洁，包装方便，而且能够直接批量生产，生产效率高，同时，后续组装线路板时，可以采用贴片式回流焊加工生产，提高后续组装生产的效率。

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发明人：陈智军 -专利权人：深圳市诚强光电数码有限公司
申请日： 2020-10-12 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L31/16
摘要：本发明涉及光电传感器技术领域，特指一种光电传感器感应对管；本发明包括屏蔽盖、基板，基板的正反两面具有平面线路，基板正面配有接收晶元、发射晶元，接收晶元、发射晶元分别配有金线，接收晶元外罩有接收黑胶，发射晶元外罩有发射透明胶，接收黑胶、发射透明胶外盖有屏蔽盖；本发明通过将接收晶元、发射晶元分别焊接于基板的正面，基板的背面采用平面引脚，从而使产品整体结构简洁，包装方便，而且能够直接批量生产，生产效率高，同时，后续组装线路板时，可以采用贴片式回流焊加工生产，提高后续组装生产的效率。

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申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L31/16
摘要：本发明公开了一种硅基光子器件及其制造方法。所述硅基光子器件包括：半导体衬底；介质层，位于所述半导体衬底的上表面；加热电极，位于所述介质层的部分上表面；两条间隔设置的金属互连线，所述金属互连线位于所述介质层的部分上表面和所述加热电极的部分上表面。所述硅基光子器件的制造方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底的上表面形成介质层；在所述介质层的部分上表面形成加热电极；形成两条间隔设置的金属互连线，所述金属互连线位于所述介质层的部分上表面和所述加热电极的部分上表面。本发明提供的硅基光子器件及其制造方法，减少了硅基光子器件的工艺步骤，降低了硅基光子器件的制造成本。

光传感器-201380052233.X
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申请日： 2013-09-18 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： H01L31/16
摘要：本发明提供一种光传感器，其在基板(2)的表面(2A)设置发光元件(3)和受光元件(4)。发光元件(3)和受光元件(4)分别被透明树脂体(5)、(7)密封。透明树脂体(5)上设有位于发光元件(3)上部的透镜(6)。透镜(6)的中心与发光元件(3)的安装位置错开配置。从而，经由透镜(6)而出射的光的光轴以规定的仰角向受光元件(4)的相反侧方向倾斜。此时，从透镜(6)出射的光的光束发散角(θ)被设定为规定值。

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申请日： 2017-01-09 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： H01L31/16
摘要：本实用新型公开了集成封装领域的一种微型高灵敏度光电传感器集成封装结构，包括一个或多个集成单元，集成单元包括封装主体，封装主体上设有凹陷的接收区域和凹陷的发射区域，接收区域底部设有连接接收电信号的接收电极点，接收电极点连接接收芯片，发射区域底部设有连接发射电信号的发射电极点，发射电极点连接发射芯片。本实用新型可完成各种光学要求的封装，结构新颖、体积小，灵敏度高、抗干扰能力强、精度高一致性好，应用领域广，大幅提高了产品的灵活性。

一种半导体光电电能转换系统-201210451342.6
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摘要：本发明提出一种半导体光电电能转换系统，包括基板；多个光电电能转换模块，多个光电电能转换模块之间相互串联和/或并联，以实现电压和/或功率的扩展，其中，光电电能转换模块进一步包括隔离层，隔离层对光电电能转换模块的工作光线透明；形成在隔离层之上的一个或多个的电光转换结构，用于将输入电能转换为工作光线发射；和形成在隔离层之上的一个或多个的光电转换结构，用于将工作光线转换为输出电能，其中，光电转换结构的吸收光谱与电光转换结构发射光谱之间频谱匹配。该系统具有结构简单、电压和功率可灵活扩展的优点。

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申请日： 2012-11-12 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L31/16
摘要：本发明提供一种半导体光电电能转换器，包括输入模块和输出模块，其中，输入模块包括一个或多个半导体电光转换结构，用于将输入电能转换为光能，输出模块包括一个或多个半导体光电转换结构，用于将光能转换为输出电能，根据半导体电光转换结构和半导体光电转换结构之间连接关系的不同，可以实现AC-AC、AC-DC、DC-AC或DC-DC电能转换。本发明具有体积小，重量轻，结构简单，可以同时实现变流变压的功能，安全可靠，使用寿命长，安装维护方便的优点。

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申请日： 2012-12-07 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L31/16
摘要：本实用新型涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种激光器与光导半导体开关结构，包括基片，所述基片顶端面的两侧分别设置有电极，所述基片的底端面均匀设置有若干个垂直腔面发射半导体激光器，所述垂直腔面发射半导体激光器、基片及电极一体化封装。本实用新型在工作过程中电流根据激光照射的点形成更多的电流丝，相当于把导通电流分散，从而能够承受更大的导通电流，使得垂直腔面发射半导体激光器与光导半导体开关的使用寿命得以延长。另外，激光器与光导半导体开关的一体化封装使得生产过程中省去组装环节，便于使用，且能适应强烈的振动、冲击和高温的使用环境。

一种激光器与光导半导体开关结构-201210522248.5
发明人：杨汇鑫 -专利权人：东莞市五峰科技有限公司
申请日： 2012-12-07 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： H01L31/16
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种激光器与光导半导体开关结构，包括基片，所述基片顶端面的两侧分别设置有电极，所述基片的底端面均匀设置有若干个垂直腔面发射半导体激光器，所述垂直腔面发射半导体激光器、基片及电极一体化封装。本发明在工作过程中电流根据激光照射的点形成更多的电流丝，相当于把导通电流分散，从而能够承受更大的导通电流，使得垂直腔面发射半导体激光器与光导半导体开关的使用寿命得以延长。另外，激光器与光导半导体开关的一体化封装使得生产过程中省去组装环节，便于使用，且能适应强烈的振动、冲击和高温的使用环境。

基于光子频率上转换的太赫兹成像器件、转换方法-201210287273.X
发明人：刘惠春;杨耀;张月蘅 -专利权人：上海交通大学
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摘要：本发明公开了一种基于光子频率上转换的太赫兹成像器件，包括太赫兹上转换器件和硅基成像器件，其中，太赫兹上转换器件用于将太赫兹二维图像信号转换为近红外或者可见光二维图像信号;硅基成像器件用于将转换得到的近红外或者可见光二维图像信号进行接收探测。其所要解决的技术问题是提供一种无像元太赫兹成像器件。它基于红外光子频率上转换的原理，将红外光信号转换为近红外光子，然后利用硅基成像器件实现探测和成像，这一方法能够大大降低太赫兹成像的技术难度和成本。

光学鼠标模组封装结构-200820001485.6
发明人：颜子殷 -专利权人：菱生精密工业股份有限公司
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摘要：一种光学鼠标模组封装结构，包含有：一基板；一设于该基板的光发射元件，是具有一发射区，该发射区投射一光束；一设于该基板的光感测芯片，是具有一接收区，该接收区接收经由折射而返回的该光束；一封装层是以模压方式(molding)包覆该基板、该光发射元件以及该光感测芯片且形成二分别对应该发射区以及该接收区的穿孔，该穿孔供该光束通过。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

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[发明专利]红外线光设备在审

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