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[发明专利]异质结太阳能电池片、叠瓦组件及制造方法-CN202010525759.7在审
发明人：薛建锋;王月斌;余义;苏世杰;王秀鹏;石刚;李岩 -专利权人：成都晔凡科技有限公司
申请日： 2020-06-10 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明提供了一种异质结太阳能电池片、叠瓦组件和制造异质结太阳能电池片的方法。异质结太阳能电池片包括衬底层、本征非晶硅薄膜层、掺杂层、透光导电层以及电极。位于衬底层顶侧和底侧的本征非晶硅薄膜层均包括四层结构，这四层结构彼此不同。根据本发明，衬底层的顶侧和底侧的本征非晶硅薄膜层结构均包括四层结构，这四层结构彼此的成分均不相同，组合在一起能够较大程度地发挥出本征非晶硅薄膜层的优势，并能够提升太阳能电池片整体的电性能或效率。
异质结太阳能电池组件制造方法

[发明专利]一种高效率双面受光柔性硅异质结太阳电池的制备方法-CN202010476722.X在审
发明人：张丽平;姚宇波;刘正新;孟凡英;石建华;刘文柱 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明涉及一种高效率双面受光柔性硅异质结太阳电池的制备方法，包括：提供一经过制绒清洗得到的表面清洁的柔性晶体硅衬底；在柔性衬底的相对两侧分别沉积非晶硅薄膜钝化层；在非晶硅薄膜钝化层上分别沉积第一TCO薄膜形成第一受光面和具有增强的红外波段光谱响应的背反射复合薄膜形成第二受光面，其中，背反射复合薄膜由第二TCO薄膜和金属纳米颗粒构成；在第一TCO薄膜和背反射复合薄膜上分别形成金属栅极。本发明利用第二受光面中不同分布的金属纳米颗粒的表面等离子体激元效应增强红外波段的光谱响应，克服柔性硅异质结太阳电池由于基底厚度不足引起的红外区域光谱响应差的缺点，有效提升柔性硅异质结太阳电池的短路电流和转换效率。
一种高效率双面柔性硅异质结太阳电池制备方法

[发明专利]一种光伏电池及从多层晶片中分离出光伏电池的方法-CN201910318318.7有效
发明人：刘涛;何桂英 -专利权人：协鑫集成科技股份有限公司;协鑫集成科技（苏州）有限公司
申请日： 2019-04-19 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开了一种光伏电池及从多层晶片分离出光伏电池的方法，光伏电池具有正面、背面以及侧面并包括硅衬底和硅发射极，侧面包括激光烧蚀面和断开面，硅衬底中含有第一掺杂剂，硅发射极中含有第二掺杂剂，光伏电池具有自所述激光烧蚀面向光伏电池内部延伸的掺杂层，掺杂层含有第一掺杂剂并与硅衬底之间形成结。通过在激光烧蚀位置附近的晶片中形成高掺杂层，可以形成硅衬底和高掺杂层之间的同构型结(N/N+或P/P+)，其排斥少数电荷载流子以防止在高复合时的重组。
一种电池多层晶片分离出光伏方法

[发明专利]太阳能电池的制造方法-CN201880086006.1在审
发明人：三岛良太;足立大辅 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明高效地制造背结型太阳能电池。是包含晶体基板(11)的太阳能电池(10)的制造方法，包括第1工序～第5工序，第2工序中，对于p型半导体层(13p)，依次层叠形成第1提离层(LF1)和第2提离层(LF2)，第4工序中，对于第3工序中残留的第2提离层(LF2)和没有p型半导体层(13p)的非形成区域，层叠形成n型半导体层(13n)，第5工序中，使用第1蚀刻溶液，除去第1提离层(LF1)和第2提离层(LF2)，也除去在第2提离层(LF2)层叠的n型半导体层(13n)。而且，相对于第1蚀刻溶液的、p型半导体层(13p)、第1提离层(LF1)和第2提离层(LF2)的蚀刻速度满足特定的关系式。
太阳能电池制造方法

[发明专利]一种全钝化接触异质结电池及制造方法-CN202010427662.2在审
发明人：万义茂;胡玉婷;崔艳峰;袁声召;庄宇峰;黄强;林海峰 -专利权人：东方日升（常州）新能源有限公司;东方日升新能源股份有限公司
申请日： 2020-05-20 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L31/0745 文献下载
摘要：本发明属太阳能电池制造领域，涉及一种全钝化接触异质结电池，包括衬底；设置在衬底的上表面的第一氧化硅层；设置在衬底的下表面上的第二氧化硅层；设置在第一氧化硅层上表面上的n型钝化接触层；设置在第二氧化硅层下表面上的p型钝化接触层；设置在钝化接触层外表面的透明导电层；设置在透明导电层背离衬底方向的外表面上的电极。本发明还公开了这种电池的其制备方法，通过全钝化接触结构替代本征和掺杂非晶硅结构形成的传统异质结太阳电池结构以及现有技术的高/低功函数材料。该结构可耐受300~800℃的高温工艺作用，增加了电池的金属材料的可选择种类，后道组件焊接和印刷无需改成低温工艺，提高了电池的开路电压，提高生产良率，降低生产成本。
一种钝化接触异质结电池制造方法

[实用新型]一种高转化效率的异质结电池-CN201922106571.4有效
发明人：黄金;李高非;王继磊;高勇;郑静;贾慧君;刘学飞;李文敏 -专利权人：晋能光伏技术有限责任公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高转化效率的异质结电池，其特征在于，包括：基底，所述基底为晶体硅片；在所述基底正面依次生长的i型本征非晶硅薄膜、P型非晶硅薄膜及多层正面TCO薄膜；在所述基底背面依次生长的i型本征非晶硅薄膜、N型非晶硅薄膜及一层背面TCO薄膜；及在所述多层正面TCO薄膜及背面TCO薄膜上设置的金属电极。本实用新型中的异质结电池提高光的利用率，增加短路电流密度，使异质结电池的转换效率得到大幅度提升。
一种转化效率异质结电池

[发明专利]一种N型晶硅太阳能电池结构-CN201911005921.6在审
发明人：张天杰;刘大伟;倪玉凤;杨露;宋志成 -专利权人：国家电投集团西安太阳能电力有限公司;黄河水电西宁太阳能电力有限公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司
申请日： 2019-10-22 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明的目的在于公开一种N型晶硅太阳能电池结构，包括N型硅衬底，在所述N型硅衬底的正面沉积有一P型掺杂非晶硅层作为发射极，在所述P型掺杂非晶硅层上依次设置有正面钝化层和正面减反射层，所述正面减反射层的表面设置正面金属电极，在所述N型硅衬底的背面设置有一隧穿氧化层，在所述隧穿氧化层的背面依次设置有多晶硅层和背面减反射层，所述背面减反射层的背面设置背面金属电极；与现有技术相比，解决了晶硅太阳能电池中通过高温工艺制作PN结的问题，从而减少N型电池在高温扩散工艺中易于产生同心圆的问题，兼容目前N型太阳能电池制作的工艺设备，工艺相对成熟，制程简单，具有可产业化推广的前景，实现本发明的目的。
一种型晶硅太阳能电池结构

[发明专利]薄膜太阳能电池及其制备方法-CN201910108331.X在审
发明人：辛科;叶亚宽;王磊;杨立红 -专利权人：北京铂阳顶荣光伏科技有限公司
申请日： 2019-01-18 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L31/0749 文献下载
摘要：本申请涉及太阳能电池技术领域，具体而言，涉及一种薄膜太阳能电池及其制备方法。薄膜太阳能电池包括依次设置的基板、背电极层、光吸收层、缓冲层、前电极层，所述缓冲层包括层叠设置的第一缓冲层和第二缓冲层，所述第一缓冲层包括ZnOS膜层。本技术方案提供的薄膜太阳能电池中采用ZnOS膜层代替现有技术中的CdS膜层缓冲层，制备无镉缓冲层CIGS太阳能电池。采用ZnOS膜层作为缓冲层的薄膜太阳能电池可以避免使用重金属镉，免去工业上复杂的重金属处理工艺，同时会生产工人身体的危害大幅降低。
薄膜太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种新型异质结电池及其制备方法-CN202010373591.2在审
发明人：王继磊;张娟;贾慧君 -专利权人：晋能光伏技术有限责任公司
申请日： 2020-05-06 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型异质结电池，包括：硅层衬底、第一本征非晶硅层、第二本征非晶硅层，依次设置在所述第一本征非晶硅层正面的第一掺杂层、第一TCO层和第一金属栅线；所述第一掺杂层包括重掺层和浅掺层，所述重掺层与所述浅掺层交替设置于所述第一本征非晶硅层的正面；所述重掺层为重掺n型非晶硅层，所述浅掺层包括浅掺n型非晶硅层和设置于所述浅掺n型非晶硅层的第一氮化硅层；以及依次设置在所述第二本征非晶硅层背面的第二掺杂层、第二TCO层和第二金属栅线；所述第二掺杂层为掺杂p型非晶硅层。因此采用本发明结构制备的异质结结构电池，不仅可以提高异质结电池性能，还能大幅度降低异质结电池的制造成本。
一种新型异质结电池及其制备方法

[发明专利]一种包含氮化硅减反射层的硅异质结太阳电池及制备方法-CN202010368808.0在审
发明人：刘超;李正平;杨杰;任栋樑;陈昌明;徐小娜;周国平 -专利权人：熵熠(上海)能源科技有限公司
申请日： 2020-05-02 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开了一种包含氮化硅减反射层的硅异质结太阳电池及制备方法。所述太阳电池以n型单晶硅片为衬底，在衬底的正面设有非晶硅本征层、p型非晶硅发射极层、透明导电氧化物介质层、氮化硅减反射层和金属栅线电极；在衬底的背面设有非晶硅本征层、n型非晶硅背电场层、透明导电氧化物介质层、金属栅线电极。制备方法为：在衬底的正/背面沉积非晶硅本征层、p型非晶硅发射极层/n型非晶硅背电场层；沉积透明导电氧化物介质层；沉积氮化硅减反射层；激光开槽；丝网印刷银浆；烧结。本发明能够平衡光的透过与反射，能够尽量减少入射光的反射，而同时又能使得更多的光学折射并透进电池，提高光电流，从而提高异质结电池转换效率。
一种包含氮化反射层硅异质结太阳电池制备方法

[发明专利]一种以氢化非晶氮氧化硅薄膜为钝化层的异质结太阳电池-CN202010369102.6在审
发明人：杨杰;李正平;刘超;任栋樑;徐小娜;周国平;陈昌明 -专利权人：熵熠(上海)能源科技有限公司
申请日： 2020-05-02 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开了一种以氢化非晶氮氧化硅薄膜为钝化层的异质结太阳电池，其特征在于，包括n型单晶硅片，n型单晶硅片的正表面依次形成氢化非晶氮氧化硅薄膜层、p型氢化非晶硅薄膜层、透明导电氧化物薄膜层和金属栅线电极；所述n型单晶硅片的背表面依次形成氢化非晶氮氧化硅薄膜层、n型氢化非晶硅薄膜层、透明导电氧化物薄膜层和金属栅线电极。本发明通过以氢化非晶氮氧化硅薄膜作为异质结太阳电池的本征钝化层，对晶硅表面具有优良的钝化效果，从而减少界面载流子复合，提高异质结电池转换效率。
一种氢化非晶氮氧化薄膜钝化异质结太阳电池

[发明专利]太阳能电池及其制备方法-CN201811545687.1在审
发明人：卢海江;孙红霞;任晓东 -专利权人：领凡新能源科技（北京）有限公司
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L31/0749 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池及其制备方法，包括电极层、窗口层和缓冲层，所述窗口层设置在所述电极层和所述缓冲层之间，所述窗口层包括至少三层氧化锌层，且沿所述缓冲层指向所述电极层的方向，各氧化锌层中的铝掺杂浓度呈梯度增大。本发明的技术方案，能够降低太阳能电池的串联电阻，提高太阳电池的光学透过率，最终提高整个太阳电池的光电转换效率。
太阳能电池及其制备方法

[发明专利]太阳能电池及其制备方法-CN201811623028.5在审
发明人：方亮;彭敏;曾燕;张皓 -专利权人：成都珠峰永明科技有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本公开提供一种太阳能电池，其包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底的第一侧的第一本征层；形成在所述第一本征层上的金属氧化物层，所述金属氧化物层的功函数大于所述半导体衬底的功函数；以及形成在所述金属氧化物层上的前电极。相应地，提供一种太阳能电池的制备方法。本公开中，采用金属氧化物层替代了传统HIT太阳能电池中基于硅基材料的窗口层，改善了电池的短波段光的量子效率和光谱响应，从而提高了电池的短路电流密度，进而提高了电池的光电转换效率。
太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种具有碱金属复合层的CIGS太阳能电池及其制备方法-CN201910345538.9有效
发明人：张准;王磊 -专利权人：潮州市亿加光电科技有限公司
申请日： 2019-04-26 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L31/0749 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有碱金属复合层的CIGS太阳能电池及其制备方法，属于CIGS太阳能电池薄膜材料技术领域，解决现有技术中掺杂的碱金属利用率低，不利于提高电池性能的问题。本发明的CIGS太阳能电池包括碱金属复合层和CIGS层，碱金属复合层包括第一碱金属层和第二碱金属层，第一碱金属层位于CIGS层和第二碱金属层之间；第一碱金属层包括金属Na，第二碱金属层包括金属K和Rb中的至少一种。复合碱金属层的形成方法包括采用第二靶材、磁控溅射工艺在基板上形成第二碱金属层；采用第一靶材、磁控溅射工艺在第二碱金属层上形成第一碱金属层。本发明的具有碱金属复合层的CIGS太阳能电池及其制备方法可用于太阳能发电。
一种具有碱金属复合 cigs 太阳能电池及其制备方法

[发明专利]硅异质结太阳能电池及其发射极和发射极的制备方法-CN201811603686.8在审
发明人：龙巍 -专利权人：君泰创新（北京）科技有限公司
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本申请公开了一种硅异质结太阳能电池发射极。所述发射极包括：n型硅基底，所述n型硅基底具有发射极面；形成在所述发射极面上的第一本征钝化层；形成在所述第一本征钝化层上的p型硅掺杂层；以及形成在所述p型硅掺杂层上的吸附原子层；所述吸附原子层包括沉积在所述p型硅掺杂层的表面且与所述p型硅掺杂层的表面的硅原子形成正偶极矩势场的吸附原子。本申请还公开了所述硅异质结太阳能电池发射极的制备方法和一种硅异质结太阳能电池。本申请的发射极的p型硅掺杂层和TCO界面对n型硅基底的空穴的的肖特基势垒的高度较低，硅异质结太阳能电池的填充因子和转换效率较高。
硅异质结太阳能电池及其发射极制备方法