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[实用新型]一种高效异质结太阳能电池-CN201620793405.X有效
发明人：尤宇文;宋广华;罗骞;黄辉明 -专利权人：福建金石能源有限公司
申请日： 2016-07-26 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高效异质结太阳能电池，包括n型硅衬底，依次沉积在n型硅衬底受光面的第一沉积本征非晶硅层、n型非晶硅层和第一透明导电氧化物层，依次沉积在n型硅衬底背光面的第二沉积本征非晶硅层、p型非晶硅层和第二透明导电氧化物层，所述n型硅衬底背光面的第二透明导电氧化物层上设有导电层，所述导电层上设有保护层，所述第二透明导电氧化物层、导电层、保护层叠合形成背光面薄膜叠层，所述保护层为透明导电氧化物层或银层。本实用新型背光面薄膜叠层结构，有效提高电池背光面电极收集传递电流的能力，提升电池转换效率，降低背光面电极的低温银浆耗用量，降低生产成本，所述保护层可以防止氧化。并且可以抵抗碱的腐蚀。
一种高效异质结太阳能电池

[实用新型]一种异质结太阳能电池-CN201620920856.5有效
发明人：张超华;杨与胜;王树林;庄辉虎 -专利权人：福建金石能源有限公司
申请日： 2016-08-23 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种异质结太阳能电池，其包括n型单晶硅片；设在n型单晶硅片正面的第一本征非晶硅薄膜层；设在第一本征非晶硅薄膜层上的第一掺杂非晶硅薄膜层；设在第一掺杂非晶硅薄膜层上的第一透明导电薄膜层；设在第一透明导电薄膜层上的金属栅线前电极，金属栅线前电极的主栅电极的两端的边缘设有第一隔离条；设在n型单晶硅片背面的第二本征非晶硅薄膜层；设在第二本征非晶硅薄膜层上的第二掺杂非晶硅薄膜层；设在第二掺杂非晶硅薄膜层的第二导电薄膜层；设在第二导电薄膜层上的金属栅线背电极，金属栅线背电极的主栅电极的两端的边缘第二隔离条，金属栅线背电极的主栅电极的两侧边也设有第三隔离条。
一种异质结太阳能电池

[发明专利]HIT太阳能电池及提高HIT电池的短路电流密度的方法-CN201510016048.6有效
发明人：郁操;杨少飞;杨苗;张津燕;徐希翔 -专利权人：福建铂阳精工设备有限公司
申请日： 2015-01-13 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本发明公开一种HIT太阳能电池及提高HIT电池短路电流密度的方法，其中，所述HIT太阳能电池包括衬底层，设置在衬底层两侧的第一本征层和第二本征层，在衬底层受光侧第一本征层上设置的N型掺杂层，以及在衬底层背光侧第二本征层上设置的P型掺杂层，在所述N型掺杂层上设置有前电极，在所述P型掺杂层上设置有背电极。本发明提供的HIT太阳能电池将所述N型掺杂层作为受光面的窗口层，避免了高性能的P型材料作为窗口层不易制备的问题。本发明将N型掺杂层作为窗口层，其制备方便，且电导率为1～10‑5s/cm，带隙大于1.8eV，从而提高电池的短路电流密度。
hit 太阳能电池提高电池短路电流密度方法

[发明专利]一种Pt‑GFW/SiO2/n‑Si异质结材料及其制备方法-CN201510156307.5有效
发明人：谭新玉;康喆;田丹妮;肖婷;向鹏;姜礼华 -专利权人：三峡大学
申请日： 2015-04-03 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： H01L31/0745 文献下载
摘要：本发明公开了一种Pt‑GFW/SiO2/n‑Si异质结材料及其制备方法。采用化学气相沉积（CVD）法生长的石墨烯网（GFW）转移到n型硅（n‑Si（100）基片上后，形成具有白光光伏效应的异质结薄膜材料。采用激光照射高铂酸溶液来负载铂纳米颗粒的方法，在GFW/n‑Si器件表面负载铂纳米粒子。本发明的铂负载的石墨烯、硅太阳能电池在室温、100 mW/cm2的模拟太阳光源照射下，器件的开路光电压从474mV提升到545 mV、短路光电流从18.2 mA/cm2提升到19.6mA/cm2、填充因子从42.8%提升到51.2%以上，光电转换效率从3.69%提升到5.48%。采用该方法具有性能优越，价格低廉，制备简单且不同于之前文献中所报道的用硝基甲苯作为溶剂，而采用去离子水作为溶剂，是一种优异的提升可见光传感器材料和具有潜力的光伏器件性能的方法。
一种 pt gfw sio2 si 异质结材料及其制备方法

[发明专利]一种全背电极N型晶硅异质结太阳电池的制备方法-CN201410424158.1有效
发明人：周洪彪;刘文峰;汪已琳;杨晓生 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2014-08-26 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开了一种全背电极N型晶硅异质结太阳电池的制备方法，该方法包括在N型硅基底前表面制备纳米绒面、N+型磷浅扩散晶硅层和SiOx钝化/SiNx减反层；在N型硅基底背面制备N++型磷重扩散晶硅层，然后采用印刷腐蚀浆料实现对N++型磷重扩散晶硅层局部腐蚀，再依次沉积一层本征非晶硅薄膜层和一层p型非晶硅薄膜层，去除N++型磷重扩散晶硅层区域表层的本征和p型非晶硅；然后溅射一层透明导电薄膜层，用激光将N型硅基底背面的P区和N区分开；最后印刷电极，低温烧结。该方法将金属电极全部移至电池背面，受光面没有电极，降低了组件生产成本、电池的复合损失，从而光学损失和电阻均显著减少，效率大幅提升。
一种电极型晶硅异质结太阳电池制备方法

[发明专利]用于太阳能电池的多晶硅/单晶硅异质结结构及其制备方法-CN201310474761.6有效
发明人：黄海宾;周浪;崔冶青;高江 -专利权人：南昌大学
申请日： 2013-10-12 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于太阳能电池的多晶硅/单晶硅异质结结构及其制备方法。其结构为单晶硅片上一层掺杂类型相反的多晶硅薄膜作为发射极。多晶硅薄膜的结构及厚度、掺杂浓度分布均是可调的。其制备方法是：先低温气相沉积法沉积一层掺杂非晶或微晶硅薄膜，然后快速热处理晶化。本发明可获得更灵活的晶硅太阳能电池pn结结构和制备方法，为进一步改善晶硅太阳能电池器件结构和工艺，提高其转换效率提供了空间。
用于太阳能电池多晶单晶硅异质结结构及其制备方法

[实用新型]硅基异质接面太阳能电池-CN201620459734.0有效
发明人：张金隆;杨茹媛;陈坤贤 -专利权人：盐城金合盛光电科技有限公司
申请日： 2016-05-19 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅基异质接面太阳能电池。硅基异质接面太阳能电池，包含：一硅基PN接面结构，具有两个相对表面，其中硅基PN接面结构是由一P型半导体层与一N型半导体基板所组成，N型半导体基板具有一第一糙化表面以及一第二糙化表面，且P型半导体层的能隙不同于N型半导体基板的能隙；其中，该第一糙化表面以及该第二糙化表面具有凹凸的一金字塔纹理化结构，该金字塔纹理化结构中的该金字塔宽度与金字塔锥顶高度的比值在2到0.8之间。该硅基异质接面太阳能电池能具有高质量的纹理结构，改善其电流特性及提升光电转换效率的特性。
硅基异质接面太阳能电池

[发明专利]一种铜铟镓硒表面硫化的工艺方法-CN201510151213.9在审
发明人：侯惟仁;陈梓斌;李升翰;郭峻江 -专利权人：新能光电科技股份有限公司
申请日： 2015-04-01 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L31/0749 文献下载
摘要：本发明提供了一种铜铟镓硒表面硫化的工艺方法。该方法包含：利用沉积技术，在铜铟镓硒层上沉积硫单质层；以及进行退火程序，在所述铜铟镓硒层表面上形成硫化处理层。利用沉积技术，较容易控制硫单质层的膜厚，也较容易控制硫单质层的均匀性，而且不需要现有技术工艺中气体的混合及均匀化过程，故工艺的稳定性也相对较高。使用硫单质作为制造材料，提高了工艺的安全性。此外，利用沉积技术亦能够提高制造速度，减少工艺工时，能够更进一步减少制造的成本。该工艺方法使铜铟镓硒层的表面转化为铜铟镓硫硒(CIGS_xSe_1-x)，以提升铜铟镓硒薄膜太阳能电池的发电效率与性能。
一种铜铟镓硒表面硫化工艺方法

[发明专利]异质结太阳能电池及其制备方法-CN201610700380.9在审
发明人：耿梅艳;戚运东;马海庆;孟庆凯 -专利权人：山东新华联新能源科技有限公司
申请日： 2016-08-19 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明提供了一种异质结太阳能电池及其制备方法。该异质结太阳能电池包括顺序层叠设置的P型氢化非晶硅层、第一钝化层、单晶硅层、第二钝化层和N型氢化非晶硅层，第一钝化层和/或第二钝化层为本征氢化非晶硅氧层。由于本征氢化非晶硅氧材料相比于本征非晶硅材料具有更低的表面缺陷密度，从而通过采用本征氢化非晶硅氧层作为异质结太阳能电池的钝化层，提高了非晶硅/单晶硅界面的钝化效果，使电池具有较高的开路电压，增强了工艺可控性；并且，由于本征氢化非晶硅氧材料相比于氢化非晶硅材料具有更宽的禁带宽度，从而增加了发射极、背电场与单晶硅层之间的势垒，大大减小了漏电流，进而提高了异质结太阳能电池的转换效率。
异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]太阳能电池-CN201280074233.5有效
发明人： C·巴立夫;乔纳斯·盖斯比勒 -专利权人：洛桑联邦理工学院
申请日： 2012-06-29 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳能电池，包括：半导体晶圆(1)；发射极，由至少一个发射极区域(20)形成，至少一个发射极区域(20)包括至少第一导电类型的第一层(3)和允许载流子提取或注入的第一接触层(4)；背接触，包括至少第二导电类型的第二层(6)和允许载流子提取或注入的第二接触层(4)，第二导电类型与第一导电类型相反；电接触(8、9)，被分别连接到发射极区域(20)和背接触，并且被设计为从太阳能电池中输出电流。根据本发明，发射极的面积占所述晶圆(1)的设置有发射极区域(20)的一侧的面积的0.5％至15％，晶圆(1)的该侧的面积的剩余部分覆盖有包括至少第一钝化层(12、16)和至少一个第一可选附加层在内的第一钝化区域(40)，所述至少一个第一可选附加层使得第一钝化层不允许载流子提取或注入，第一钝化区域未被所述发射极区域(20)的所述第一导电类型的第一层(3)完全覆盖。
太阳能电池

[发明专利]太阳能电池组件的制造方法-CN201480003963.5有效
发明人：李洪宰 -专利权人： TES股份有限公司
申请日： 2014-07-18 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳能电池组件，其特征在于，包括：结晶硅晶片；一个以上非晶硅薄膜，其至少在所述结晶硅晶片的上部和下部之一设置；透明导电膜层，其设置于所述非晶硅薄膜的表面；电极，其设置于所述透明导电膜层的表面；及，分隔部，其将所述透明导电膜层分隔成与所述电极电连接的导电区域，以及与所述电极电气隔离的非导电区域。根据本发明的太阳能电池组件，其将表面设置的增透膜分隔为厚度相同的导电区域和厚度不同的非导电区域，而将所述导电区域与电极电连接，进而防止开路电压和填充因子的减少。
太阳能电池组件制造方法

[发明专利]CIGS系化合物太阳能电池-CN201480008166.6有效
发明人：寺地诚喜;河村和典;山本祐辅;西井洸人;渡边太一 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2014-01-24 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： H01L31/0749 文献下载
摘要：提供一种CIGS系太阳能电池，其生产效率和转换效率这两特性优异，其在基板(1)上依次具备CIGS光吸收层(3)、缓冲层(4)、透明电极层(5)，使上述缓冲层(4)含包含ZnO、MgO、ZnS的混晶。
cigs 化合物太阳能电池

[实用新型]一种异质结太阳能电池及模组-CN201521136973.4有效
发明人：杨与胜;王树林;宋广华;罗骞;张超华;庄辉虎 -专利权人：钧石(中国)能源有限公司
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本实用新型涉及太阳能电池领域，尤其涉及一种异质结太阳能电池及模组，所述太阳能电池包括N型单晶硅片；分别依序设在N型单晶硅片部分受光面及第一侧面上的本征非晶硅薄膜层、N型掺杂非晶硅层和透明导电膜层；分别依序设在N型单晶硅片部分背光面及第二侧面上的本征非晶硅薄膜层、P型掺杂非晶硅层和透明导电膜层；设在N型单晶硅片受光面及第一侧面的透明导电膜层上的金属栅线电极；设在N型单晶硅片背光面及第二侧面的透明导电膜层上的金属栅线电极；分别设在N型单晶硅片另一部分受光面及另一部分背光面上的隔离绝缘条。同一电池串相邻的电池片之间不需要预留间隙，增加模组中电池片的有效利用面积，减少了模组的串联电阻。
一种异质结太阳能电池模组

[发明专利]太阳能电池模块及其制造方法-CN201280069020.3有效
发明人：池奭宰 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L31/0749 文献下载
摘要：公开了一种太阳能电池模块及其制造方法。所述太阳能电池模块包括：背电极层，布置在支撑基板上，并且具有第一分离图案；光吸收层，布置在所述背电极层上并且具有第二分离图案；以及，多个太阳能电池，布置在所述光吸收层上，并且形成为具有包括绝缘体的前电极层。
太阳能电池模块及其制造方法

[实用新型]一种CIGS基薄膜太阳能电池-CN201620109991.1有效
发明人：李艺明;邓国云 -专利权人：厦门神科太阳能有限公司
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： H01L31/0749 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种CIGS基薄膜太阳能电池，其包括：衬底、背电极层、金属氮化物层、光吸收层、缓冲层、透明导电层。本实用新型通过在背电极层与光吸收层之间设置一金属氮化物层可有效控制硒化热处理对背电极层的影响，同时可将光反射进入光吸收层中，因此本实用新型增大薄膜太阳能电池的短路电流且可降低薄膜太阳能电池的串联电阻，提高薄膜电池的性能。
一种 cigs 薄膜太阳能电池