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[发明专利]背硅化可变电容器器件-CN201980026096.X在审
发明人： S·格科特佩里;F·A·马里诺;N·卡尼克;P·V·科勒夫;梁晴晴;P·梅内戈里;F·卡罗博兰特;A·哈德吉克里斯托斯 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：本公开的某些方面提供了一种半导体器件。一个示例半导体器件，大体上包括半导体区域、绝缘层、第一端子、以及耦合到第一端子的第一非绝缘区域，该绝缘层设置在第一非绝缘区域与半导体区域之间。在某些方面中，绝缘层相邻于半导体区域的第一侧设置。在某些方面中，该半导体器件还包括第二端子和第一硅化物层，该第一硅化物层耦合到第二端子并且相邻于半导体区域的第二侧设置，该第一侧和第二侧是半导体区域的相对侧。
背硅化可变电容器器件

[发明专利]半导体元件的制造方法-CN201910103609.4有效
发明人：田矢真敏;中野纪夫;熊谷裕弘 -专利权人：合肥晶合集成电路有限公司
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种半导体元件的制造方法，能够抑制成本，防止可变电容元件的电容特性的劣化。一种半导体元件的制造方法，在衬底的表面形成MOS结构的FET和变容二极管，其具备如下工序：第一遮掩工序，其在衬底的表面生成光阻层，所述光阻层的形状覆盖变容二极管区域的阱表面；沟道形成工序，其将极性与在衬底的表面形成的FET区域的阱相同的杂质注入衬底的表面，对FET区域的阱形成沟道区域；栅极形成工序，其分别在FET区域的阱上及变容二极管区域的阱上间隔着绝缘膜形成栅极G；第二遮掩工序，其在衬底的表面生成第二注入阻挡层，该第二注入阻挡层覆盖与第一注入阻挡层相同的区域；以及外延形成工序，其将极性与FET区域的阱相反的杂质注入衬底的表面，对FET区域的阱形成外延区域。
半导体元件制造方法

[发明专利]可变电容器平带电压工程-CN201880086382.0在审
发明人： F·A·马里诺;N·卡尼克;F·卡洛波兰蒂;P·梅内格利;Q·梁 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：本公开的某些方面提供了半导体可变电容器。一个示例半导体可变电容器通常包括半导体区，绝缘层和第一非绝缘区，该绝缘层被布置在半导体区与第一非绝缘区之间。在某些方面，半导体可变电容器还可包括毗邻于半导体区布置的第二非绝缘区和毗邻于半导体区布置的第三非绝缘区，第二非绝缘区和第三非绝缘区具有不同掺杂类型。在某些方面，半导体可变电容器还可包括在半导体区与绝缘层之间布置的注入区。注入区可用于调整半导体可变电容器的平带电压。
可变电容器电压工程

[发明专利]一种变容二极管管芯及其制备方法-CN201510683857.2有效
发明人：张淑云 -专利权人：天津天物金佰微电子有限公司
申请日： 2015-10-20 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：本发明提供一种变容二极管管芯及其制备方法，所述管芯上具有两层钝化层，第一钝化层位于PN结与银台电极之间，但不完全阻隔PN结与银台电极的接触，第二钝化层覆盖在所述管芯的最上层。本发明的有益效果是常温反向击穿电压漂移蠕变得到极大改善；依据本发明所制备的器件常温反向漏电流值减小，性能参数得到了提高；器件在高温150℃下，经过时间48h反偏后，在高温状态下进行测试，其反向漏电流值及离散性减小，高温漏电流达到了小于30nA的优良指标要求；高温150℃下，经过时间48h反偏后恢复到常温测试其反向击穿电压与反偏前初始值的变化量减小，反向击穿电压变化量与初始值百分比减小，器件的高温性能参数提高。
一种变容二极管管芯及其制备方法

[发明专利]具有降低的控制电压和改善的品质因数的TRANSCAP器件架构-CN201880041245.5在审
发明人： F·A·马里诺;N·卡尼克;梁晴晴;F·卡罗博兰特;P·梅内戈里 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2018-05-29 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：本公开的某些方面提供了一种半导体电容器。半导体电容器通常包括绝缘层和与绝缘层的第一侧相邻布置的半导体区域。半导体电容器还包括与绝缘层的第二侧相邻布置的第一非绝缘区域。在某些方面，半导体区域可以包括第二非绝缘区域，其中半导体区域包括具有不同掺杂浓度或不同掺杂类型中的至少一个的至少两个区域，并且其中该至少两个区域之间的一个或多个结被布置在第一非绝缘区域的上方或下方。
绝缘层半导体电容器半导体区域非绝缘区域相邻布置掺杂类型掺杂

[发明专利]用于改善金属氧化物半导体(MOS)变容器品质因数的栅极上的自对准触点(SAC)-CN201880040408.8在审
发明人：陆叶;岳云;陈全兴;杨斌;戈立新;廖肯 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2018-06-11 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：一种短沟道金属氧化物半导体变容器可以包括具有源极过孔触点的第一极性的源极区域。变容器还可以包括具有漏极过孔触点的第一极性的漏极区域。变容器还可以包括在源极区域与漏极区域之间的第一极性的沟道区域。沟道区域可以包括栅极。变容器还可以包括在栅极上并且在源极过孔触点与漏极过孔触点之间的至少一个自对准触点(SAC)。
触点变容器沟道区域漏极区域源极区域漏极源极金属氧化物半导体短沟道自对准

[发明专利]一种用于闪存电路中的变容二极管结构及其制造方法-CN201710609969.2有效
发明人：田志;钟林建;殷冠华;陈昊瑜 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-07-25 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：一种用于闪存电路中的变容二极管结构及其制造方法，包括一衬底、形成于衬底上的第一绝缘层、形成于第一绝缘层上的一浮栅极、与浮栅极相对而设的一控制栅极，以及形成于浮栅极和控制栅极之间的第二绝缘层；衬底上形成有一源极和一漏极；浮栅极单独引出第一连接线作为变容二极管电容的一极板，源极的引出线、漏极的引出线与控制栅极的引出线电气连接在一起形成第二连接线作为变容二极管电容的另一极板，第一绝缘层和第二绝缘层为变容二极管电容的介质层。本发明用于闪存电路中的变容二极管能够满足大容量电容需求同时又能很好兼顾芯片微小化趋势。
一种用于闪存电路中的变容二极管结构及其制造方法

[发明专利]使用阈值注入区域的半导体可变电容器-CN201880028706.5在审
发明人：李夏;F·A·马里诺;梁晴晴;F·卡罗博兰特;康相赫 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2018-04-06 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：本公开的某些方面总体上涉及使用阈值电压注入区域实现的半导体可变电容器及其制造技术。例如，半导体可变电容器总体上包括设置在第一半导体区域上方的第一非绝缘区域、设置在第一半导体区域上方的第二非绝缘区域以及插入在第一非绝缘区域与第一半导体区域之间并且与第二非绝缘区域相邻设置的阈值电压(Vt)注入区域。在某些方面，半导体可变电容器还包括设置在第一半导体区域上方的控制区域，使得第一非绝缘区域与第二非绝缘区域之间的电容被配置为通过改变施加到控制区域的控制电压而被调节。
非绝缘区域半导体区域半导体可变电容器控制区域注入区域阈值电压控制电压相邻设置电容施加配置制造

[实用新型]一种具有防水耐高温的变容二极管-CN201820095590.4有效
发明人：田海鑫 -专利权人：惠安县威科电子科技有限公司
申请日： 2018-01-21 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有防水耐高温的变容二极管，包括变容二极管本体，变容二极管本体的上端穿接有正极引线，正极引线与变容二极管本体的接缝处涂有防水胶，正极引线的底端与电极连接，电极的侧面设有二氧化硅保护层，电极的下方设有P型硅，P型硅的下端固定有垫板，垫板与二氧化硅保护层之间设有减震弹簧，变容二极管本体的底端穿接有负极引线，负极引线与变容二极管本体的接缝处同样涂有防水胶，通过设置防水胶防止水进入变容二极管本体内部，通过设置减震弹簧和垫板，减小变容二极管本体受到的冲击力，通过设置耐高温层，帮助变容二极管本体抵御外界高温，通过设置凸起条，帮助变容二极管散热，防止温度积聚。
变容二极管正极引线防水胶垫板二氧化硅保护层负极引线减震弹簧接缝处耐高温电极穿接底端防水本实用新型电极连接耐高温层外界高温温度积聚上端凸起条散热冲击力减小下端帮助侧面

[发明专利]一种正偏BE结晶体管变容电路-CN201610444327.7有效
发明人：熊祥正;薛力源;廖成;高明均;罗杰;郭晓东 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2016-06-21 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：本发明公开了一种正偏BE结晶体管变容电路，偏置电压正极接通直器，偏置电压正极负极接地；通直器，限流电阻，第一电容，限直器依次串联连接；晶体管的集电极和发射极接地，其基极连接在限流电阻与第一电容之间；第二电容一端接地，另一端连接在第一电容与限直器之间；限直器另一端接应用端口。本发明电路结构简单，成本低，具有大变容比、宽调谐的特性，有效解决了单个晶体管变容结构在微波低频段MMIC中难以实现宽调谐的难题。本发明的变容结构能用于多种晶体管，其偏置电压、变容范围、电容值及变容比可以在很大的范围内调整，有利于MMIC工艺的实现，具有很大的实际应用价值。
一种 be 结晶体管变容电路

[实用新型]一种具有防水耐高温的变容二极管-CN201820126739.0有效
发明人：陈阿全;刘浩 -专利权人：陈阿全
申请日： 2018-01-26 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有防水耐高温的变容二极管，包括变容二极管本体、外壳、第一电极杆、第二电极杆、风机箱、第一风扇、第二风扇、第一进风管、第二进风管、第一出气管、第二出气管、温度传感器和控制器，变容二极管本体的一端设有第一电极杆，变容二极管本体的另一端设有第二电极杆，变容二极管本体的外侧设有外壳，外壳的一端设有第一出气管和第二出气管，外壳的另一端设有第一进风管和第二进风管，第一进风管和第二进风管的一端设有风机箱。该变容二极管具有防水耐高温的性能，不仅提高变容二极管的性能和使用寿命，而且让变容二极管在各个领域中都能得到应用，不受环境限制，结构简单，方便推广。
变容二极管进风管出气管耐高温防水第二电极第一电极风机箱风扇本实用新型温度传感器环境限制使用寿命控制器应用

[发明专利]具有背侧触点的变容管器件-CN201580051386.1在审
发明人： D·D·金;J·金;C·左;S-J·朴;C·H·尹;M·F·维纶茨;D·F·伯蒂;M·M·诺瓦克;R·P·米库尔卡 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2015-09-04 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：一种装置包括具有位于基板的第一侧上的第一触点的变容管。该变容管包括位于基板的第二侧上的第二触点，并且第二侧与第一侧相对。该装置进一步包括第一触点与第二触点之间的信号路径。
具有触点变容管器件

[发明专利]具有异质结构的变容二极管-CN201510249636.4在审
发明人：陶更明 -专利权人：特里奎恩特半导体公司
申请日： 2015-05-15 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：本公开的实施方式描述了一种诸如变容二极管的集成电路(IC)器件的设备、方法和系统。IC器件包括组合集电极和异质结构。包括较宽带隙材料的层作为集电极/基极界面处的集电极的一部分。宽带隙材料的存在可以增加击穿电压并且允许在集电极的较窄带隙部分中增加超突变掺杂分布。这可以允许增加的调谐范围和改进的互调(IMD)性能，而不降低与单质结器件相关联的击穿性能。还可以描述和/或请求保护其他实施方式。
具有结构变容二极管

[实用新型]可变电容器以及半导体器件-CN201420291041.6有效
发明人：陈威;张晓燕 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-06-03 - 公布日： 2015-01-07 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种可变电容器，包括基底、阱区、N个栅极以及重掺杂区，所述阱区位于所述基底中，所述栅极位于所述阱区上，所述两个以上栅极在第一方向上依次排列，所述重掺杂区位于所述阱区中，所述重掺杂区分布于所述栅极至少部分区域在第二方向的两侧，并位于相邻的所述栅极之间，在所述可变电容器中，所述栅极至少有三个侧边紧邻所述重掺杂区，提高了载流子的数量，降低了所述可变电容器的电阻，从而提高了所述可变电容器的品质因子。本实用新型还提供了一种包含上述可变电容器的半导体器件。
可变电容器以及半导体器件

[发明专利]变容二极管、电器件及其制造方法-CN201310531351.0无效
发明人： G.贝蒂内希;J.迪特尔;R.派希尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2013-11-01 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：本发明是变容二极管、电器件及其制造方法。电器件包括半导体材料。所述半导体材料包括：具有第一导电型的所述半导体材料的第一区域；具有与所述第一导电型互补的第二导电型的所述半导体材料的第二区域；以及所述第一区域与所述第二区域之间的所述半导体材料的中间区域。所述第一区域和所述第二区域经由所述中间区域位于彼此邻接以致形成二极管结构。所述中间区域的形状从所述第一区域到所述第二区域逐渐变细。
变容二极管器件及其制造方法