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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]包含光电子电路的晶片及该晶片的检验方法-CN98105939.2无效
发明人： A·格朗让;P·昆兹 -专利权人： EM微电子马林有限公司
申请日： 1998-02-16 - 公布日： 1998-09-16 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种晶片(10),包括若干第一类型的集成光电子电路(11),上述第一类型的电路每个都包括电子模块(13)和至少第一光电二极管(14)。所述晶片(10)的特征在于还包括至少一个第二类型的集成光电子电路(21),其包括电子模块(23),至少一个第二光电二极管(24)以及至少一个用于连接外部测量装置的焊盘(25),所述至少一个焊盘(25)是重叠在所述至少一个第二光电二极管(24)之上,使得所述至少一个第二类型的电路(21)可以用作检验制造所述晶片的电路。
包含光电子电路晶片检验方法

[发明专利]集成电路的测试方法与装置-CN98103705.4无效
发明人：伯纳德J·佩帕特;克拉克·谢泼德;艾尔弗雷德·拉里·克劳奇;罗伯特·阿什 -专利权人：摩托罗拉公司
申请日： 1998-01-26 - 公布日： 1998-08-12 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种探测有缺陷的CMOS器件的方法,利用一个做在芯片和(或)圆片一次性面积上的监测电路来监测静态电流的状态。将监测单元加进圆片的划片道中,其中压焊点做在芯片的角上并且通过圆片的金属连线与监测单元连接。监测单元10根据表示电压随时间衰减的IDDQ来确定缺陷芯片,其中Vdd通过监测单元中的开关加到芯片上。其它的实施方法将不同的配置和功能及其它测试加入圆片级测试系统。
集成电路测试方法装置

[发明专利]半导体元件分离端缺陷评价测试结构和评价方法-CN97114573.3无效
发明人：木村干广;关根正广 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 1997-07-14 - 公布日： 1998-06-03 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：提高用C－t测定法评价半导体元件分离端缺陷的测试结果之准确度。把铝压焊区设置到场氧化膜元件分离结构5之上。通过铝布线结构10等把铝压焊区11与栅极7电连接起来。测定时使探针3接触到压焊区11上来施加电压。通过使探针3不直接接触栅极7,使得应力不加到产生耗尽层的栅极绝缘膜6之下的区域内。
半导体元件分离缺陷评价测试结构方法

[发明专利]半导体器件及其测试方法-CN97121941.9无效
发明人：山田义明 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1997-11-21 - 公布日： 1998-06-03 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种在金属膜形成后及在金属膜加工图形前立即测试半导体器件而不损坏基片的方法。它先将基片分为产品区及测试图形区。再在基片上形成绝缘膜。再后,在绝缘膜内及在产品区和测试图形区上形成窗孔。接着,在窗孔内及在绝缘膜上形成金属膜。最后对金属膜进行图形加工形成布线图形。对测试图形区的窗孔中金属膜的形成状态作真实测试。检查是否存在空洞。以此结果,估价产品区内窗孔中金属膜的形成状态。
半导体器件及其测试方法

[发明专利]存储器大规模集成电路特定部分的搜索方法和装置-CN97118628.6无效
发明人：杉本正明 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1997-09-11 - 公布日： 1998-04-22 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：搜索存储器大规模集成电路的特定存储单元的方法,用于参考对应于对多个重复配置的存储单元的阵列结构的集成电路上进行电气测试的结果输出的逻辑地址的物理地址部分操作为存储器大规模集成电路进行分析、处理或观测。此外,参考包含存储单元的阵列结构的端点、存储单元、存储单元之间部分的区域持续观测位置坐标,根据亮度或发光度的变化对现有存储单元号进行计数,计算值和物理地址值彼此一致的部分选为所述逻辑地址的部分。
存储器大规模集成电路特定部分搜索方法装置

[发明专利]半导体集成电路试验装置-CN97109580.9无效
发明人：菅和成 -专利权人：株式会社爱德万测试
申请日： 1997-02-27 - 公布日： 1997-11-12 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种半导体集成电路试验装置，主机架为横向长的箱状体，其高度接近晶片检测器；两台晶片检测器在主机架的前侧横向并列配置；两条输出轴分别通过联轴器安装于一台旋转驱动装置上；测试头安装在各输出轴上；旋转驱动装置在其上部的后段装载于主机架的上面的状态下被设置于主机架的前面；安装在输出轴上的各测试头处在与对应的晶片检测器的触头部相对的位置，在和主机架的上部位置之间旋转驱动，其目的在于减少设置面积，降低成本。
半导体集成电路试验装置

[发明专利]控制器大容量存储器混装型半导体集成电路器件及测试法-CN96119297.6无效
发明人：桃原朋美 -专利权人：东芝株式会社
申请日： 1996-11-29 - 公布日： 1997-10-29 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明揭示一种控制器大容量存储器混装型半导体集成电路器件及其测试和使用方法。该器件在半导体芯片(100)内至少具有作为主存储单元的大容量存储器(1)、对外部与(1)的数据输入输出进行控制的控制器(2)、能改写数据的存储单元(34)、将按(34)中自测试序列对(1)进行自测试求得的数据存到缓冲存储器(22)的电路和按(34)所写自冗余序列对与(22)所存故障地址对应的不合格部分进行自保护处理的电路。
控制器容量存储器混装型半导体集成电路器件测试

[发明专利]半导体晶片边缘检查方法和设备-CN96106205.3无效
发明人：李斯力·G·斯坦汤;肯奈思·克劳斯 -专利权人： MEMC电子材料有限公司
申请日： 1996-05-07 - 公布日： 1997-02-12 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：用于同时对多枚半导体晶片的边缘进行检查的仪器设备和方法。晶片被保持在盒中并把一束圆柱形光束正切式地投射到晶片的上边缘部分。视觉检测来自任何晶片的边缘的揭示边缘缺陷的光的反向散射。应用仪器设备使晶片进行旋转使得晶片的整个圆圈都被检查。本仪器设备这样保持晶片，使得在检查工艺期间保护它们的已抛光的表面。
半导体晶片边缘检查方法设备

[发明专利]用肉眼检查半导体器件引线的方法及设备-CN96104358.X无效
发明人：木田智之 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1996-01-30 - 公布日： 1996-12-18 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：关于半导体器件的设计尺寸变换成外形设计图像数据，与半导体器件拍成图像时产生的外形图像数据相同，外形设计图像数据与外形图像数据彼此重叠。当外形设计图像数据与外形图像数据彼此不重叠时确定所产生的误差，并将误差与标准值比较，确定半导体器件的引线弯曲是否合格。
肉眼检查半导体器件引线方法设备

[发明专利]确定化合物半导体层临界薄膜厚度及制造半导体器件-CN95121537.X无效
发明人：玉村好司;塚本弘范;长井政春;池田昌夫 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 1995-11-14 - 公布日： 1996-10-30 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：通过采用本发明方法可确定化合物半导体层的临界薄膜厚度，并能够制造一种具有最佳薄膜厚度的化合物半导体层的半导体器件，该半导体器件具有优良的发射性能。通过测量来确定化合物半导体层的薄膜厚度与对应于该薄膜厚度的荧光(PL)之间的关系，将PL达到峰值时的薄膜厚度定为临界薄膜厚度。所述化合物半导体层由至少包括镉的Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体层构成。
确定化合物半导体临界薄膜厚度制造半导体器件

[发明专利]具有识别电路的半导体集成电路芯片-CN90107204.4无效
发明人：全东守;昔容轼 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1990-08-25 - 公布日： 1994-06-29 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种具有一个识别电路的半导体集成电路芯片包括一对电源供给端、多个输入端及一个连接在任一电源供给端和任一输入端间的识别电路装置。该识别电路装置包括一个限制在电源供给端和输入端之间的输入电位差、具有一预定限幅电压电平的电压限幅器及与电压限幅器连接的选择装置，根据电流通路是否在制造工艺中形成来决定芯片的识别信息。芯片的识别测试是用已有的输入端、输出端和电源端完成的，无须额外测试、特征管脚、激光设备等。
具有识别电路半导体集成电路芯片

[其他]双向微动调心装置-CN87217516无效
发明人：王江;邹自强 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 1987-12-30 - 公布日： 1988-11-30 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型是一种用于高精度测量的双向微动调心装置，由调节螺杆，弹性元件，立柱，上台面，底座组成。以弹性元件的弹性比作为其传动比，用刚度很小的弹性元件推动刚度相对很大的立柱，利用立柱的弹性形变，达到调节的目的，采用三根或三根以上立柱，避免调节中的倾斜误差，并使二个方向的调节相互独立成为可能。本实用新型具有结构简单，调节方便，成本低，测量精度高，行程大，灵敏度可变的优点。
双向微动装置

[其他]液晶显示元件的测试方法-CN88102316无效
发明人：罗伯特·阿诺德·哈特曼;汉斯·彼得·佩洛石克 -专利权人：菲利浦光灯制造公司
申请日： 1988-04-18 - 公布日： 1988-11-09 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：用电子束(7)扫描不可能用一般方法进行处理的液晶显示半成品的图象电极，以便测试有关的开关元件(13，20)。在不同类型的液晶显示半成品中，可用激光束(5)照射开关元件(23，24)来监控这些开关元件的质量。
液晶显示元件测试方法

[其他]管芯测量观察装置-CN87201004无效
发明人：陈瑞璋 -专利权人：中国科学院上海冶金研究所
申请日： 1987-02-05 - 公布日： 1988-05-18 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型是半导体激光或发光二极管管芯的测量观察装置，属于半导体光辐射器件制造或处理时的测量设备。它由抽气泵，通气泵阀，使管芯绕轴和自身作360°旋转和上下移动的机械调节机构及观察显微镜组成。本实用新型配以测量仪器可以测量激光器或发光二极管的电学特性，电光特性，也可观察激光二极管管芯的解理腔面，通气泵阀可使管芯方便的吸附在吸片针上及使管芯自然落入管芯盒中。是LD与LED研究制造过程中的有效监测工具。
管芯测量观察装置

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