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[实用新型]IC测试分类机吸持装置的套合件-CN01208016.0无效
发明人：谢来福;黄清荣;廖沐盛;谢宜璋 -专利权人：矽统科技股份有限公司
申请日： 2001-03-16 - 公布日： 2002-03-27 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型提供一种集成电路(IC)测试分类机吸持装置的套合件,套合固定在吸持装置吸持IC的一端,其一体地设有一中间设有开口的固定板,固定板的一面与吸持装置固定和以所述固定板的开口为中心向另一面垂直延伸的套合环壁,套合环壁外端的内壁设有配合IC外形的倾斜面。藉由以上构造,套合件与IC藉由倾斜面接合,可形成易于导入,无保留方便套合的间隙,故定位IC时不会有偏位,达到测试的准确性。
ic 测试分类机装置套合件

[发明专利]半导体晶片磨光的方法和系统-CN00803741.8无效
发明人： L·张 -专利权人：皇家菲利浦电子有限公司
申请日： 2000-09-12 - 公布日： 2002-03-13 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种在CMP(化学机械磨光)机上优化半导体晶片的CMP处理的方法。优化方法包括在一个CMP机上磨光一个测试系列的半导体晶片的步骤。在CMP处理期间,利用连接于磨光机上的薄膜厚度检测器来测量相应晶片上接近于中心的第一点上的薄膜厚度。还要测量接近于相应晶片的外部边缘处第二点上的薄膜厚度。根据在第一点和第二点上测量的处理中的晶片的薄膜厚度,优化处理确定一个描述与一组处理变量相关的清除率和清除均匀度的磨光轮廓。处理变量包括磨光处理的不同的CMP机设定,诸如施加于晶片上的向下作用力的大小。从而,磨光轮廓被随后用于磨光产品晶片。对于每一个产品晶片,通过利用薄膜厚度检测器测量晶片中心点和外部边缘点的薄膜厚度,来确定其相应的清除率和清除均匀度。基于这些测量,依照清除率和清除均匀度的测量结果来调整该组处理变量,在磨光每个相应的产品晶片时,优化产品晶片的CMP处理。
半导体晶片磨光方法系统

[发明专利]监测缺陷用掩模-CN96110406.6无效
发明人：李根镐;金政会 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1996-06-24 - 公布日： 2002-03-06 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明的掩模由所提供的第一焊盘、在与第一焊盘相距给定距离处与第一焊盘相对的第二焊盘、互连第一焊盘和第二焊盘的之字形线、和在石英基片上内连第一焊盘和第二焊盘及线的多个单元图形组成。由于本发明的掩模不仅能用缺陷检查系统分析缺陷发生的数量而且能进行电测量，所以能对缺陷进行定性、定量和分类分析。$#!
监测缺陷用掩模

[实用新型]半导体元件测试的工具-CN01204607.8无效
发明人：廖沐盛;林蔚峰;蔡进文;黄清荣 -专利权人：矽统科技股份有限公司
申请日： 2001-02-26 - 公布日： 2002-03-06 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种半导体元件测试的工具,主要设有一工具本体1,本体底部设有取置头2,取置头2底面中间位置凹陷一空间23,于取置头底面,在该空间的周围设有数气孔21,内部并设有气道22与底部的气孔21相通,工具本体1底部两侧设有缓冲块3。工具本体的另两侧设有导引孔13。本实用新型的优点是不会造成晶片的损坏,提高了产品的优良率,同时具有静电防护的功能。
半导体元件测试工具

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN01124759.2有效
发明人：池谷浩司 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2001-08-03 - 公布日： 2002-02-27 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种半导体器件的制造方法,可以克服在通过以往的传递模塑制造单独的半导体器件的方法中,由于在传递模塑以后凌乱地分离为一个个半导体器件,因此需要使各个半导体器件对准一定的方向单独地进行特性的测定,增加多余的工艺并且浪费时间的缺点。本发明在粘贴在粘合片的状态下测定一个个半导体器件40的特性。这时,一个个半导体器件40沿一定方向对准并排列,进而,用照相机视野53捕捉半导体器件40a进行位置识别,省略与半导体器件40a相邻接的半导体器件40b、40c、40d、40e的位置识别工艺。具有大幅度地缩短作业时间而且提高生产性的特征。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件的三维缺陷分析方法-CN96112213.7无效
发明人：具政会 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1996-07-19 - 公布日： 2002-02-20 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种在制成半导体器件的晶片中，仅检查产生缺陷的该芯片的半导体器件三维缺陷分析方法，其工序包括除含有缺陷处的一定部位外，在整个保护面上涂敷感光膜；在所述感光膜上和晶片的侧面涂敷乙烯树脂；除掉所述第二金属布线上露出的保护膜；经蚀刻除去位于露出的第二金属布线层和下部的第一金属布线层之间的绝缘膜；用扫描电子显微镜调节倾斜角和旋转角观察经蚀刻所述绝缘膜露出的两层金属布线。
半导体器件三维缺陷分析方法

[发明专利]用于半导体器件缺陷调查试验片的制造方法-CN96112227.7无效
发明人：具政会;朴斗镇 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1996-07-19 - 公布日： 2002-02-20 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种半导体器件缺陷调查用试验片的制造方法。在完成半导体器件成形的晶片状态下，仅检查包括缺陷处的该芯片。其工序包括寻找存在于晶片图形层上的缺陷处；在所述晶片的整个面上形成感光膜；在不另外分离各芯片的晶片状态下，以包括缺陷处的芯片背面靠近缺陷处的一点为中心，研磨芯片背面，直至留出上部一侧直径大下部一侧直径小的孔；通过腐蚀除掉在研磨部位剩下的硅残留物。
用于半导体器件缺陷调查试验制造方法

[发明专利]测量半导体器件结区漏电流的方法-CN96106893.0无效
发明人：张世亿;宋泰植 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1996-07-01 - 公布日： 2002-02-13 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种测量半导体器件结区漏电流的方法，该法是在隔离元件的氧化膜形成之后通过实行简单的加工步骤能完成漏电流的简单而精确的测量。该法包括以下各步骤制备一块第一导电类型的硅基片；在该第一导电类型硅基片上形成隔离元件的氧化膜，因而在所说的第一导电类型的硅基片内确定了有源区和场区；将第二导电类型的杂质离于注入到第一导电类型的硅基片的有源区，因而形成杂质扩散区；在杂质扩散区形成后所得的结构上形成导电层，并使该导电层构成图形，因而形成多个相互隔离的管芯；以及将一电压通过所说的导电层施加于所说的杂质扩散区，以此测量结漏电流。
测量半导体器件漏电方法

[发明专利]供球栅阵列基板使用的测试装置-CN01109271.8无效
发明人：谢来福;谢宜璋;廖沐盛 -专利权人：矽统科技股份有限公司
申请日： 2001-03-02 - 公布日： 2002-02-06 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明是提供一种供一球栅阵列基板使用的测试装置,测试装置包含有一抽真空装置、一测试电路板以及一导电橡皮;测试电路板设于抽真空装置之上,测试电路板具有复数个孔洞贯穿该测试电路板;导电橡皮设于测试电路板上,其中该球栅阵列基板是配置于该导电橡皮上;该测试装置藉由抽真空装置,经由测试电路板的复数个孔洞吸附导电橡皮以减少摩擦引起的静电,同时并降低导电橡皮因变形所造成的测试不稳。
供球栅阵列使用测试装置

[发明专利]集成微触针及其生产方法-CN01123196.3无效
发明人：吉田春雄;前田泰宏;宫川嘉英 -专利权人：株式会社爱德万测试
申请日： 2001-06-15 - 公布日： 2002-01-09 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明允许检测封装前高密度LSI的高速信号,其中具有电极以例如150μm的量级分隔开。穿过终端支架11形成的用于终端的同轴传输线13,安排成二维阵列。连接到传输线13一端的是微触针18的一端,如导电须,而传输线13的另一端穿过结构与接线端11支架相似的连接板,连接到三维向上逐渐放宽结构的传输线块61上。传输线块61保持用于中继的高频传输线62,一端连接到同轴传输线13的另一端上,并且具有临近传输线之间的间隔在另一个上端放宽。传输线62分隔得宽的上端连接到性能板上。微触针18在长度上大约为0.3到0.5mm,并且在整个传输线62上特性阻抗保持一致。终端支架11是可替换的。
集成微触针及其生产方法

[实用新型]气浮式晶体检选装置-CN01219164.7无效
发明人：吕文鎔;刘锦源;郑贤豪;赖俊魁;黄朝显;林知明 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2001-04-10 - 公布日： 2002-01-09 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种气浮式晶体捡选装置包括一气缸单元、一活塞单元及一气压单元;主要是将晶体捡选头设计成活塞式,并通过气压单元在活塞上、下侧施以精密控制的气压,使该捡选头呈现一气浮现象,因此,不需使用弹簧就可获得较佳的缓冲效果;气压单元通过一精密调压阀及两组电磁阀的串接使用,可将精确“定量”的气压封闭在两电磁阀之间的管路上,当进行“破真空”过程时,只要将其中的一电磁阀开启,便能精确控制“破真空”的定量气体。
气浮式晶体装置

[实用新型]中大规模数字电路动态老炼测试设备-CN01204706.6无效
发明人：赵俊芳;刘银玲;李燕南;杨青海;胡勇 -专利权人：赵俊芳;李燕南
申请日： 2001-02-28 - 公布日： 2002-01-09 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种中大规模数字电路动态老炼测试设备,包括一个主题机柜及一个含有计算机主机及CRT显示器组成的控制台,内部结构采用模块化设计,主机柜中的侧边设置了高、低温试验箱,上层排列一组通用老炼单元,下层排列一组通用控制单元和一组程控直流稳压电源,本设备是非常实用的能对中大规模数字电路同时进行功率动态老炼与参数测试的专用设备。
大规模数字电路动态测试设备

[发明专利]用于半导体器件缺陷调查的试验片的制造方法-CN96112228.5无效
发明人：具政会;朴斗镇 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1996-07-19 - 公布日： 2002-01-02 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种用于半导体器件缺陷调查的试验片制造方法，在衬底背面可观察半导体器件图形层底面发生的缺陷处，其工序包括在图形层发生缺陷处的晶片中，切断所述缺陷处附近部位，制作包括缺陷处的一定大小的试验片；在所还试验片的硅衬底上形成的图形层之上模制树脂成型；研磨所述硅衬底背面，使对图形层的水平面具有一斜度；用腐蚀溶液蚀刻研磨面，使缺陷处露出。$#!
用于半导体器件缺陷调查试验制造方法

[发明专利]探测卡-CN95109441.6无效
发明人：朴炳玉 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1995-07-12 - 公布日： 2001-12-26 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种用于半导体元件测试的探测卡，它包括一具有一组带有一弯折形段的探针支撑孔的基片和一组分别插入所述探针支撑孔的探针。由于探测卡是由与晶片相同的材料制成的而使探测卡的热膨胀率与该晶片的热膨胀率相同，由此防止了由温度改变而引起的测试误差，而且通过用张力将探针固定在弯折形探针支撑孔内而可测试各种类型的半导体元件，并且由于易于用新探针更换旧探针而获得一种半永久寿命的探测卡。$＃!
探测

[发明专利]模拟缺陷晶片和缺陷检查处方作成方法-CN01119349.2无效
发明人：野田智信 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2001-05-30 - 公布日： 2001-12-12 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：用具备对于模拟正常图形具有在高度方向上的变化和在平面形状上的变化的模拟缺陷图形的模拟缺陷晶片作成暂定检查处方,对于该模拟缺陷晶片用实际的缺陷检查装置进行缺陷检查,使所检测出来的缺陷数据与预先得到的上述模拟缺陷晶片的模拟缺陷数据进行对照使缺陷检测灵敏度定量化,一直到可以得到所希望的缺陷检查率为止,变更处方参数修正暂定检查处方,把得到了上述所希望的缺陷检测率时的处方参数定为上述缺陷检查装置的处方参数。
模拟缺陷晶片检查处方作成方法