“H01L21/66”专利分类搜索_专利查询_文献下载_出售_求购_买卖_交易

钻瓜专利网为您找到相关结果7424个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]应用于半导体产品生产的植入式可靠度分析系统-CN02136848.1有效
发明人：简维廷;余青蓉;陈胜福 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2002-09-06 - 公布日： 2004-03-10 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及应用植入式可靠度分析系统于半导体产品生产，特别是晶圆层级的可靠度分析。主要特征是应用可靠度分析系统与相关概念，整合产品发展、制程、测试中所有机台、所有流程与各批晶圆之可靠度讯息于一数据库，并将所有数据分门别类。如此，每当任一机台、任一流程或任一批晶圆有任何变化，便可以立刻藉由与数据库对比判断可能的缺失与解决之道。此外，藉由整合所有的数据(包括良率与可靠度讯息)，便可判断对任一机台、任一流程或任一批晶圆的任何变化，对最终产品之可靠度的变化。进而有助于评估新制程技术研究的发展，亦即将先前与目前发展的技术做一比较并建立关系，以用于新产品寿命估计、提出相关可靠度问题及以往的解决方案。
应用于半导体产品生产植入可靠分析系统

[发明专利]存储器字线结构与电容器重叠偏移的测试元件及测试方法-CN02141562.5有效
发明人：吴铁将;黄建章;丁裕伟;姜伯青 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2002-09-02 - 公布日： 2004-03-10 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体测试元件及方法，特别涉及一种用于检测动态随机存取存储器的字线结构与深沟电容器重叠是否产生偏移的测试元件，是设置于一芯片的切割道中，包括一沟道电容器，设置于上述切割道中，具有一埋入板；一矩形字线，设置于上述切割道之上，覆盖部分的深沟电容器；一第一路过字线和一第二路过字线，设置于沟道电容器上方两侧；一第一掺杂区和一第二掺杂区，分别设置于矩形字线与第一路过字线之间，以及矩形字线与第二路过字线之间；一第一接触插塞，耦接至第一掺杂区；一第二接触插塞，耦接至第二掺杂区；以及一第三接触插塞，耦接至埋入板。
存储器结构电容器重叠偏移测试元件方法

[发明专利]宽带数据通信芯片检测方法及芯片-CN03146624.9无效
发明人：龙刚 -专利权人：北京港湾网络有限公司
申请日： 2003-07-09 - 公布日： 2004-03-10 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种宽带数据通信芯片的检测方法，以及可实现上述方法的芯片。本发明的宽带数据通信芯片包括若干STM和FIFO，FIFO为DATCNT式FIFO，在每一FIFO上设置一DATCNT值监视模块，包括一监视器和一历史状态寄存器，监视器监视DATCNT值，在DATCNT值处于无效范围时触发历史状态寄存器，将历史状态寄存器置高，发出告警信息。本发明通过设置在FIFO上的监视模块，能够在不借助逻辑分析仪等观察仪器的情况下，快速准确判断芯片内部任一状态机和FIFO之间是否发生过配合失误，不仅大大提高了芯片的可靠性、稳定性，而且为工程师提供了快速定位问题的手段，大大提高了芯片的开发进度。可广泛应用于宽带数据通信芯片技术领域。
宽带数据通信芯片检测方法

[发明专利]测量埋入界面深度的非破坏性方法-CN99100915.0无效
发明人： K·保尔·穆勒;文卡拉塔查拉姆·C·加伊普拉卡什 -专利权人：国际商业机器公司;西门子公司
申请日： 1999-01-06 - 公布日： 2004-03-10 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：用FTIR法非破坏性地测定确定埋入界面的上表面位置的深度。
测量埋入界面深度破坏性方法

[发明专利]排除不影响合格率的重复性缺陷来监控真正缺陷的方法-CN02142190.0有效
发明人：陈功益;陈威铭;古淑玲;丁茂益;何濂泽 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-08-30 - 公布日： 2004-03-03 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种排除不影响合格率的重复性缺陷来监控真正缺陷的方法，此方法首先提供一晶圆，其中晶圆上已形成有数个晶粒，且在晶圆上发现有一重复性缺陷存在。接着，确认此重复性缺陷是否为一影响合格率的缺陷。倘若此重复性缺陷并非影响合格率的缺陷，则定义此重复性缺陷所存在之一区域为一排除区域。之后，扫描晶圆上此排除区域以外的部分，以找出一真正的缺陷。
排除影响合格率重复性缺陷监控真正方法

[发明专利]检测低压铁电随机存取存储器的低压检测器和方法及系统-CN02161135.1无效
发明人：姜熙福 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2002-12-31 - 公布日： 2004-03-03 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种低压检测器及检测非易失性存储器芯片低压的方法，低压时存储器单元不工作，并且根据电源电压的变化，通过使FeRAM单元的开始和停止的操作点与芯片启动信号同步，可以明确识别激励电压区和去激励电压区，使芯片在阈值电压范围内安全操作。按照这种方法，因为即使在电源电压的阈值电压值区，如电源电压的开/关状态时，芯片也能够安全运行，因此芯片即使在电源电压处于开/关状态下，仍然可以受到保护，而且这种芯片电路设计区域不需要附加电路就能实现高效。
检测低压随机存取存储器检测器方法系统

[发明专利]表面金属污染的检测方法-CN01820190.3无效
发明人：维克托·希格斯 -专利权人： AOTI营运有限公司
申请日： 2001-10-05 - 公布日： 2004-03-03 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明描述了一种在半导体或硅结构中检测表面金属污染或接近表面金属污染的方法，其中，将所述结构或结构的一部分暴露于一预定波长的激发光束中，并以PL图的形式收集从结构中发出的光，由半导体提供的PL图其光亮度基本上是均匀一致的；检查PL图中光强度增强的一个或多个区域以找出表面金属污染或接近表面金属污染。该方法可特别应用于在制产品质量控制或对如同互连之类的加工好的结构进行质量控制。
表面金属污染检测方法

[发明专利]探针板和半导体芯片的测试方法、电容器及其制造方法-CN03133111.4有效
发明人：山岸康男;盐贺健司;约翰·D.·班尼基;栗原和明 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2003-07-23 - 公布日： 2004-02-25 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种探针板包括：探针；具有多层互连结构的叠加互连层，在其上表面上携带该探针，与所述多层互连结构电连接；以及位于该叠加互连层上通过多层互连结构与该探针板之一电连接的电容器，其中该多层互连结构包括在该探针附近的一个内部通孔接头，并且该电容器被嵌入在构成该叠加层的树脂绝缘层中。
探针半导体芯片测试方法电容器及其制造

[发明专利]复数个半导体封装结构的测试方法-CN02130496.3无效
发明人：林俊宏;钟卓良;黄国樑;李耀荣 -专利权人：南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司
申请日： 2002-08-21 - 公布日： 2004-02-25 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种复数个半导体封装结构的测试方法，依序为：在一基板上封装复数个半导体、黏贴胶带、切割基板、测试半导体及分类，其在复数个半导体封装结构未切割前，先以一胶带黏贴于其上表面后，再进行切割基板，然后以一具有复数个探测接点的探测卡接触焊球进行测试，最后依测试结果进行分类，此过程可减少在测试前个别搬运半导体封装结构并可一次大量测试复数个半导体封装结构，故可减少测试所需的时间，提高测试效率及降低成本。
复数半导体封装结构测试方法

[发明专利]测量金属氧化半导体场效晶体管有效电流通道长度的方法-CN02129831.9有效
发明人：黄恒盛;洪允锭;林仕杰;李岳勋 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2002-08-15 - 公布日： 2004-02-18 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种测量金属氧化半导体场效晶体管有效电流通道长度的方法，通过提供一第一补偿因子、一第二补偿因子及一第三补偿因子以测量一金属氧化半导体场效晶体管的有效电流通道长度以及该晶体管的栅极、漏极及源极重叠长度；该第一补偿因子可通过测量该晶体管的两栅极等效电容来计算出，该第二补偿因子可通过测量该晶体管的两重叠等效电容来计算出，而该第三补偿因子则等于该第二补偿因子除以该第一补偿因子；本发明利用计算晶体管分别操作于积累状态或是反转状态时的等效电容，经由一连串的运算式推导出有效电流通道长度以及相关的电性特征值，而能更正确地测量有效电流通道长度以及晶体管内源极与漏极的位置。
测量金属氧化半导体晶体管有效电流通道长度方法

[发明专利]具有利用激光方法成型的接触电极的接触器-CN03120223.3有效
发明人：丸山茂幸;福田惠介;渡边直行;熊田原巧;松下直久;今门正幸;玉木京平;野澤宏 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2003-03-07 - 公布日： 2004-02-18 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：通过对由导电材料构成的接触电极照射激光束，成型具有具有预定形状的接触电极。在将接触端相对侧的、每个接触电极的端部接合到接触板上后，可以照射激光束，以使接触电极变形，从而使接触端位于预定位置。在加热或冷却激光束照射部分对面的接触电极部分时，照射激光束。
具有利用激光方法成型接触电极接触器

[发明专利]计算实际增加的缺陷数目的方法-CN03120456.2有效
发明人：陈威铭;刘坤佑;陈俊结;何濂泽 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2003-03-18 - 公布日： 2004-02-18 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种计算增加的缺陷数目的方法，用以监控反应室或晶片的品质。首先，以图像重迭的技术以及将对应率和捕获率的总和最大化而确定出适当的沉积工艺前灵敏度。其次，以适当的灵敏度扫描沉积前的晶片，并记录下沉积前粒子数目P1。第三，在晶片上进行膜层的沉积。第四，以沉积后灵敏度中最灵敏的等级再次扫描晶片，并记录下沉积后粒子数目P2。最后，将沉积后粒子数目P2减去沉积前粒子数目P1。
计算实际增加缺陷目的方法

[发明专利]诸如晶片的基片的定量质量检验的方法和装置-CN03178468.2无效
发明人：久保圭司;土居正照;望月博之;吉住惠一 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2003-07-16 - 公布日： 2004-02-18 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种定量评估诸如晶片的基片的方法，包括：限定许多顺序排列的第一区，以致每个第一区与相邻的第一区交叠。在每个第一区中的表面数据例如厚度数据被用于确定代表第一区的表面形态(例如厚度变化)的法向向量。接着，对于每个相邻的两个第一区的组合，确定法向向量之间的角度差。随后，所确定的角度差与参考值进行比较以评估包括至少一个第一区的第二区的质量，所述第二区如小片区、带状区和/或整个晶片。
诸如晶片定量质量检验方法装置

[发明专利]膜评价方法、温度测定方法及半导体装置的制造方法-CN02803087.7无效
发明人：立成利贵 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2002-09-10 - 公布日： 2004-02-18 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种即不使成膜装置的生产性劣化，又可轻易测定成膜装置的成膜温度或膜的特性的方法。其解决手段是，事先制作参照用红外线吸收光谱图案作为资料库。然后，利用傅立叶转换红外线分光(FT－IR)法，测定被测定膜的红外线吸收图案。再次，根据参照用红外线吸收光谱图案，及被测定膜的红外线光谱图案，进行部分最小平方回归(PLS)法的多变量分析的后，再根据分析的结果，算出成膜温度等。
评价方法温度测定半导体装置制造

[发明专利]半导体晶体基片的评价方法-CN03110311.1有效
发明人：山本佳嗣;铃木敏;服部亮 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2003-04-04 - 公布日： 2004-02-11 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体晶体基片的评价方法，旨在提供一种可预测半导体晶体基片的电流放大率的初始变化的半导体晶体基片的评价方法。用于异质结双极型晶体管的含有集电极层、基极层与发射极层的半导体晶体基片的评价方法包括：制作含有和基极层相同组成的晶体层的评价用半导体晶体基片的步骤；在所述评价用半导体晶体基片上照射激励光，从所述晶体层测量光致发光的光强度达到饱和之前随时间的变化的步骤；以及从所述时间变化预测用所述半导体晶体基片制造异质结双极型晶体管时的电流放大率随时间的变化的步骤。
半导体晶体评价方法