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[发明专利]选择性金属层的形成方法及其应用-CN98121394.4无效
发明人：姜尚范;蔡允淑;李相忍;林炫锡;尹美英 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1998-10-21 - 公布日： 2003-12-31 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：提供了一种选择性金属层的形成方法，及用其形成电容器的方法和用其填充接触孔洞的方法。通过通入一种对半导体衬底上的绝缘膜和导电层选择性沉积的牺牲金属源气体可在导电层上选择沉积牺牲金属层。通过通入一种其卤素亲和力比牺牲金属层中金属原子的卤素亲和力更小的金属卤化物气体，可形成牺牲金属原子和卤化物，并使牺牲金属层被沉积金属层如钛(Ti)或铂(Pt)所取代。
选择性金属形成方法及其应用

[发明专利]降低高功率晶体管导通电阻的方法-CN02122490.0无效
发明人：简凤佐;涂高维;苏世宗;董正晖;李铭钦;简铎钦 -专利权人：华瑞股份有限公司
申请日： 2002-06-05 - 公布日： 2003-12-31 - 主分类号： H01L21/328 文献下载
摘要：本发明提供一种降低高功率晶体管导通电阻的方法，特别指一种在晶圆制程中，在晶圆上生长一层垒晶层时，再生长一层再生垒晶层，该再生垒晶层的厚度约为5μm～10μm，而其浓度约为其上垒晶层的1.5倍～3倍，由于垒晶层经重掺杂使得期间的垒晶层电阻率大幅度降低，相对整体晶圆的总导通电阻显著降低，可提高导电性，同时串联电阻降低，可提高组件操作速度、降低电力损耗。本发明采用平面式制程，可改进沟渠式制程易发生短路或漏电流的缺点，减少功率消耗及增加产品合格率，可大大地提高装置的品质和可靠性。
降低功率晶体管通电方法

[发明专利]抛光铜膜后清洁处理半导体基材的方法和设备-CN98810443.1无效
发明人：张立明;赵岳星;戴安娜·J·海默斯;威尔伯·C·克鲁塞尔 -专利权人：莱姆研究公司
申请日： 1998-10-06 - 公布日： 2003-12-31 - 主分类号： H01L21/321 文献下载
摘要：本发明叙述化学机械抛光后，用于清洁处理半导体基材的清洁处理溶液，方法和设备。本发明包括在酸性PH条件下混合去离子水，有机酸和氟化物的清洁处理溶液，用于抛光铜层后清洁处理半导体基材的表面。在铜化学机械抛光后清洁处理半导体基材的所述的方法，缓解了有关刷子载物和表面及表面下污染的问题。
抛光铜膜后清洁处理半导体基材方法设备

[发明专利]掺杂氮的退火晶片的制造方法以及掺杂氮的退火晶片-CN02801855.9有效
发明人：饭田诚;玉塚正郎 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2002-05-22 - 公布日： 2003-12-24 - 主分类号： H01L21/322 文献下载
摘要：本发明涉及一种掺杂氮的退火晶片的制造方法，其在对由掺杂氮的硅单晶切削、并至少经过研磨的晶片在氩、氢或其混合气体环境下实施1100～1350℃的高温热处理前，通过进行在小于前述高温热处理的处理温度温度滞留的工序，使前述高温热处理中消灭的尺寸的氧析出核生长为前述高温热处理中不消灭的尺寸，然后，进行前述高温热处理的掺杂氮的退火晶片的制造方法。据此，提供不受掺杂于硅单晶的氮浓度影响，从硅单晶的各部位切削而成的硅单晶晶片中的退火后的BMD密度的误差可被缓和。
掺杂退火晶片制造方法以及

[发明专利]通过采用光滑底电极结构具有改进的存储保持的薄膜铁电电容器-CN98800229.9无效
发明人：林慎一郎;大槻男 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 1998-03-03 - 公布日： 2003-12-24 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：一种铁电薄膜电容器(400)具有光滑的电极(412、420)，随着铁电电容器老化允许相对较强的极化、较少疲劳及较少印记。光滑电极表面(414、428)是用小心地控制的干燥、轻烘烤及退火条件生成的。
通过采用光滑电极结构具有改进存储保持薄膜电容器

[发明专利]形成集成电路电容器的方法及由此形成的电容器-CN98106601.1无效
发明人：金荣善;金景勋;元晳俊;南甲镇;金荣敏;金荣大;朴泳旭;李承恒;李相协;沈世镇;陈裕赞;文周泰;崔珍爽 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1998-04-10 - 公布日： 2003-12-10 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：形成集成电路电容器的方法包括下列步骤：通过在半导体衬底上形成导电层图案(例如，硅层)、然后在其上形成有第一导电类型掺杂剂的半球型颗粒(HSG)硅表面层、来形成电容器的下电极。在下电极上还形成扩散阻挡层(例如，氮化硅)，然后在所述扩散阻挡层上形成介电层。扩散阻挡层最好用具有足够厚度的材料制成，以防止介电层和下电极之间的反应，也防止掺杂剂从HSG硅表面层向外扩散到介电层。介电层最好由具有高介电强度的材料形成，以增大电容量。
形成集成电路电容器方法由此

[实用新型]热处理装置-CN02287353.8无效
发明人：牧谷敏幸;斋藤孝规;泷泽刚;艾克曼香留树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2002-09-27 - 公布日： 2003-12-10 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本实用新型提供一种热处理装置，能够高精度地检测出被处理体的温度，从而能够正确地控制加热组件的发热量，对被处理体稳定地实施所希望的热处理。包括：处理容器；将多个被处理体保持在成水平状态的被处理体保持件；设置在处理容器外部的加热组件；设置在处理容器内的用于温度补偿的温度检测器；其中，用于温度补偿的温度检测器具有直管状保护管本体部和多个支管部；在各支管部处配设有热电偶；各支管部以插在高度位置彼此不同的被处理体之间的方式进行配置；用于温度补偿的温度检测器的保护管本体部是按照以管轴为中心可旋转的方式来进行设置的；在用于温度补偿的温度检测器中，在保护本体部的底端侧部分，环绕其四周形成环状沟槽。
热处理装置

[发明专利]可减少微刮痕的钨金属的化学机械研磨制程-CN02120608.2有效
发明人：李世达;聂俊峰 -专利权人：矽统科技股份有限公司
申请日： 2002-05-23 - 公布日： 2003-12-03 - 主分类号： H01L21/321 文献下载
摘要：一种可减少微刮痕的钨金属的化学机械研磨制程。提供一半导体基底，其包含有第一导电层且被介电层所覆盖，介层窗结构是穿越介电层且使第一导电层的表面暴露，以及一钨金属层是形成于介电层上且填满介层窗结构。钨金属的CMP制程的前段研磨是采用标准钨研磨浆，于钨插塞及介电层的研磨表面上进行；钨金属的CMP制程的后段研磨是采用氧化物研磨浆，于钨插塞及介电层的研磨表面上进行。使用氧化物研磨浆可有效减少介电层表面的微刮痕数量。避免组件中产生断路的情形，防止金属内连线之间产生高漏电流的问题，确保半导体组件的电性品质。
减少刮痕金属化学机械研磨

[发明专利]利用原子层淀积工艺形成导电层的方法-CN98108477.X有效
发明人：姜尚范;蔡允淑;朴昌洙;李相忍 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1998-05-14 - 公布日： 2003-11-19 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：一种采用原子层淀积工艺形成导电层的方法，通过将含有金属的母物与一种还原气体起反应，在半导体衬底上形成一层牺牲金属原子层，通过使该牺牲金属原子层与金属卤化物气体反应，在该半导体衬底上、在淀积由金属卤化物气体溶解的金属原子的位置形成一种金属原子层。另外，采用一种硅源气体，在该金属原子层上形成硅原子层，从而交替地层叠金属原子层和硅原子层。
利用原子层淀积工艺形成导电方法

[发明专利]制备多硅化物栅极的方法-CN97111174.X无效
发明人：辛和叔;池京求;郑灿旭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1997-05-14 - 公布日： 2003-11-19 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：这里提供一种能使侧壁侵蚀减到最低的制备多硅化物栅极的方法。按此法首先在一个半导体衬底上依先后次序制备一层栅绝缘膜，一层多晶硅膜，和一层硅化物膜。而在硅化物膜上制备一掩模层。随后用一种氯氧混合气蚀刻硅化物膜和多晶硅膜。此处氧气最好包含蚀刻气体总量的10％到30％。
制备多硅化物栅极方法

[发明专利]在半导体基底上方形成粗糙复晶硅层的方法-CN02118927.7有效
发明人：刘勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2002-04-30 - 公布日： 2003-11-12 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明提供一种在半导体基底上方形成粗糙复晶硅层的方法，首先，在上述半导体基底上方形成一复晶硅底层，然后利用氧化剂在上述复晶硅底层形成一化学氧化薄层。接着，利用硅或氩溅镀方式处理上述化学氧化薄层。其次，在上述化学氧化薄层表面成长一粗糙复晶硅层。
半导体基底上方形成粗糙复晶硅层方法

[发明专利]具有混合层状超点阵材料的集成电路及用于制备该电路的前体溶液-CN96192642.2无效
发明人：吾妻正道;卡洛斯·A·帕斯·德·阿劳约;拉里·D·麦克米兰 -专利权人：松下电器产业株式会社;塞姆特里克斯公司
申请日： 1996-03-14 - 公布日： 2003-11-12 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：使用金属烷氧羧酸盐基液状前体溶液构成包含具有用超点阵生成体层有序化的分立的氧八面体层(124)和(128)的一种类型的混合层状超点阵材料(112)的铁电装置(100)。前体溶液包含多种以有效量生成层状超点阵材料的金属组分。这些金属组分被混合以包含能形成A/B层的A/B部分，能形成钙钛矿样AB八面体层(128)的钙钛矿样AB层部分，和能形成超点阵生成体层(116)的超点阵生成体部分。前体以液状形式置于基片上并退火以生成层状超点阵材料。
具有混合层状点阵材料集成电路用于制备电路溶液

[发明专利]半导体器件和制造方法以及电镀液-CN03122482.2有效
发明人：上野和良 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2003-04-28 - 公布日： 2003-11-05 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明的目的是提高应力－迁移电阻以及包含金属区的半导体器件中的可靠性。在绝缘膜101中形成由阻挡金属膜102和铜－银合金膜103上组成的下互连，然后在其上形成夹层绝缘膜104。在夹层绝缘膜104中形成由阻挡金属膜106和铜－银合多膜111组成的上互连。下和上互连用含有的银与总量之比超过银比铜的固溶体限度的铜－银合金制成。
半导体器件制造方法以及电镀

[发明专利]防止钨插塞腐蚀的方法-CN02146273.9有效
发明人：陈中泰;董克伟;钟嘉麒;李俊鸿 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-10-17 - 公布日： 2003-11-05 - 主分类号： H01L21/321 文献下载
摘要：一种在半导体元件的工艺中防止钨插塞腐蚀的方法，其中在一基底上已形成有一钨插塞且该钨插塞与形成在基底上的导线耦接。首先将基底浸泡于一非离子良性溶剂中，以实质上去除累积在导线表面上的电荷，接着再进行洗濯程序以清洗导线表面，其后再进行旋干步骤。
防止钨插塞腐蚀方法

[发明专利]能有效进行氢钝化的半导体器件的制造方法-CN99109234.1无效
发明人：中岛龙史 -专利权人：日本电气株式会社;恩益禧电子股份有限公司
申请日： 1999-06-23 - 公布日： 2003-11-05 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法，包含的步骤有：在硅基片上热生长由氧化硅构成的第一绝缘层(13)；在第一绝缘层上形成栅电极(14)；在栅电极上形成第二绝缘层(16)；在第二绝缘层上形成电容器下电极(21)；在电容器下电极上形成电容器介电层(22)；在电容器介电层上形成一电容器上电极(23)；在电容器上电极上形成第三绝缘层(24)；在第三绝缘层形成之后，以第一温度进行氢钝化；在氢钝化完成之后，在第三绝缘层上形成第一金属布线层(31)；以比第一温度低的第二温度，在第一金属布线层上形成第四绝缘层(32)；在第四绝缘层上形成第二金属布线层(41)；且以比第一温度低的第三温度，在第二金属布线层上形成钝化层(42)。
有效进行钝化半导体器件制造方法