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- [发明专利]树脂密封型半导体装置及使用的芯片焊接材料和密封材料-CN01816599.0有效
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蔵渕和彦;铃木直也;安田雅昭;河田达男;酒井裕行;川澄雅夫
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日立化成工业株式会社
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2001-09-28
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2004-01-07
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H01L21/58
- 本发明是一种树脂密封型半导体装置,其特征在于,具备:具有芯片焊接底板和内引线的引线框架,通过芯片焊接材料设置在上述芯片焊接底板上的半导体芯片,和密封上述半导体芯片和引线框架的密封材料。将25℃时的密封材料的挠曲强度设为σb(MPa)、密封材料相对于焊锡安装峰值温度下的内引线和芯片焊接底板的的剪切应变能分别设为Ui(N·m)、Ud(N·m)时,固化后的芯片焊接材料和密封材料的特性满足以下式(1)、式(2)、式(3):σe≤0.2×σb式(1)、Ui≥2.0×10-6×σei式(2)、Ud≥4.69×10-6×σed式(3)。其中,σe=(1/log(Kd1))×Ee1×(αm-αe1)×ΔT1式(4)、σei=Ee2×(αe2-αm)×ΔT2式(5)、σed=log(Kd2)×Ee2×(αe2-αm)×ΔT2式(6)。Kd1:25℃时的芯片焊接材料的弯曲弹性系数Ed1(MPa)相对于弹性系数1MPa的比(Ed1>1MPa);Kd2:焊锡安装时的峰值温度下芯片焊接材料的弯曲弹性系数Ed2(MPa)相对于弹性系数1MPa的比(Ed2>1MPa);Ee1:25℃下密封材料的弯曲弹性系数(MPa);Ee2:焊锡安装时峰值温度下密封材料的弯曲弹性系数(MPa);αe1:由半导体装置的成形温度至25℃时的密封材料的平均热膨胀系数(1/℃);αe2:由半导体装置的成形温度至焊锡安装时的峰值温度下的密封材料的平均热膨胀系数(1/℃);αm:引线框架的热膨胀系数(1/℃);ΔT1:半导体装置的成形温度与温度循环时的低温侧温度的差(℃);ΔT2:半导体装置的成形温度与焊锡安装时峰值温度的差(℃)。
- 树脂密封半导体装置使用芯片焊接材料密封材料
- [实用新型]倒装片式封装内存芯片的结构-CN02288212.X无效
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谢铁琴
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华腾微电子(上海)有限公司
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2002-12-11
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2003-12-10
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H01L21/58
- 本实用新型涉及内存芯片的封装结构,特别涉及一种利用Flipchip技术封装内存芯片的倒装片式封装内存芯片的结构。解决了已有的内存芯片封装中存在的封装不够紧致、散热效果不佳、占用印刷电路板面积较大等缺陷。技术解决方案是:倒装片式封装内存芯片的结构,包括内存芯片和印刷电路板,其特征是:内存芯片与印刷电路板之间采用倒装片式连接。内存芯片表面长出的凸块通过导电材料与印刷电路板连接,该导电材料为Sn63/Pb37共晶锡膏。内存芯片与印刷电路板之间充满填充物。倒装片式的封存结构主要用于各类芯片的封存。
- 倒装封装内存芯片结构
- [发明专利]以倒装片形式在基片上安装半导体芯片的装置-CN01130384.0无效
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鲁迪·格鲁特;多米尼克·哈特曼
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ESEC贸易公司
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2001-11-22
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2002-12-11
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H01L21/58
- 一种用于在基片(2)上以倒装片形式安装半导体芯片(1′)的装置,该装置包括用于倒转半导体芯片(1′)的倒转设备(6)。该倒转设备(6)构成一个由支撑架(10),第一和第二旋臂(11,12)及连接臂(13)组成的平行四边形结构(10,11,12,13)。在连接臂(13)上设置有一个芯片抓爪器(16)。驱动系统(15,18,19)使得所述平行四边形结构(10,11,12,13)来回移动,这种来回移动在所述芯片抓爪器(16)接收半导体芯片(1′)的第一限制位置和该芯片抓爪器(16)在基片(2)上安装半导体芯片(1′)的第二限制位置之间进行。
- 倒装形式基片上安装半导体芯片装置
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