专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]封装栅格阵列元件的改进工艺-CN02140513.1无效
  • 曹用信 - 曹用信
  • 2002-07-05 - 2004-01-07 - H01L21/58
  • 一种将传统的同时进行表面安装(SMT)元件与球形栅格阵列(BGA)元件的锡膏印刷工艺改为分别进行并使用不同的工艺。本发明的工艺包含:将一膏状助焊剂印刷或注射于电路板上对应于BGA元件的焊垫上,其中该膏状助焊剂不含锡球或其它形式的焊接用焊锡;将一锡膏印刷于该印刷模版上对应于SMT元件的焊垫上;以及回焊该BGA元件和SMT元件于电路板的焊垫上。本发明另外包含以上述工艺所制造的电子装置。
  • 封装栅格阵列元件改进工艺
  • [发明专利]树脂密封型半导体装置及使用的芯片焊接材料和密封材料-CN01816599.0有效
  • 蔵渕和彦;铃木直也;安田雅昭;河田达男;酒井裕行;川澄雅夫 - 日立化成工业株式会社
  • 2001-09-28 - 2004-01-07 - H01L21/58
  • 本发明是一种树脂密封型半导体装置,其特征在于,具备:具有芯片焊接底板和内引线的引线框架,通过芯片焊接材料设置在上述芯片焊接底板上的半导体芯片,和密封上述半导体芯片和引线框架的密封材料。将25℃时的密封材料的挠曲强度设为σb(MPa)、密封材料相对于焊锡安装峰值温度下的内引线和芯片焊接底板的的剪切应变能分别设为Ui(N·m)、Ud(N·m)时,固化后的芯片焊接材料和密封材料的特性满足以下式(1)、式(2)、式(3):σe≤0.2×σb式(1)、Ui≥2.0×10-6×σei式(2)、Ud≥4.69×10-6×σed式(3)。其中,σe=(1/log(Kd1))×Ee1×(αm-αe1)×ΔT1式(4)、σei=Ee2×(αe2-αm)×ΔT2式(5)、σed=log(Kd2)×Ee2×(αe2-αm)×ΔT2式(6)。Kd1:25℃时的芯片焊接材料的弯曲弹性系数Ed1(MPa)相对于弹性系数1MPa的比(Ed1>1MPa);Kd2:焊锡安装时的峰值温度下芯片焊接材料的弯曲弹性系数Ed2(MPa)相对于弹性系数1MPa的比(Ed2>1MPa);Ee1:25℃下密封材料的弯曲弹性系数(MPa);Ee2:焊锡安装时峰值温度下密封材料的弯曲弹性系数(MPa);αe1:由半导体装置的成形温度至25℃时的密封材料的平均热膨胀系数(1/℃);αe2:由半导体装置的成形温度至焊锡安装时的峰值温度下的密封材料的平均热膨胀系数(1/℃);αm:引线框架的热膨胀系数(1/℃);ΔT1:半导体装置的成形温度与温度循环时的低温侧温度的差(℃);ΔT2:半导体装置的成形温度与焊锡安装时峰值温度的差(℃)。
  • 树脂密封半导体装置使用芯片焊接材料密封材料
  • [实用新型]倒装片式封装内存芯片的结构-CN02288212.X无效
  • 谢铁琴 - 华腾微电子(上海)有限公司
  • 2002-12-11 - 2003-12-10 - H01L21/58
  • 本实用新型涉及内存芯片的封装结构,特别涉及一种利用Flipchip技术封装内存芯片的倒装片式封装内存芯片的结构。解决了已有的内存芯片封装中存在的封装不够紧致、散热效果不佳、占用印刷电路板面积较大等缺陷。技术解决方案是:倒装片式封装内存芯片的结构,包括内存芯片和印刷电路板,其特征是:内存芯片与印刷电路板之间采用倒装片式连接。内存芯片表面长出的凸块通过导电材料与印刷电路板连接,该导电材料为Sn63/Pb37共晶锡膏。内存芯片与印刷电路板之间充满填充物。倒装片式的封存结构主要用于各类芯片的封存。
  • 倒装封装内存芯片结构
  • [发明专利]表面粘着型整流二极管及其制作方法-CN99109757.2有效
  • 黄文彬 - 黄文彬
  • 1999-07-12 - 2003-11-12 - H01L21/58
  • 本发明公开了一种表面粘着型整流二极管的制作方法,在两相对的上端子与下端子间置设有电子晶片,并在外表塑模成型绝缘体层,使绝缘体层外表形成微小凸粒物,于绝缘体层两侧涂接导电层,将导电层予以烘烤干燥,使导电层与绝缘体层结合,通过切刀等距将结合的绝缘体层与导电层切割,再于两侧边的导电层外再电镀一层导电物质,形成保护层,使导电层外层有硬质的保护层。它可降低成本、减少产品不良率、省时、省工、减小体积。
  • 表面粘着整流二极管及其制作方法
  • [发明专利]半导体晶片的封装方法及其成品-CN99101870.2无效
  • 沈明东 - 沈明东
  • 1999-02-03 - 2003-10-29 - H01L21/58
  • 本发明涉及一种半导体晶片的封装方法及其成品,包括以下的步骤:提供一电路板单元,其底表面上形成凹室,顶表面上形成与凹室连通的槽沟与黏接垫,电路板单元两侧黏接垫处具有定位槽沟;晶片嵌入电路板单元凹室内;黏接导线将晶片黏接垫与电路板单元黏接垫电气连接;将导线架接脚的一端置于电路板单元对应的定位槽沟内,导线架接脚透过黏接层与电路板单元两侧对应的黏接垫电气连接;以胶质材料包封该电路板单元及导线架的一部份。
  • 半导体晶片封装方法及其成品
  • [发明专利]安装半导体晶片在具电路轨迹基板的方法及其制成的产品-CN99120733.5无效
  • 沈明东 - 沈明东
  • 1999-09-24 - 2003-10-29 - H01L21/58
  • 一种安装半导体晶片在具电路轨迹基板的方法及其产品,是在一布设有电路轨迹的可透光玻璃基板上形成有多个粘接垫的粘接垫安装表面,并至少有一个具有第一、二粘接表面的绝缘胶带层,绝缘胶带层对应于粘接垫的触点容置空间内容置有导电触点,一半导体晶片的粘接垫安装表面与第二粘接表面加热粘接,数粘接垫与导电触点加热粘接。由于第二粘接表面的粘胶熔点较导电触点低,可先熔接粘接垫安装表面,借此将导电触点密封在触点容置空间内。达到降低成本、提高合格率、降低产品厚度、提高导电触点可靠度、及延长产品寿命的效果。
  • 安装半导体晶片电路轨迹方法及其制成产品
  • [发明专利]半导体装置的制造方法-CN97110389.5无效
  • 佐藤寿巳江;大森纯 - 东芝株式会社
  • 1997-04-24 - 2002-10-09 - H01L21/58
  • 本发明揭示了一种半导体装置的制造方法,包括将对应于树脂封止部开有多个孔的粘合剂片(1)粘到芯片接连排列的基板(4)上,然后一起冲切基板(4)与粘合剂片(1)。本发明解决了已有粘合方法中,从粘合剂片中切出粘合剂,然后贴到从树脂封装的半导体芯片基板上切出的单体半导体模块上,粘合半导体模块与支承基板的方法中由于粘合剂又小又薄造成的操作困难和难于位置对准、作业费时等问题。
  • 半导体装置制造方法

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