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[发明专利]后台存储器系统接口的动态优化-CN201610951896.0在审
发明人： C.S.J.钟;S.S.程;E.埃雷兹 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2011-07-12 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： G11C29/02 文献下载
摘要：给出了用于存储器系统的内部控制器与存储器电路接口的结构及相应的操作技术。控制器电路和存储器电路之间的接口包括反馈处理，监视由于控制器‑存储器传输而出现的错误量并且可以据此修改传输特性。还给出了用于动态地优化非易失性存储器系统的控制器‑存储器接口的性能的技术。存储器系统通常设计为具有对于然后可以通过ECC校正的错误的某个错误容限量。在许多情形下，系统的ECC能力超过了校正数据存储错误所需的能力，存储器系统将此错误校正能力的非零部分内部地分配给后台接口。这允许该接口以更高速度或更低功率而操作。该系统还可以校准后台接口以确定从各个操作条件得到的错误量，允许根据分配给传输处理的错误量来设置后台接口的操作参数。
后台存储器系统接口动态优化

[发明专利]存储器I/O接口的非接触应力测试设备、方法和系统-CN201380028175.7有效
发明人： S.M.梅农;R.R.勒德 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-05-30 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： G11C29/02 文献下载
摘要：实施例一般针对存储器输入/输出（I/O）接口的非接触应力测试。存储器装置的实施例包括与动态随机存取存储器（DRAM）耦合的系统元件，该系统元件包括用于与DRAM连接的存储器接口，该接口包括驱动器和接收器；用于控制DRAM的存储器控制器；和用于测试I/O接口的定时应力测试逻辑。
存储器接口接触应力测试

[发明专利]堆叠式非易失性存储设备中的选择栅极晶体管的阈值电压调节-CN201380035039.0有效
发明人：李海波;西颖·科斯塔;东谷政昭;曼·L·木伊 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2013-05-03 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： G11C29/02 文献下载
摘要：在一种3D堆叠式非易失性存储设备中，针对在串联连接的存储单元的串的漏极端处的选择栅极漏极(SGD)晶体管来评价和调节阈值电压。为了优化和缩紧阈值电压分布，读取处于可接受范围的下电平和上电平的SGD晶体管。具有低阈值电压的SGD晶体管经受编程，具有高阈值电压的SGD晶体管经受擦除，以使阈值电压进入可接受范围中。可以例如在关联子块的指定数目的编程擦除循环之后重复评价和调节。重复评价和调节的条件可以针对不同组的SGD晶体管而定制。方面包括使用验证和抑制对SGD晶体管编程，使用验证和抑制擦除SGD晶体管以及上述二者。
堆叠式非易失性存储设备中的选择栅极晶体管阈值电压调节

[发明专利]一种相变存储器热串扰测试方法-CN201410256649.X有效
发明人：李震;刘畅;赖志博;缪向水;程晓敏 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2014-06-10 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： G11C29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种相变存储器的热串扰测试方法，该方法利用相变存储单元中的相变材料本身作为温度探测器，通过在一个相变存储单元上施加激励信号，在另一个相邻的相变存储单元上施加测试信号，采集相邻的相变存储单元上的响应信号，利用相变材料在不同温度下电学性能及性质的差异来测量相变存储单元编程过程中相邻的单元所受到的热串扰影响大小，从而对相变存储器热串扰稳定性进行评估。本发明适用于一般的相变存储单元结构，不需要集成其他部件，提高了热串扰测试的可靠性。
一种相变存储器热串扰测试方法

[实用新型]一种熔丝存储的检测装置-CN201621041680.2有效
发明人：陈晓龙;刘文;夏磊 -专利权人：英特格灵芯片（天津）有限公司
申请日： 2016-09-07 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： G11C29/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种熔丝存储的检测装置。该装置包括熔丝存储电路、熔丝偏置电路、比较器。该熔丝存储电路包括熔丝。该熔丝存储电路与该熔丝偏置电路相连，使得该熔丝与该熔丝偏置电路形成电流通路，并在该熔丝存储电路与该熔丝偏置电路之间的连接点上形成检测电压信号。该比较器的第一输入端连接至该熔丝存储电路与该熔丝偏置电路之间的连接点，该比较器的第二输入端连接至参考电压，该比较器用于比较该检测电压信号与该参考电压，根据该比较器的比较结果确定该熔丝是否熔断的状态，从而确定该熔丝存储电路所存储的信息。本实用新型能够低功耗检测熔丝存储装置所存储的信息。
一种存储检测装置

[发明专利]存储器装置及其操作方法-CN201310242984.X有效
发明人：薛文凤;林明昭 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2013-06-18 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： G11C29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器装置及其操作方法。储存数据以及ECCs的非易失性存储器阵列包括错误校正逻辑；读取数据集通过执行迭代读取偏压而感测数据、在所感测数据中产生错误指示等的迭代；第一迭代使用第一读取偏压；如果在当前迭代中的指示小于一临界值，则输出在当前迭代中被选择的存储单元所感测的数据迭代；如果在当前迭代中的指示大于一临界值时，则使用移动读取偏压以再进行另一次迭代，然而相关于在一前次迭代，当前迭代的指示表现出错误增加时，在这种情况下，则输出先前迭代的所感测数据。双缓冲逻辑可有反向移动功能，可储存所二次迭代感测数据。
存储器装置及其操作方法

[发明专利]用于模拟存储器单元的编程及擦除方案-CN201380006438.4有效
发明人： E·格吉;Y·卡速尔拉;O·沙尔维 -专利权人：苹果公司
申请日： 2013-01-16 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： G11C29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于在包括多个模拟存储器单元的存储器中进行数据存储的方法，该方法包括基于存储在所述存储器中的至少一个所述存储器单元中的一个或多个数据值来设置应用于一组所述存储器单元的迭代过程的参数。根据所设置的参数，在该组所述存储器单元中执行所述迭代过程。
用于模拟存储器单元编程擦除方案

[发明专利]计算机存储器测试结构-CN201080030348.5有效
发明人：薛真成;金成骏 -专利权人：美国莱迪思半导体公司
申请日： 2010-06-18 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： G11C29/02 文献下载
摘要：一种用于计算机存储器测试结构的方法和装置。用于存储器板的测试方法的实施方式包括测试该存储器板的存储器，其中测试该存储器包括使用内置自测试结构来提供用于该存储器的第一测试模式。该方法进一步包括用主机来测试该存储器的IO(输入输出)接口，其中该IO接口的测试包括使用该内置自测试结构来提供用于该IO接口的第二测试模式。
计算机存储器测试结构

[发明专利]一种内存目标刷新参数的确定方法及装置-CN201610580623.X在审
发明人：周茂庸;刘胜 -专利权人：浪潮电子信息产业股份有限公司
申请日： 2016-07-21 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： G11C29/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种内存目标刷新参数的确定方法及装置，该方法包括：S1：确定初始刷新参数；S2：利用初始刷新参数对内存进行刷新；S3：判断刷新后的内存是否正常工作，若正常工作，则执行S4，否则，将当前使用的刷新参数确定为目标刷新参数；S4：按照刷新粒度对所述初始刷新参数进行更新，并利用更新后的刷新参数对内存进行刷新，并执行S3。本方案能准确地确定目标内存的刷新参数。
一种内存目标刷新参数确定方法装置

[发明专利]存储芯片和包括其的层叠型半导体装置-CN201510751804.X在审
发明人：李东郁;金庚焕 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2015-11-06 - 公布日： 2016-12-21 - 主分类号： G11C29/02 文献下载
摘要：一种存储芯片可以包括多个通道，多个通道包括多个存储体并且具有各自的输入/输出接口，以及多个通道中的每个可以被配置为同时锁存通过压缩从多个存储体输出的相应的单元数据组得到的压缩数据组，根据读取开始信号或读取结束信号来顺序地输出锁存的数据作为测试读取数据，以及产生定义最终数据输出已经结束的读取结束信号。
存储芯片包括层叠半导体装置

[实用新型]基于模拟开关电路实现FPGA器件的测试系统-CN201620698717.2有效
发明人：朱璟辉;陈建光;陈思韬 -专利权人：广东高云半导体科技股份有限公司
申请日： 2016-07-05 - 公布日： 2016-12-21 - 主分类号： G11C29/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种基于模拟开关电路实现FPGA器件的测试系统，其测试系统包括：非易失性存储器、控制器、带隙基准电路以及三端口模拟开关电路，该三端口模拟开关电路的第一端口接带隙基准电路的输出电路端口，第二端口接双向测试接口，第三端口接非易失性存储器的输入端；所述控制器分别与非易失性存储器、带隙基准电路和三端口模拟开关电路连接，且该控制器还与I/O 接口连接。本实用新型通过三端口模拟开关电路引入了双向的测试接口，从而可以单独对Bandgap Reference和非易失存储器进行测试和校正。在这些工作结束后，FPGA器件可进入正常工作状态。
基于模拟开关电路实现 fpga 器件测试系统

[发明专利]具有局部电流吸收器的存储器装置-CN201610035201.4在审
发明人：金正丕;哈里·M·拉奥 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2011-05-10 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： G11C29/02 文献下载
摘要：本发明涉及具有局部电流吸收器的存储器装置。本发明揭示一种具有局部电流吸收器的存储器装置。在特定实施例中，揭示一种电子装置。所述电子装置包含一个或一个以上写入驱动器。所述电子装置包含至少一个磁性隧道结MTJ，其耦合到位线且耦合到源极线。所述电子装置还包含电流吸收器电路，所述电流吸收器电路包括单个晶体管，所述单个晶体管耦合到所述位线且耦合到所述源极线。
具有局部电流吸收存储器装置

[发明专利]电阻式存储器中的写脉冲宽度方案-CN201480058644.4在审
发明人： T·金;J·P·金;S·金 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2014-10-15 - 公布日： 2016-06-08 - 主分类号： G11C29/02 文献下载
摘要：电阻式存储器阵列包括控制器、耦合至该控制器的测试复位驱动器、也耦合至该控制器的测试写驱动器、以及也耦合至该控制器的测试读感测放大器。电阻式存储器阵列还包括表示电阻式存储器宏的测试电阻式存储器元件集。该测试电阻式存储器元件耦合至测试复位驱动器、测试写驱动器和测试读感测放大器。测试电阻式存储器元件中之一的状态变化表示电阻式存储器宏中的相应元件集的状态变化。
电阻存储器中的脉冲宽度方案

[发明专利]根据单元尺寸中预测的变化来适应存储器操作参数-CN201380062544.4有效
发明人： C.N.Y.阿维拉;董颖达;梅文龙 -专利权人：桑迪士克科技股份有限公司
申请日： 2013-11-22 - 公布日： 2015-08-05 - 主分类号： G11C29/02 文献下载
摘要：可以使用可配置的参数用于根据方案访问NAND闪速存储器，所述方案根据存储器单元的预测的特征最优化这样的参数，例如，作为某些存储器单元装置的几何结构的函数，其可以基于在存储器阵列中的特定装置的位置来预测。
根据单元尺寸预测变化适应存储器操作参数

[发明专利]用于修复电阻式存储器以及提高读出放大器整体读取灵敏度的设备和方法-CN201380053598.4在审
发明人： P·苏塔尔德雅;A·吴;常润滋;W·李;P·李 -专利权人：马维尔国际贸易有限公司
申请日： 2013-10-14 - 公布日： 2015-06-17 - 主分类号： G11C29/02 文献下载
摘要：一种存储器包括模块和解复用器。模块被配置为监测读出放大器的输出。读出放大器的输出中的每个输出被配置为处于第一状态或第二状态。模块被配置为确定读出放大器的输出中的两个或更多输出处于相同状态。相同状态是第一状态或第二状态。模块被配置为输出读出放大器的两个或更多输出的状态。解复用器被配置为向锁存器提供读出放大器的两个或更多输出的状态。
用于修复电阻存储器以及提高读出放大器整体读取灵敏度设备方法