“G11C11/4063”专利分类搜索_专利查询_文献下载_出售_求购_买卖_交易_钻瓜专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果421个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]具有垂直晶体管的存储器阵列及其形成-CN202010719251.0在审
发明人： F·A·席赛克-艾吉;S·V·科莱;S·J·德尔纳;T·D·罗布斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：本申请涉及具有垂直晶体管的存储器阵列及其形成。一种装置，例如存储器阵列，可以具有耦合到位于第一层级处的第一数字线(例如，局部数字线)的存储器单元。第二层级处的第二数字线(例如，分级数字线)可以耦合到主读出放大器。第一和第二层级之间的第三层级处的电荷共享装置可以耦合到第一数字线和连接器。第三层级处的垂直晶体管可以耦合在第一数字线和连接器之间。触点可以耦合在连接器和第二数字线之间。
具有垂直晶体管存储器阵列及其形成

[发明专利]芯片外驱动器及动态随机存取存储器-CN202010030559.4在审
发明人：吴昌庭 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2020-01-13 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：本公开提供一种芯片外驱动器及动态随机存取存储器。该芯片外驱动器经配置以提供一驱动电流至一输出垫。该芯片外驱动器操作在一电源域中。该电源域工作在一最小系统电压和一最大系统电压下。该芯片外驱动器包括一推挽电路。该推挽电路耦接至该输出垫，并包括一电流源电路。该电流源电路包括一压控电流源。该压控电流源经配置以因应于一操作电压提供相对于该输出垫的一阻抗。该操作电压的范围在该最小系统电压和该最大系统电压之间。该操作电压的范围包括该最小系统电压及该最大系统电压。
芯片驱动器动态随机存取存储器

[发明专利]存储器元件及其制作方法-CN201811170222.2有效
发明人：吕函庭 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2018-10-08 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器元件及其制造方法，该存储器元件包括用于执行积项和操作的一立体存储单元阵列，立体存储单元阵列中的多个存储单元设置在多条垂直线与多条水平线的交叉点上，这些存储单元具有多个可写入电导。一栅极驱动器，耦接至多条栅极线，用来施加控制栅极电压，以结合存储单元的可写入电导来对应积项和操作中的多个乘积项的权重Wxyz。一输入驱动器，用来施加多个电压至立体存储单元阵列中的存储单元，以对应多个输入变量Xy。一感测电路感测来自立体存储单元阵列中的存储单元的电流总和，以对应积项和。
存储器元件及其制作方法

[发明专利]一种DRAM数据接收电路-CN201710018600.4有效
发明人：张晓晨;卫秦啸 -专利权人：西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2017-01-10 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：本发明涉及一种DRAM数据接收电路，该电路包括数据接收器和补偿电压产生模块，数据接收器为多个，所述补偿电压产生模块为一个或多个，补偿电压产生模块为一个时，多个数据接收器均与该补偿电压产生模块连接，补偿电压产生模块为多个时，两个或两个以上数据接收器构成一组数据接收器，一组数据接收器与一个补偿电压产生模块连接。本发明极大的节省了功耗，在性能要求不是特别高而对功耗要求比较严的设计中，可以达到很好的效果。
一种 dram 数据接收电路

[发明专利]解决应力电压的存储器装置-CN201811068053.1有效
发明人：杨仕祺;石维强 -专利权人：円星科技股份有限公司
申请日： 2018-09-13 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：一种解决应力电压的存储器装置，包含至少一个存储器单元、位线、保护电路及包括写入控制器与写入驱动器的写入电路。该写入驱动器接收来自该写入控制器的输出信号，并输出至该位线。该保护电路可有效降低至少该写入驱动器的输入端与接地端间的跨压，以解决该写入驱动器应力电压过高的问题。
解决应力电压存储器装置

[发明专利]用于输入和输出参数优化的设备、存储器和方法-CN202010194934.9在审
发明人： E·杜赖 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：本申请涉及用于输入和输出参数优化的设备、存储器和方法。在一些实施例中，可编程电路被配置成存储模式寄存器参数的移位设置，并且移位电路被配置成接收模式寄存器参数的第一值。响应于具有第一值的移位设置信号，所述移位电路被配置成调节所述模式寄存器参数的所述第一值以提供具有第二值的所述模式寄存器参数。响应于具有第二值的所述移位设置信号，所述移位电路进一步被配置成提供所述模式寄存器参数的所述第一值作为所述模式寄存器参数的所述第二值。耦合到输入/输出端的电路被配置成基于所述模式寄存器参数的所述第二值来设置配置。在一些实例中，所述模式寄存器参数包含片上终结ODT参数，并且所述电路包含ODT电路。
用于输入输出参数优化设备存储器方法

[发明专利]具有行锤击应力缓解的DRAM阵列架构-CN202010138924.3在审
发明人： C·J·卡瓦姆拉;C·L·英戈尔斯;T·H·金 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-03-03 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：本申请案涉及具有行锤击应力缓解的DRAM阵列架构。一种设备包含多个主字线电路。每一主字线电路将相应全局字线驱动到有效状态值、中间电压状态或预充电状态中的一个。中间电压状态电压低于有效状态电压且高于预充电状态电压。存储器装置还包含多个子字线驱动器。每一子字线驱动器连接到对应全局字线且经配置以在对应全局字线电压与低电压值之间驱动相应局部字线。所述设备进一步包含多个相位驱动器。每一相位驱动器连接到预定数目的子字线驱动器，其中所述预定数目的子字线驱动器中的每一者连接到不同全局字线。
具有行锤击应力缓解 dram 阵列架构

[发明专利]半导体器件以及驱动半导体器件的方法-CN202010201893.1在审
发明人：横山佳巧;薮内诚 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及半导体器件以及驱动半导体器件的方法，其目的是为具有大寄生电阻或大负载容量的布线提供能够提高在远离驱动器的位置处的布线的电压的升高或降低速度的技术。半导体器件包括：第一布线，具有第一部、第二部、在第一部和第二部之间提供的第三部；连接到第三部的多个存储器单元；具有栅极和连接到第二部的漏极的场效应晶体管以及与第一布线并联提供的第二布线。第一布线的第三部包括靠近第一部的第四部、靠近第二部的第五部、设置在第一部与第四部之间的第六部。多个存储器单元包括连接到第四部的第一存储器单元和连接到第五部的第二存储器单元。第二布线电连接在第六部与场效应晶体管的栅极之间。
半导体器件以及驱动方法

[发明专利]电源管理集成电路和包括其的半导体存储器模块-CN202010174015.5在审
发明人：李宗键;李奎东;尹珍成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：提供了电源管理集成电路和包括电源管理集成电路的半导体存储器模块。所述电源管理集成电路包括：多个第一垫、多个第二垫、第三垫和第四垫，被配置为与外部装置连接；调节块，从所述多个第一垫接收第一电压，将所述第一电压转换为多个第二电压，并且向所述多个第二垫输出所述多个第二电压；通信块，通过第三垫接收命令，并且响应于所述命令而输出与所述命令一起接收的内部信息请求；以及逻辑块，控制调节块的操作，从通信块接收内部信息请求，并且基于内部信息请求向第四垫输出内部状态信息。
电源管理集成电路包括半导体存储器模块

[发明专利]具有非易失性存储器压力抑制的集成电路系统及制造方法-CN201710037064.2有效
发明人：北川真;对马朋人;大塚渉;囯广恭史 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2014-03-11 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：本公开内容涉及具有非易失性存储器压力抑制的集成电路系统及制造方法。一种集成电路系统及其制造方法，包括：集成电路管芯；集成电路管芯中的非易失性存储器单元，所述非易失性存储器单元具有用于读取该非易失性存储器单元的数据条件状态的位线；以及集成电路管芯中的电压箝，所述电压箝具有连接到所述位线的、用于减小所述位线上的电压偏移的半导体开关。
具有非易失性存储器压力抑制集成电路系统制造方法

[发明专利]DRAM芯片及其参数测试方法-CN201910275578.0在审
发明人：朱家国 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-04-08 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：一种DRAM芯片及其参数测试方法，所述DRAM芯片包括：基底；位于所述基底上的DRAM存储电路；位于所述基底上的时钟产生电路，所述时钟产生电路用于在外部自动测试机台对DRAM芯片进行参数测试时向DRAM存储电路提供高频时钟信号。本发明的DRAM芯片提高了(全速)测试的效率和测试的精度。
dram 芯片及其参数测试方法

[发明专利]执行初始化操作的半导体器件和半导体系统-CN201510802540.6有效
发明人：高福林;蔡行善 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2015-11-19 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：提供了半导体系统。半导体系统可以包括第一半导体器件和第二半导体器件。第一半导体器件可以输出命令和电源电压。第二半导体器件可以在电源电压达到目标电压电平之后，响应于第一重置命令来产生用于初始化操作的重置信号的脉冲和用于自动刷新操作的自动刷新信号的脉冲，其中，第一重置命令响应于命令而产生。第二半导体器件可以响应于第二重置命令来产生重置信号的脉冲，其中，第二重置命令响应于命令而产生。
执行初始化操作半导体器件半导体系统

[发明专利]感测放大器及包括其的半导体器件-CN201510446044.1有效
发明人：金东槿 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2015-07-27 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：一种感测放大器，包括：均衡单元，被配置以响应于位线均衡信号而将位线对预充电到位线预充电电压的电平；以及放大单元，被配置以感测位线对的电压并放大，在激活操作期间供应地电压给锁存部的下拉节点，以及当预充电信号被使能时供应比地电压低的第一电压给锁存部的下拉节点以预定时间。
放大器包括半导体器件

[发明专利]半导体装置和驱动该半导体装置的方法-CN201510292224.9有效
发明人：孔奎奉 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2015-06-01 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置，其包括：控制块，其适于响应于写训练信号和写相关信息信号而生成时钟控制信号；和输入块，其适于响应于所述时钟控制信号和时钟信号而接收用于写训练模式的数据信号。
半导体装置驱动方法

[发明专利]感温情境模式双列内存模块及其模块电路板-CN201610380768.5有效
发明人：甯树梁;郑富耘;张丁仪 -专利权人：海盗船电子股份有限公司
申请日： 2016-06-01 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：本发明公开一种感温情境模式双列内存模块及其模块电路板。模块电路板上设置有挥发性内存组件与电子抹除式可复写只读存储器组件，模块电路板的发光侧设置有发光二极管组件与情境发光控制组件。导光条以非直接设置关系放置于模块电路板的发光侧上。扣接式散热片的相互扣接，以致使导光条以夹合方式固定。其中，情境发光控制组件的电源共享搭载于发光二极管组件的电源供应系统，情境发光控制组件的信号共享搭载于电子抹除式可复写只读存储器组件的信号连接系统。因此，由情境发光控制组件控制的发光情境表现将一致于用于调整内存充电频率的感测温度，而不会有温度感测差异的错误表现。
温情模式内存模块及其电路板

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top