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[发明专利]一种光纤异物检测装置及其制备方法-CN202311089085.0在审
发明人：朱雷;张玲玲;赵弇斐;李晓旻 -专利权人：胜科纳米（苏州）股份有限公司
申请日： 2023-08-28 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G01N23/2258 文献下载
摘要：本发明公开了一种光纤异物检测装置及其制备方法。包括位于样品台一侧的光纤束，光纤束包括待测光纤与至少两个辅助光纤，辅助光纤与待测光纤接触；位于样品台一侧的固定夹具，固定夹具与光纤束至少部分接触，固定夹具用于固定光纤束，沿第一方向，光纤束的延伸方向与第一方向平行；位于光纤束远离样品台一侧设置有遮挡金属单元，遮挡金属单元设置有开孔区，开孔区暴露待测光纤；位于遮挡金属单元远离样品台一侧设置有检测单元，沿第一方向，检测单元与待测光纤间隔设置且投影交叠，检测单元用于对待测光纤进行飞行时间二次离子质谱检测，并判断待测光纤出口端的异物类型，提高光纤异物检测的精准度。
一种光纤异物检测装置及其制备方法

[发明专利]一种碲镉汞掺杂激活率评估方法-CN202310744040.6有效
发明人：彭成盼;张国杰;王旭杰;周进;郑晶晶;杜宇;刘文龙 -专利权人：浙江珏芯微电子有限公司
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G01N23/2258 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲镉汞掺杂激活率评估方法，包括：步骤S1，对具有pn结外延层的碲镉汞材料层预处理，形成p型As掺杂的载流子外延层，且不存在n型层；步骤S2，对预处理后的材料层进行SIMS测试；步骤S3，对预处理后的材料层进行腐蚀剥层，去除部分外延层；步骤S4，对剥层后的材料层进行厚度测量；步骤S5，对剥层后的材料层进行霍尔测试；步骤S6，重复上述步骤S3至S5；步骤S7，结合霍尔测试的数据得到p型离子注入层载流子浓度，结合SIMS测试数据得到的As离子浓度，并计算出As离子激活率，优点在于只额外进行了一次较低温的热处理，工艺简单，成本低廉，准确高效。
一种碲镉汞掺杂激活评估方法

[发明专利]一种微观区域识别锂离子电池负极上金属锂与LiC6-CN202011244136.9有效
发明人：田然;裴晓东;骆艳华;鲍维东;李晓祥 -专利权人：中钢集团南京新材料研究院有限公司
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： G01N23/2258 文献下载
摘要：本发明公开了一种微观区域识别锂离子电池负极上金属锂与LiC6的方法，属于锂离子电池使用技术领域。该方法利用离子束轰击过充锂离子电池负极表面，然后接收所述表面发射的二次离子，进行7Li正离子的面分布分析，通过将材料表面破碎成特征带电的粒子碎片，用质谱技术，进行7Li正离子的面分布分析，金属锂上具有7Li的信号，但是比较弱，而LiC6上的7Li的信号非常高，可以在纳米级别区分金属锂与LiC6，分析金属锂在LiC6中的优先析出位置，实现金属锂和LiC6位置区分。
一种微观区域识别锂离子电池负极金属 lic base sub

[发明专利]芯片内部结构分析方法及样品承载装置-CN202010639150.2在审
发明人：郭起玲;李亨特;张顺勇;刘秋艳 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： G01N23/2258 文献下载
摘要：本发明提供一种芯片内部结构分析方法及样品承载装置，分析方法包括如下步骤：采用聚焦离子束工艺对芯片进行处理，形成暴露目标层的测量样品；采用二次离子质谱分析方法对所述测量样品的目标层进行分析，获得分析数据。本发明优点在于，所述芯片内部结构分析方法可根据后续测量及分析步骤的要求而制备出尺寸适合其使用的测量样品，且在进行分析前不会对目标层造成破坏，制样方法简单，降低了制样难度，可以适用于大多数结构的样品。同时，由于制备的测量样品的目标层暴露于测量样品的表面，则在测量及分析步骤中，高能量的一次离子束能够直接作用于目标层，大大提高了测量准确度，且无额外的结构层的噪声影响，大大提高了掺杂浓度较低的元素定量分析的精度。
芯片内部结构分析方法样品承载装置

[发明专利]一种跨温区电子/离子致解吸和二次电子产额综合测试装置-CN202010043002.4在审
发明人：王洁;王盛;吴岳;周浩宇;高勇;许章炼;游志明;范佳锟;杜鑫;胡耀程;张静;聂昆仑;罗昊 -专利权人：西安交通大学;西安核理科技有限公司
申请日： 2020-01-15 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： G01N23/2258 文献下载
摘要：本发明公开了一种跨温区电子/离子致解吸和二次电子产额综合测试装置，包括标准真空室、第一涡轮分子泵及机械泵机组、标准气体管道、真空截止阀、真空测试腔体、样品架、电子枪、离子枪、离子泵、第二涡轮分子泵及机械泵机组、用于检测样品架上样品表面温度的温度测试仪、用于检测真空测试腔体内真空度的第一复合真空计、用于检测样品架上样品表面电流信号的电流表、用于检测标准真空室内真空度的第二复合真空计以及用于调节样品架上样品温度的温度调节系统，该装置能够实现跨温区的电子/离子致解吸产额和二次电子产额的同时测试。
一种跨温区电子离子解吸二次电子综合测试装置

[发明专利]一种二次离子质谱分析曲线的比较方法及装置-CN201811071009.6在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：枘熠集成电路（上海）有限公司
申请日： 2018-09-13 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： G01N23/2258 文献下载
摘要：本发明提供一种二次离子质谱分析曲线的比较方法及装置，用于诊断离子注入是否存在异常，包括以下步骤：S1，微调机台；S2，第一决策阶段，机台进行离子注入剂量偏差自校验，若离子注入剂量偏差小于1％，则转到步骤S3，若离子注入剂量差大于等于1％，则转到步骤S1；S3，进行异常点检测与剔除；S4，进行曲线平滑处理并进行模型诊断；S5，计算相关的非参数量化指标并按照该指标进行二次离子质谱分析曲线的比较；S6，若所述指标满足阈值，则该次离子注入正常；若不满足阈值，则该次离子注入异常，转到步骤S1。解决现有技术中二次离子质谱分析曲线的比较参数过于主观，离子注入结果分析不全面的问题，有效的实现早期检测和指导从业人员及时制定解决方案，减少偏差的影响。
二次离子质谱分析离子注入剂量离子机台异常点检测比较参数结果分析决策阶段量化指标模型诊断曲线平滑早期检测指标满足非参数自校验微调剔除诊断主观制定