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[发明专利]一种LCD屏幕表面吸附物的检测方法-CN202211082402.1有效
发明人：刘凌霄;杨慧;杨凌;乔明胜;李晓旻 -专利权人： 胜科纳米（苏州）股份有限公司
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G01N21/55 文献下载
摘要：本发明提供一种LCD屏幕表面吸附物的检测方法。所述检测方法具体包括以下步骤：(1)采用平头微量进样器将溶剂滴于吸附有污染物的LCD屏幕表面；(2)使步骤(1)滴于LCD屏幕表面的溶剂铺展扩散，待污染物完全被溶解后，采用平头微量进样器收集，得到含有污染物的溶液；(3)将步骤(2)含有污染物的溶液转移到金镜上，使溶剂挥发后，采用全反射红外光谱仪对污染物进行定性检测。本方法可以实现定位取样分析，将样品转移至金镜上可以排除无机物及LCD屏幕的影响，测试信号更准确；此外，此方法中污染物的测试浓度较高，信号会更强一些；此方法所需有机溶剂较少，成本低。
一种 lcd 屏幕表面吸附检测方法

[发明专利]一种缺陷分析方法、装置、电子设备及存储介质-CN202211739371.2有效
发明人：刘媛媛;王玉柱;施志洋;华佑南;罗晓丹;李晓旻 -专利权人： 胜科纳米（苏州）股份有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种缺陷分析方法、装置、电子设备及存储介质。该方法包括：获取包含目标对象的待分析缺陷图片，并确定所述目标对象在所述待分析缺陷图片中所在的目标区域，其中，所述目标对象存在缺陷；获取预先定义的目标缺陷颜色，并基于所述目标缺陷颜色在所述目标区域中确定目标异常区域；确定所述目标异常区域相较于所述目标区域的异常比例，并基于所述异常比例，对所述目标对象所存在的缺陷进行分析。本发明实施例的技术方案，能够实现精准的缺陷分析。
一种缺陷分析方法装置电子设备存储介质

[发明专利]一种光纤异物检测装置及其制备方法-CN202311089085.0在审
发明人：朱雷;张玲玲;赵弇斐;李晓旻 -专利权人： 胜科纳米（苏州）股份有限公司
申请日： 2023-08-28 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G01N23/2258 文献下载
摘要：本发明公开了一种光纤异物检测装置及其制备方法。包括位于样品台一侧的光纤束，光纤束包括待测光纤与至少两个辅助光纤，辅助光纤与待测光纤接触；位于样品台一侧的固定夹具，固定夹具与光纤束至少部分接触，固定夹具用于固定光纤束，沿第一方向，光纤束的延伸方向与第一方向平行；位于光纤束远离样品台一侧设置有遮挡金属单元，遮挡金属单元设置有开孔区，开孔区暴露待测光纤；位于遮挡金属单元远离样品台一侧设置有检测单元，沿第一方向，检测单元与待测光纤间隔设置且投影交叠，检测单元用于对待测光纤进行飞行时间二次离子质谱检测，并判断待测光纤出口端的异物类型，提高光纤异物检测的精准度。
一种光纤异物检测装置及其制备方法

[发明专利]一种用于有机体器件内部异物分析的制样及检测方法-CN202310305846.5在审
发明人：朱雷;潘京方;陈永鸿;刘兵海;梁伟德;华佑南;李晓旻 -专利权人： 胜科纳米（苏州）股份有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G01N21/3563 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于有机体器件内部异物分析的制样及检测方法，所述制样方法包括以下步骤：(1)对有机体器件内部的异物进行定位，然后在有机体器件中建立通道直至露出异物；(2)采用聚焦离子束对步骤(1)所述的异物依次进行第一切割和第二切割，得到含有异物的待测样品。通过对异物定位后刨开一个通道接近异物，然后采用聚焦离子束切割出整个或部分异物，缩短了制样时间，之后结合FTIR技术进行分析检测，能够去除有机体器件材料干扰，确保分析结果的准确性和可靠性。
一种用于有机体器件内部异物分析检测方法

[发明专利]一种用于半导体芯片透射电镜样品分析的样品架-CN202310755692.X在审
发明人：罗晓丹;朱超;曹后平;华佑南;李晓旻 -专利权人： 胜科纳米（苏州）股份有限公司
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G01Q30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于半导体芯片透射电镜样品分析的样品架。该用于半导体芯片透射电镜样品分析的样品架包括样品架本体，所述样品架本体包括两个支臂，两个所述支臂相对设置，两个所述支臂之间设有用于放置样品的盛放柱；至少一个所述支臂上设有供镊子夹持的夹持槽，所述夹持槽侧面开口且贯穿所述支臂的外侧边缘。通过采用上述方案，解决了现有的样品架在用镊子夹样品架时容易被夹弯曲、被夹伤以及被夹飞的问题。
一种用于半导体芯片透射样品分析

[实用新型]一种夹具及X射线成像系统-CN202320643895.5有效
发明人：张林华;施志洋;顾秋燕;华佑南;李晓旻 -专利权人： 胜科纳米（苏州）股份有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G01N23/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种夹具及X射线成像系统。其中，夹具包括底座和夹具组件，夹具组件包括与底座固定连接的中空支撑柱、载物升降支架和样品固定螺栓，中空支撑柱包括竖直导向槽，载物升降支架和竖直导向槽活动连接，载物升降支架上设置有沿水平方向开口的载物槽，载物槽远离中空支撑柱一侧的侧壁上设置有第一螺纹通孔，样品固定螺栓与第一螺纹通孔活动连接，样品固定螺栓靠近中空支撑柱的端面与载物槽靠近中空支撑柱一侧的侧壁相对设置。本实用新型实施例提供的夹具及X射线成像系统，避免引入热应力和机械应力的同时，也避免了传统夹具对样品的粘合不牢固、需要重复拆解和连接样品、以及样品可能偏移及掉落的情况，提升了工作效率。
一种夹具射线成像系统

[发明专利]器件级纳米膜层界面结合力的图案化测试方法-CN202110211058.0有效
发明人：李晓旻;刘兵海;华佑南;乔明胜;傅超;张兮 -专利权人： 胜科纳米（苏州）股份有限公司
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G01N3/00 文献下载
摘要：本发明涉及材料样品检测技术领域，尤其涉及器件级纳米膜层界面结合力的图案化测试方法，包括以下步骤：(a)准备待测样品；(b)FIB对所述待测样品进行纳米级精确剥层，暴露出用于测试膜层结合力的上层膜层；(c)对所述上层膜层加压进行纳米膜层界面结合力测试；(d)观察所述待测膜层在测试过程中的变化，并得到结合力测试结果。本发明提出的基于FIB技术的图案化界面剥离测试方案，为纳米器件中工艺膜层间的界面结合力的测试分析提供解决方案。
器件纳米界面结合图案测试方法

[发明专利]一种填胶装置-CN202310326784.6在审
发明人：刘兵海;张兮;华佑南;李晓旻 -专利权人： 胜科纳米（苏州）股份有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： B05C5/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种填胶装置，包括密封主体、密封盖、导管、真空泵、样品台组件和胶体容器，密封盖与密封主体密封连接，导管连通密封主体内的中空腔体和真空泵，胶体容器位于中空腔体内，用于容纳胶体，样品台组件包括样品载台和摇杆，样品载台位于中空腔体内部，且样品载台位于胶体容器上方，样品载台用于承载待填胶样品，摇杆与密封主体的侧壁可转动连接，摇杆的一端与样品载台固定连接，摇杆的另一端延伸至密封主体的外部。本发明实施例提供的填胶装置，实现在真空环境中对待填胶样品的填胶操作，有效的排除了胶体内的空气和气泡，同时，样品台组件的设计可以一次性实现大批量待填胶样品的快速填胶，从而还提高了填胶效率。
一种装置

[发明专利]一种超薄悬空膜透射电镜样品的制备方法-CN202310336556.7在审
发明人：李金磊;李晓敏;缪睿;黄晋华;郑海鹏;华佑南;李晓旻 -专利权人： 胜科纳米（苏州）股份有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种超薄悬空膜透射电镜样品的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：(1)使用铪源和氧源在悬空膜的表面交替进行多层原子层沉积，得到氧化铪层；(2)采用聚焦离子束在步骤(1)所述氧化铪层的表面依次沉积碳和金属薄膜，制得悬空膜透射电镜样品。所述制备方法通过在低温下依次交替沉积生长硬质HfO2保护层，可快速获得无变形的膜层；同时交替生长的HfO2可释放ALD生长过程中膜层本身的应力，在后续FIB制备过程中可以保持悬空膜结构的稳定且不损伤悬空膜，获得真实的悬空结构信息，保证后期TEM表征数据真实可靠。
一种超薄悬空透射样品制备方法

[实用新型]一种填胶装置-CN202320664191.6有效
发明人：刘兵海;张兮;华佑南;李晓旻 -专利权人： 胜科纳米（苏州）股份有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： B05C5/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种填胶装置，包括密封主体、密封盖、第一导管、第二导管、第一真空泵、第二真空泵、样品台组件和样品容器，密封盖与密封主体密封连接，以对密封主体的中空腔体进行密封，第一导管连通中空腔体与第一真空泵，第一导管上设置有胶体容器和第一阀门，第一真空泵用于在胶体容器内形成负压，第二导管连通中空腔体与第二真空泵，样品台组件包括位于中空腔体内部的样品载台，样品载台用于承载样品容器，样品容器用于容纳待填胶样品，样品载台位于第一导管下方。本实用新型实施例提供的填胶装置，实现了在真空环境中对待填胶样品的填胶操作，有效的排除了胶体内的空气和气泡，并利用外界大气压，实现密实填胶。
一种装置

[发明专利]一种芯片检测及失效分析过程中的剥层方法-CN202310328809.6在审
发明人：刘瑶;赵一成;张林华;华佑南;李晓旻 -专利权人： 胜科纳米（苏州）股份有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G01N23/2202 文献下载
摘要：本发明提供一种芯片检测及失效分析过程中的剥层方法，所述剥层方法包括以下步骤：(1)获取芯片，确定分界层和目标分析层；(2)采用第一剥层方法对所述分界层以上的膜层进行逐层剥离；(3)采用第二剥层方法对所述分界层及分界层以下的膜层进行逐层剥离，直至达到所述目标分析层，暴露出待分析区域；其中，所述第一剥层方法包括化学腐蚀法、反应离子蚀刻法或手工研磨法中的任意一种或至少两种的组合；所述第二剥层方法包括等离子体聚焦离子束蚀刻法，且所述第二剥层方法对膜层的剥离包括局部区域定点剥离。本发明提供的剥层方法提高了剥层精确度和剥层效率，避免了芯片的损坏，同时简化了工艺流程，降低了操作难度。
一种芯片检测失效分析过程中的方法

[发明专利]一种测试盘及芯片失效分析测试的方法-CN202310328968.6在审
发明人：居赛;穆燕;罗晓丹;华佑南;李晓旻 -专利权人： 胜科纳米（苏州）股份有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本发明提供一种测试盘及芯片失效分析测试的方法，所述测试盘上沉积有呈线性交叉的金属，所述方法包括：在测试盘上沉积呈线性交叉的金属，并采用毛细软针扎针，进行失效分析测试。本发明能够避免在分析测试中测试盘被扎坏或扎穿的问题，大大提升分析测试的成功率和数据的准确性。
一种测试芯片失效分析方法

[发明专利]一种3DNADA闪存垂直通道的超薄电镜样品及其制样方法-CN202310381406.8在审
发明人：黄萍;董磊磊;黄晋华;郑海鹏;华佑南;李晓旻 -专利权人： 胜科纳米（苏州）股份有限公司
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G01N23/20008 文献下载
摘要：本发明提供一种3DNADA闪存垂直通道的超薄电镜样品及其制样方法，所述制样方法包括：所述3DNADA闪存垂直通道向第一方向倾斜至与水平面呈A角度后，再经聚焦离子束进行切割，得到第一样品；所述第一样品向第二方向倾斜至与水平面呈B角度后，再经聚焦离子束进行抛光，得到超薄电镜样品；所述第一方向和第二方向属于平行且相反的方向。所述超薄电镜样品的厚度≤30nm，可以消除刀痕，符合电镜样品的需求。
一种 dnada 闪存垂直通道超薄样品及其方法

[发明专利]一种待XPS能谱分析的样品和分析定位方法-CN202310290092.0在审
发明人：朱雷;赵弇斐;胡团桥;刘瑶;黄凡;李晓旻 -专利权人： 胜科纳米（苏州）股份有限公司
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G01N23/2204 文献下载
摘要：本发明公开了一种待XPS能谱分析的样品和分析定位方法，样品包括待检测的平面，待检测的平面上包括待测区域和标记部；标记部为中心镂空结构的标记部，中心镂空结构的外边界位于待测区域外围，待测区域外边界至中心镂空结构的外边界之间的距离范围为10‑20um；待测区域的外边界的尺寸在50um以下；标记部与待测区域的探测信号形成反差；标记部能够被XPS能谱分析设备所探测，以使待测区域被XPS能谱分析设备探测。由此，通过提前在待测区域周边设置标记部，使得样品在被X光探测或成像时，能够通过标记部快速定位到待测区域，实现XPS能谱微区分析。
一种 xps 谱分析样品分析定位方法

[发明专利]一种高阶芯片的失效分析方法-CN202310339554.3在审
发明人：张林华;刘瑶;侯增;华佑南;李晓旻 -专利权人： 胜科纳米（苏州）股份有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种高阶芯片的失效分析方法，该方法包括：提供待分析样品；待分析样品为已去除封装层的高阶芯片；待分析样品包括待分析的感兴趣区域；采用物理研磨法和/或双束电浆离子束依序剥离至少部分功能层，并对暴露于最外侧的功能层的感兴趣区域进行电性测试，且在根据电性测试的测试结果，确定当前暴露于最外侧的功能层中存在故障区域时，停止对功能层的剥离；将待分析样品的故障区域取出，以制得TEM样品；采用透射电子显微镜，获取TEM样品的TEM影像；根据TEM影像，确定故障区域的缺陷位置和缺陷类型。本发明的技术方案，可以实现高阶芯片的晶体管级别的失效分析，提高分析质量和分析速率。
一种芯片失效分析方法

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