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[发明专利]一种基于化学气相沉积法制备多层石墨烯的方法-CN202310306980.7在审
发明人：王振华;李驰;李佳芮;刘思兰;孙东甲;张伟强;周顷禹;邵雪健;孙伟 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：一种多层石墨烯的制备方法，属于材料制备技术领域，具体方案包括以下步骤：步骤一、在衬底上蒸镀铜薄膜；步骤二、对铜薄膜进行退火处理；步骤三、使用铜箔包裹在步骤二中退火处理后的铜薄膜的外周，且铜箔和铜薄膜之间留有间隙；步骤四、采用化学气相沉积的方法在铜薄膜上生长多层石墨烯。本发明采用铜箔包裹退火后的铜薄膜作为生长基底，通过化学气相沉积法生长多层石墨烯。即采用铜箔包裹腔体催化裂解空间中的碳源，使其形成微小石墨烯孪晶结构，在包裹腔体内沉积到铜薄膜表面生长的第一层石墨烯表面，沉积的石墨烯孪晶吸附周围碳源持续生长，从而形成石墨烯薄膜，则铜薄膜表面生长出多层石墨烯薄膜。
一种基于化学沉积法制多层石墨方法

[实用新型]一种用于提高离化率的类金刚石碳膜沉积设备-CN202223372759.1有效
发明人：裴绪杨;彭建 -专利权人：苏州普锐仕精密光学科技有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于提高离化率的类金刚石碳膜沉积设备，其包括：底座，所述底座的左侧设置有混合接气管和乙炔接气管，所述底座上设置有排口以及与乙炔接气管相连通的乙炔气管，所述排口采用抽空管与真空泵相连通；真空罩，所述真空罩的底壁密封设置于底座顶面的边缘处，所述真空罩的内壁上固定设置有固定块。本实用新型装置中采用丝杠原理机构控制加热器进行上、下移动，增加均热效果，同时增加对注入气体的控制强度，提高乙炔的分解速度和分解效果，大大提高玻璃和模具表面的成膜速度和厚度。
一种用于提高离化率金刚石沉积设备

[发明专利]一种通过等离子体增强化学气相沉积增材技术实现零件表面超光滑的方法-CN202211666152.6在审
发明人：王浪平;刘文宇;王小峰 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：一种通过等离子体增强化学气相沉积增材技术实现零件表面超光滑的方法，它涉及一种实现零件表面超光滑的方法。本发明要解决传统减材超光滑方法耗时长，且现有DLC沉积技术未实现粗糙度由纳米级降低至亚纳米级的问题。方法：将待处理的零件放入真空室中并抽真空，然后通入乙炔气体，控制真空室内气压，然后通过射频辉光放电在真空室内部产生乙炔等离子体，设置射频功率，并在待处理的零件上施加脉冲电压，在零件表面进行等离子体增强化学气相沉积得到DLC薄膜。本发明用于通过等离子体增强化学气相沉积增材技术实现零件表面超光滑。
一种通过等离子体增强化学沉积技术实现零件表面光滑方法

[发明专利]一种衰减器加工方法及设备-CN202310230607.8在审
发明人：高闿阅;陈书超;肖新来;周金;张毅;董金伟;高志强;张彬 -专利权人：山东微波电真空技术有限公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明属于行波管加工技术领域，具体提供了一种衰减器加工方法及设备，包括外壳、供气组件、加热机构、夹持机构，外壳内部形成真空腔室；供气组件能够向真空腔室供给正庚烷气体；加热机构设于真空腔室中，加热机构能够向外辐射热量；夹持机构能够定位夹持杆，以使得夹持杆沿第一方向延伸并靠近加热面，进而使得夹持杆能够承接从加热机构辐射处的热量；加热机构具有楔形导热板，楔形导热板的外侧面形成加热面，楔形导热板的厚度沿第一方向依次变化，以调节夹持杆任意位置与加热面的距离，进而调节夹持杆不同位置的温度。
一种衰减器加工方法设备

[发明专利]一种金属气凝胶原位生长碳纳米管的制备方法-CN202310277905.2在审
发明人：胡悦;叶涛;杜然;张鑫宇;杨植 -专利权人：温州大学
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属气凝胶原位生长碳纳米管的制备方法，包括如下步骤：步骤一，将金属溶液、溶剂，配体溶液、还原剂、引发剂通入反应容器中，再通过改变外界条件，例如磁场，温度等来使其自组装形成金属水凝胶，洗涤多次后用醇溶液交换进行冷冻干燥，得到金属气凝胶；步骤二，将上述所得金属气凝胶放入反应腔体中，并惰性气体保护下将反应腔体升温至300℃‑1500℃；步骤三，向反应腔体中持续通入还原性气体、惰性气体和气态含碳有机物持续通入，持续反应，即可得到金属气凝胶原位生长碳纳米管的复合材料。通过溶胶‑凝胶、超临界干燥/冷冻干燥、化学气相沉积相结合的方法，首次实现了金属气凝胶原位控制生长碳纳米管。
一种金属凝胶原位生长纳米制备方法

[发明专利]一种全自动卧式真空镀碳装置及其使用方法-CN202310328868.3在审
发明人：曹宇;魏守冲 -专利权人：磐石创新（江苏）电子装备有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明涉及全自动卧式真空镀碳装置及其使用方法，包括机架、真空泵、高真空获得系统、丙酮储存罐、液氮冷阱、真空管道、全量程真空规保护装置、阻隔碳膜附着装置、压力变送器、水冷密封法兰、匀气装置、加热装置、石英真空腔室和直线运动系统；高真空获得系统通过真空管道与阻隔碳膜附着装置的一端连接；全量程真空规保护装置设置在真空管道上；水冷密封法兰与石英真空腔室配合连接；石英真空腔室内设置有加热装置；真空泵与高真空获得系统、水冷密封法兰连接；直线运动系统与石英真空腔室驱动连接；压力变送器与水冷密封法兰连接。其具有结构设计合理、操作使用方便、运行可靠稳定等优点，能够有效提高镀碳质量和效率，具有较好的市场应用前景。
一种全自动卧式真空装置及其使用方法

[发明专利]类金刚石薄膜制备方法-CN202310222342.7在审
发明人：戴辉;尹士平;郭晨光 -专利权人：安徽光智科技有限公司
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：一种类金刚石薄膜制备方法包括步骤：将陪镀片置于射频等离子增强化学气象沉积设备的腔体内部的阴极工件盘上；将腔体抽真空，阴极工件盘加热；通入丁烷、氩气、锗烷/硅烷，以体积总量计，丁烷占65％‑75％，氩气占5％‑15％，锗烷/硅烷占20％‑30％，开启射频电源，通过射频电源使混合气体离子化并化学反应以在陪镀片的表面上沉积膜厚大于0但在200nm以下的膜，该膜为软膜；软膜制备完成后，通入丁烷和氩气的混合气，以体积总量计，丁烷占85％‑95％，氩气占5％‑15％，开启射频电源，通过射频电源使混合气离子化并化学反应以在软膜的表面上沉积膜厚为200nm‑800nm的膜，该膜为硬膜，陪镀片上的软膜和硬膜构成类金刚石薄膜。能够降低整体类金刚石薄膜的应力，能够制备整体膜厚更厚的类金刚石薄膜。
金刚石薄膜制备方法

[发明专利]一种非金属基材表面直接生长石墨烯薄膜的方法-CN202110536786.9有效
发明人：娄刚;欧阳奕;汪伟;刘兆平 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种非金属基材表面直接生长石墨烯薄膜的方法。与现有技术相比，本发明以三氧化二铝薄膜为生长衬底，在三氧化二铝薄膜上蒸镀铜膜作为金属催化剂，利用三氧化二铝与石墨烯较高的晶格匹配度及较高的平整度，通过单晶铜薄膜厚度的调控，并结合常压CVD技术，从而使得到的石墨烯薄膜平整性、缺陷程度、完整性都有较大的提升；进一步的，通过控制碳源分压、生长时间，实现对石墨烯质量、层数的调控。
一种非金属基材表面直接生长石墨薄膜方法

[发明专利]在大长径比金属筒（或管）内壁表面沉积类金刚石薄膜的方法-CN202110522893.6有效
发明人：郑锦华;李志雄;刘青云 -专利权人：郑州大学;河南晶华膜技真空科技有限公司
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明涉及在大长径比(L/D)或小直径金属筒(或管)内壁表面沉积类金刚石薄膜的方法，采用一个用金属丝网制作的筒(或管)状阳极，把金属筒(或管)的内壁作为阴极，在丝网阳极和金属筒(或管)内壁之间构成等离子电场，丝网阳极的网孔则成为反应气体均匀分布的通道，反应气体分别通入Ar气、或Si(CH3)4、或H2、或C2H2、或它们的混合气体。在等离子电场中施加高电压，电场中高能γ‑电子轰击丝网阳极，同时被丝网阳极吸收并产生电流。高能γ‑电子的轰击和电流使丝网阳极的温度升高，并控制丝网阳极温度稳定在300℃左右，在真空环境中丝网阳极对筒内壁辐射加热，使筒内壁达到类金刚石薄膜沉积所需的温度(150～200℃)，从而提高薄膜的界面结合强度和金刚石的成分含量。
长径金属内壁表面沉积金刚石薄膜方法

[发明专利]一种石墨烯薄膜制备方法-CN202210768556.X有效
发明人：王炜;沈大勇;谭化兵;瞿研;郭冰 -专利权人：常州第六元素半导体有限公司;江苏江南烯元石墨烯科技有限公司
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本方案公开了一种石墨烯薄膜制备方法，该方法包括如下步骤：将生长衬底置于支撑结构上并随同支撑结构在传送机构的作用下以预定的速度被持续传送至进行化学气相沉积反应的反应腔体内；在反应腔体内，石墨烯薄膜在生长衬底上生长，生长衬底随同支撑结构在传送机构的作用下以预定的速度在反应腔体内移动直至被传送出所述反应腔体。该方法可以在CVD法制备石墨烯薄膜时，实现石墨烯薄膜的连续制备且无需降低生长温度并能制备出高质量的石墨烯薄膜。
一种石墨薄膜制备方法

[发明专利]碳化硅-氮化硼-热解石墨复合加热片及制备方法和应用-CN202211672868.7在审
发明人：陈宏;董家海;斯超波 -专利权人：常熟通乐电子材料有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明公开了碳化硅‑氮化硼‑热解石墨复合加热片及制备方法和应用，首先采用CVD工艺在热解氮化硼基片表面沉积热解石墨发热层；其次，采用CVD工艺在沉积有热解石墨发热层的热解氮化硼基片上继续沉积热解氮化硼绝缘层，将热解石墨发热层及热解氮化硼基片全覆盖住；最后，在热解氮化硼绝缘层表面沉积致密碳化硅保护层。热解石墨发热层被热解氮化硼绝缘层包裹在中间位置，碳化硅保护层进一步将热解氮化硼绝缘层完全包裹住。本申请利用热解石墨发热层的高导电性和碳化硅保护层的耐高温、抗氧化以及高辐射特性，制备的碳化硅‑氮化硼‑热解石墨复合加热片可以实现800‑1600℃的电加热要求，具有轻薄、高纯净，高稳定性、长寿命的优点。
碳化硅氮化石墨复合加热制备方法应用

[发明专利]AlN掺杂的类金刚石涂层工艺-CN202310513817.8在审
发明人：毛昌海;祖全先;帅小锋 -专利权人：艾瑞森表面技术（苏州）股份有限公司
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种AlN掺杂的类金刚石涂层工艺，包括如下步骤：S1：提供PECVD涂层机，配置有至少两组溅射阴极，其中一组为Cr靶，一组为Al靶，开启溅射Cr靶，溅射PVD工艺沉积Cr底层、CrC过渡层；S2：提供微波发生器作为离子源，以微波等离子体辅助技术离化乙炔气体，通过偏压电源施加偏压在CrC过渡层之上沉积DLC涂层，同时沉积的过程中通入氮气和氩气，开启溅射Al靶，氮气和溅射出的Al原子优先反应生成AlN并掺杂进入DLC涂层中，AlN相以嵌入式分布在DLC涂层中。本发明的AlN掺杂的类金刚石涂层工艺得到的DLC涂层退涂时，采用碱性退涂液即可溶解DLC涂层中的AlN相，达到退涂的目的。
aln 掺杂金刚石涂层工艺

[发明专利]一种分子膜碳纸及其制备方法和应用-CN202211067045.1有效
发明人：朱维;谢佳平;尚子奇;沈军 -专利权人：海卓动力（北京）能源科技有限公司
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明涉及燃料电池技术领域，尤其涉及一种分子膜碳纸及其制备方法和应用。本发明提供了一种分子膜碳纸的制备方法，包括以下步骤：将高分子膜在酸液中进行浸渍处理后，热处理，得到预处理后的高分子膜；所述高分子膜的材料为导电聚合物；采用等离子气相化学沉积的方式，以乙炔为工作气，在所述预处理后的高分子膜表面沉积碳，得到所述分子膜碳纸。利用所述制备方法制备得到的分子膜碳纸同时具有较好的机械强度、疏水性和电导率。
一种分子膜碳纸及其制备方法应用

[发明专利]触摸屏的镀膜方法-CN202111424063.6在审
发明人：郭振新 -专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种触摸屏的镀膜方法，该方法包括：将触摸屏放置在处理室内；向所述处理室内通入氩气；开启Si靶材的中频溅射电源，在所述触摸屏的表面进行Si膜的沉积；对所述触摸屏表面的Si膜进行离子刻蚀，以在所述Si膜上形成粗糙表面；以含氟气体为掺杂气体，采用射频化学气相沉积法在所述触摸屏的表面制备含氟类金刚石薄膜。采用本发明实施例，能够在触摸屏的表面形成均匀致密的保护膜，该保护膜具有高透光率、高硬度及疏水疏油性良好的特性，并且，该保护膜与触摸屏之间的结合力高。
触摸屏镀膜方法

[发明专利]以荷叶为衬底沉积碳纳米纤维复合材料及其制备方法与应用-CN202211647591.2在审
发明人：王延相;蒋浩天;王成国;王成娟;崔博文;徐小丹;吴思蒙;栗孟帆;许镇豪;谭红雪 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种以荷叶为衬底沉积碳纳米纤维复合材料及其制备方法与应用，包括如下步骤：将清洗后的荷叶放入催化剂水溶液中，超声处理20‑40min后，倒入聚四氟乙烯内衬的反应釜中，催化剂水溶液为硝酸镍和硫脲的混合水溶液，硝酸镍和硫脲的摩尔比为1:10‑15，催化剂水溶液中金属离子的总浓度为0.01‑0.04mol/L；将反应釜在170‑190℃加热20‑30h；反应完成后，冷却，将溶液进行抽滤，将得到的固体物质烘干，得到粉末；将粉末放入石英舟中，采用氮气置换空气后，向其中通入氢气，加热，在430‑470℃保温5‑15min，对催化剂进行还原；随后加热到600‑700℃进行反应生长，一次性通入C2H2和H2，并控制N2、C2H2和H2的流量比为5‑7:2‑4:2‑4，生长20‑40min后，得到目标产物，将目标产物冷却即可。
荷叶衬底沉积纳米纤维复合材料及其制备方法应用