[发明专利]太阳能电池的扩散方法和太阳能电池

说明书

本发明适用于太阳能电池技术领域，提供了一种太阳能电池的扩散方法和太阳能电池。太阳能电池的扩散方法包括：将硅片放入扩散设备中进行进舟处理；将硅片进行前氧化处理；将硅片进行沉积处理；其中，沉积时间的范围为：[5min，7min]，通源量的范围为：[300mg/min，350mg/min]；将硅片进行推进处理；其中，推进时间的范围为：[0min，5min]，推进温度的范围为：[870℃，885℃]；将硅片进行后沉积处理；将硅片进行出舟处理。如此，可以提高电池转化效率。

技术领域

本发明属于太阳能电池技术领域，尤其涉及一种太阳能电池的扩散方法和太阳能电池。

背景技术

太阳能电池制造工艺中的核心工艺是扩散，扩散用于形成PN结。然而，现有技术中，电池表面的掺杂浓度较高，复合较严重，导致开路电压偏低。这样，导致电池的光电转化效率较低。基于此，如何提高电池的转化效率，成为了亟待解决的问题。

发明内容

本申请提供一种太阳能电池的扩散方法和太阳能电池，旨在解决如何提高电池的转化效率的问题。

第一方面，本申请提供一种太阳能电池的扩散方法。太阳能电池的扩散方法包括：

将硅片放入扩散设备中进行进舟处理；

将所述硅片进行前氧化处理；

将所述硅片进行沉积处理；其中，沉积时间的范围为：[5min，7min]，通源量的范围为：[300mg/min，350mg/min]；

将所述硅片进行推进处理；其中，推进时间的范围为：[0min，5min]，推进温度的范围为：[870℃，885℃]；

将所述硅片进行后沉积处理；

将所述硅片进行出舟处理。

可选地，在进行所述前氧化处理时，前氧化的时间的范围为：[4min，8min]，大氧的流量的范围为：[600sccm，1200sccm]。

可选地，在进行所述前氧化处理时，温度的范围为：[750℃，800℃]，大氮的流量的范围为：[2slm，4slm]。

可选地，在进行所述沉积处理时，温度的范围为：[750℃，800℃]，小氮的流量的范围为：[380sccm，420sccm]。

可选地，在进行所述推进处理时，大氮的流量的范围为：[2slm，3slm]。

可选地，在进行所述后沉积处理时，后沉积时间的范围为：[6min，10min]，后沉积温度的范围为：[810℃，830℃]，通源量的范围为：[300mg/min，350mg/min]。

可选地，在进行所述后沉积处理时，小氮的流量的范围为：[380sccm，420sccm]。

可选地，所述硅片为P型晶体硅，所述扩散方法用于对所述硅片进行磷扩散。

可选地，磷源包括三氯氧磷液态源。

第二方面，本申请还提供一种太阳能电池。所述太阳能电池的PN结采用上述任一项所述的方法制作得到。

本申请实施例的太阳能电池的扩散方法和太阳能电池中，由于在进行沉积处理时，沉积时间和通源量较低，故可以降低浅掺区的表面浓度，从而提高电池转化效率。由于在进行推进处理时，推进时间和推进温度较高，故可以增加PN结的结深，从而提高电池转化效率。

附图说明

图1是本申请一个实施例提供的太阳能电池的扩散方法的流程示意图。

具体实施例