[发明专利]太阳能电池的扩散方法和太阳能电池有效
| 申请号： | 202110558711.0 | 申请日： | 2021-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN113206008B | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 刘海泉;杨二存;赵小平;高丽丽;时宝;陈刚 | 申请（专利权）人： | 天津爱旭太阳能科技有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/225 | 分类号： | H01L21/225;H01L31/18;H01L31/068 |
| 代理公司： | 深圳盛德大业知识产权代理事务所(普通合伙) 44333 | 代理人： | 贾振勇 |
| 地址： | 300400 天津市北辰区天津北辰*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 扩散 方法 | ||
1.一种太阳能电池的扩散方法，其特征在于，按照先后顺序包括以下步骤：
将硅片放入扩散设备中进行进舟处理；
将所述硅片进行恒温处理，恒温处理的时间范围为[0.5min，1.5min]，温度的范围为：[750℃，775℃]；
将所述硅片进行前氧化处理；
将所述硅片进行沉积处理；其中，沉积时间的范围为：[5min，7min]，通源量的范围为：[300mg/min，350mg/min]；
将所述硅片进行推进处理；其中，推进时间的范围为：[0min，5min]，推进温度的范围为：[870℃，885℃]，大氮的流量的范围为：[2slm，3slm]；
将所述硅片进行后沉积处理；
将所述硅片进行出舟处理。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的扩散方法，其特征在于，在进行所述前氧化处理时，前氧化的时间的范围为：[4min，8min]，大氧的流量的范围为：[600sccm，1200sccm]。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池的扩散方法，其特征在于，在进行所述前氧化处理时，温度的范围为：[750℃，800℃]，大氮的流量的范围为：[2slm，4slm]。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池的扩散方法，其特征在于，在进行所述沉积处理时，温度的范围为：[750℃，800℃]，小氮的流量的范围为：[380sccm，420sccm]。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池的扩散方法，其特征在于，在进行所述后沉积处理时，后沉积时间的范围为：[6min，10min]，后沉积温度的范围为：[810℃，830℃]，通源量的范围为：[300mg/min，350mg/min]。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池的扩散方法，其特征在于，在进行所述后沉积处理时，小氮的流量的范围为：[380sccm，420sccm]。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池的扩散方法，其特征在于，所述硅片为P型晶体硅，所述扩散方法用于对所述硅片进行磷扩散。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池的扩散方法，其特征在于，磷源包括三氯氧磷液态源。
9.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池的PN结采用权利要求1～8任一项所述的方法制作得到。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
