[发明专利]基板处理装置和液体供应方法在审
申请号: | 202110449834.0 | 申请日: | 2021-04-25 |
公开(公告)号: | CN113555299A | 公开(公告)日: | 2021-10-26 |
发明(设计)人: | 洪榕焄;李瑟;田明娥;崔文植;金荣洙 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B08B3/02;B08B13/00 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 张凯 |
地址: | 韩国忠清南道天安*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 液体 供应 方法 | ||
本发明涉及基板处理装置和液体供应方法。本发明构思提供基板处理装置。在实施方式中,基板处理装置包括:壳体,该壳体具有用于在该壳体的内部中处理基板的处理空间;支承单元,该支承单元在该处理空间中支承该基板;喷嘴,该喷嘴将液体供应到位于该支承单元上的基板;液体供应单元,该液体供应单元将液体供应到该喷嘴;以及控制器,该控制器控制该液体供应单元,该液体供应单元包括:罐,该罐具有用于存储液体的内部空间;以及第一循环管线,该第一循环管线使存储在内部空间中的液体循环,第一加热器安装在该第一循环管线中,并且该控制器控制第一加热器,使得该第一加热器将液体加热到第一温度,在该第一温度下在液体的内部中的颗粒不被洗脱。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年4月24日提交韩国知识产权局、申请号为10-2020-0050040的韩国专利申请的优先权和权益,其全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本发明构思涉及一种用于供应液体到基板的基板处理装置以及液体供应方法。
背景技术
基板的表面上的诸如颗粒、有机污染物和金属污染物的污染物极大地影响半导体装置的特性和良率。基于此,去除附接到基板的表面的各种污染物的清洁工艺非常重要,并且在用于制造半导体的单元工艺之前和之后执行清洁基板的工艺。
通常,清洁基板的工艺包括通过使用诸如化学物质的处理液去除残留在基板上的金属物质、有机物质和颗粒的化学处理工艺、通过使用纯水去除残留在基板上的化学物质的冲洗工艺、以及通过使用氮气干燥基板的干燥工艺。
在将诸如化学物质或冲洗液的处理液供应到基板上的处理工艺中,液体供应单元将处理液提供至喷嘴单元。通常,液体供应单元包括:储存处理液的罐;供应管线,所述供应管线将来自罐的内部空间的处理液提供至喷嘴单元;以及回收管线,所述回收管线在基板处理之后将处理液回收到罐的内部空间。
然而,当处理液被加热到处理温度以用处理液处理基板时,在液体的温度为特定温度或更高时在管道、加热器和阀等中产生颗粒。在管道等中产生的颗粒漂浮在处理液的内部中。过滤器设置在供应管线等中,以在漂浮在处理液内部中的颗粒被供应至喷嘴之前将这些颗粒过滤掉。然而,随着连续地产生颗粒,颗粒会积聚在过滤器中,从而缩短过滤器的使用寿命,并且在管道中造成压力损失。
由于在诸如管道内壁的高温环境下在处理液的内部中产生颗粒,因此加热处理液的加热器与将处理液供应到基板中的喷嘴之间的距离变长,管道中会产生大量颗粒。
发明内容
本发明构思的实施方式提供使液体供应单元中的颗粒产生最小化的基板处理装置以及液体供应方法。
本发明构思的实施方式还提供增加提供在液体供应单元中的过滤器的寿命的基板处理装置和液体供应方法。
本发明构思的实施方式还提供使在液体供应单元中提供为被处理材料的液体的压力损失最小化的基板处理装置和液体供应方法。
本发明构思要解决的问题不限于上述问题,并且本发明构思所属的本领域技术人员将从说明书和所附图中清楚地理解未提及的问题。
本发明构思提供基板处理装置。基板处理装置包括:壳体,所述壳体具有用于在壳体的内部中处理基板的处理空间;支承单元,所述支承单元在处理空间中支承基板;喷嘴,所述喷嘴将液体供应到位于支承单元上的基板;液体供应单元,所述液体供应单元配置为将液体供应到喷嘴;以及控制器,所述控制器控制液体供应单元,其中,所述液体供应单元包括:罐,所述罐具有用于存储所述液体的内部空间;以及第一循环管线,所述第一循环管线使存储在内部空间中的液体循环,并且第一加热器安装在所述第一循环管线中;出口管线,所述出口管线从第一循环管线分支,以将液体供应到喷嘴;以及回收管线,所述回收管线从出口管线分支,以将液体回收到罐的内部空间,并且其中,所述控制器控制第一加热器,使得第一加热器将液体加热到第一温度,在第一温度下在液体的内部中的颗粒不被洗脱。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造