[发明专利]化学机械抛光方法

说明书

本发明提供了一种化学机械抛光方法，包括：提供一硅片，所述硅片具有一缺口；形成一层保护层，所述保护层覆盖所述硅片的表面；对所述硅片的缺口进行化学机械抛光以去除所述缺口的表面缺陷；以及，去除所述保护层。通过在所述硅片的表面覆盖保护层，在对所述硅片的缺口进行化学机械抛光时，抛光液流到所述硅片的表面时，由于所述保护层对所述硅片的表面保护，使得所述硅片的表面不被所述抛光液腐蚀，从而能够解决所述硅片表面的边缘和中间腐蚀不均匀，硅片表面会出现stain(污点)缺陷的问题。

技术领域

本发明涉及半导体领域，特别涉及一种化学机械抛光方法。

背景技术

在半导体工艺流程中，化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing，CMP)是非常重要的一道工序，也被称之为化学机械平坦化(Chemical MechanicalPlanarization，CMP)。所谓化学机械抛光，通常是将硅片安装到硅片载体上，并与抛光布的抛光层接触，抛光布高速旋转，抛光介质(例如浆液)被分配到抛光垫上且吸入硅片与抛光层之间的间隙中，硅片在压力装置的压力作用与抛光布相互摩擦，被研磨去除多余材料，并最终使硅片的研磨面被抛光并获得平坦表面。

硅片缺口作为硅片的对准标记，硅片缺口的抛光工作过程中硅片载体夹住硅片，抛光垫(Notch PAD)对准硅片缺口处并且施加压力，然后抛光液管道(slurry pipe)对准硅片缺口处流出抛光液(slurry)。来对硅片的缺口处进行化学机械抛光。因为抛光液主要沿着硅片的边缘流动，会出现硅片表面的边缘和中间区域腐蚀不均匀的现象。从而在目视检查下，硅片表面会出现污点(stain)缺陷。

发明内容

本发明的目的在于提供一种化学机械抛光方法，以解决硅片表面的边缘和中间腐蚀不均匀，硅片表面会出现stain(污点)缺陷的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种化学机械抛光方法，包括：

提供一硅片，所述硅片具有一缺口；

形成一层保护层，所述保护层覆盖所述硅片的表面；

对所述硅片的缺口进行化学机械抛光以去除所述缺口的表面缺陷；以及，

去除所述保护层。

可选的，在提供一硅片的步骤中，所述硅片已完成正面化学机械抛光和背面化学机械抛光；在所述硅片的表面形成一层保护层之前，对所述硅片进行清洗以去除所述硅片表面残留的抛光液。

可选的，所述保护层为氧化膜。

可选的，对所述硅片进行清洗以去除所述硅片表面残留的抛光液之后，在清洗槽中通入双氧水或者臭氧以在所述硅片表面形成所述氧化膜。

可选的，所述清洗工艺的溶液中双氧水的浓度为2％-5％。

可选的，所述清洗工艺的溶液中臭氧的浓度为10PPM-30PPM。

可选的，所述保护层的厚度为0.1nm-0.3nm。

可选的，对所述硅片的缺口进行化学机械抛光步骤中还包括：

提供一化学机械抛光装置，该化学机械抛光装置具有抛光布以及硅片载体，所述硅片载体具有用于承载硅片的开口；

将所述硅片置于所述硅片载体的开口内，并使得所述硅片需要被抛光的缺口面对所述抛光布；

测量所述硅片载体的厚度，并获得所述硅片的缺口被抛光后的目标厚度；

根据所述硅片载体的厚度和所述硅片的缺口被抛光后的目标厚度之差，设定所述硅片的抛光工艺参数；

所述化学机械抛光装置根据所述抛光工艺参数对所述硅片的缺口进行抛光。