[发明专利]转接板及其制备方法

权利要求书

1.一种转接板，其特征在于，所述转接板包括：

复合布线结构，所述复合布线结构包括：

第一基底，所述第一基底中具有第一TSV柱，且所述第一TSV柱贯穿所述第一基底；

第一重新布线结构，所述第一重新布线结构位于所述第一基底的第一面上，且与所述第一TSV柱的第一端电连接；

第二重新布线结构，所述第二重新布线结构位于所述第一基底的第二面上，且与所述第一TSV柱的第二端电连接；

所述转接板还包括：

第二基底，所述第二基底中具有第二TSV柱及凹槽，所述第二TSV柱贯穿所述第二基底，且所述复合布线结构位于所述凹槽中；

第三重新布线结构，所述第三重新布线结构位于所述第二基底的第一面上，且与所述第二TSV柱的第一端及所述复合布线结构电连接；

第四重新布线结构，所述第四重新布线结构位于所述第二基底的第二面上，且与所述第二TSV柱的第二端电连接；

其中，重新布线结构包括介质层及金属布线层，所述转接板划分为布线密集区及布线稀疏区，且所述复合布线结构位于所述布线密集区，使得所述布线密集区中的所述金属布线层数大于所述布线稀疏区中的所述金属布线层数，所述第二基底中还包括第三TSV柱，其中，所述凹槽显露所述第三TSV柱的第一端，所述第二基底的第二面显露所述第三TSV柱的第二端，且所述第三TSV柱分别与所述复合布线结构及所述第四重新布线结构电连接，且通过所述第三重新布线结构、第三TSV柱及第四重新布线结构实现所述复合布线结构的双面电性引出，位于所述布线密集区的沿垂向分布的所述复合布线结构、第三重新布线结构、第三TSV柱及第四重新布线结构直接进行连接，减小位于所述布线密集区的所述第三重新布线结构、复合布线结构、第三TSV柱及第四重新布线结构的传输路径。

2.根据权利要求1所述的转接板，其特征在于：所述凹槽的宽度为1μm~1000μm，所述凹槽的深度为10μm~2000μm。

3.一种转接板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供第一基底，于所述第一基底中形成第一TSV柱，所述第一TSV柱的第一端显露于所述第一基底的第一面；

于所述第一基底的第一面上形成第一重新布线结构，所述第一重新布线结构与所述第一TSV柱的第一端电连接；

减薄所述第一基底，以在所述第一基底的第二面显露所述第一TSV柱的第二端；

于所述第一基底的第二面形成第二重新布线结构，所述第二重新布线结构与所述第一TSV柱的第二端电连接，完成复合布线结构的制备；

提供第二基底，于所述第二基底中形成第二TSV柱及第三TSV柱，所述第二TSV柱及所述第三TSV柱的第二端显露于所述第二基底的第二面；

于所述第二基底的第二面上形成第四重新布线结构，所述第四重新布线结构与所述第二TSV柱及所述第三TSV柱的第二端电连接；

减薄所述第二基底，以在所述第二基底的第一面显露所述第二TSV柱的第一端；

于所述第二基底中形成凹槽，所述凹槽显露所述第三TSV柱的第一端，将所述复合布线结构键合于所述凹槽中，且所述复合布线结构与所述第三TSV柱的第一端电连接；

于所述第二基底的第一面上形成第三重新布线结构，所述第三重新布线结构与所述第二TSV柱的第一端、所述第三TSV柱的第一端及所述复合布线结构电连接；

其中，重新布线结构包括介质层及金属布线层，形成的所述转接板划分为布线密集区及布线稀疏区，且所述复合布线结构位于所述布线密集区，使得所述布线密集区中的所述金属布线层数大于所述布线稀疏区中的所述金属布线层数，且通过所述第三重新布线结构、第三TSV柱及第四重新布线结构实现所述复合布线结构的双面电性引出，位于所述布线密集区的沿垂向分布的所述复合布线结构、第三重新布线结构、第三TSV柱及第四重新布线结构直接进行连接，减小位于所述布线密集区的所述第三重新布线结构、复合布线结构、第三TSV柱及第四重新布线结构的传输路径。

4.根据权利要求3中所述的转接板的制备方法，其特征在于：形成的所述凹槽的宽度为1μm~1000μm，所述凹槽的深度为10μm~2000μm。