[发明专利]一种提升磷化铟中锌掺杂浓度的方法有效
| 申请号： | 202110367279.7 | 申请日： | 2021-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN112802738B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 黄辉廉;黄珊珊;张小宾;黄彦泽;杨文奕 | 申请（专利权）人： | 中山德华芯片技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22;H01L21/02;H01L21/324 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 伍传松 |
| 地址： | 528437 广东省中山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提升 磷化 铟中锌 掺杂 浓度 方法 | ||
1.一种提升磷化铟中锌掺杂浓度的方法，其特征在于，包括在完成锌扩散的磷化铟表面，以MOCVD法生长ZnSe层，之后进行退火处理，并除去所述ZnSe层，得高锌掺杂浓度的磷化铟材料；
所述高锌掺杂浓度的磷化铟材料，锌掺杂浓度为1019cm-3~1020cm-3；
所述锌扩散，方法为MOCVD法；
所述退火处理，温度为500℃~600℃，时间为5min~10min。
2.根据权利要求1所述的提升磷化铟中锌掺杂浓度的方法，其特征在于，所述锌扩散，采用的锌源为二甲基锌或二乙基锌中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的提升磷化铟中锌掺杂浓度的方法，其特征在于，所述ZnSe层，厚度为20nm~100nm。
4.根据权利要求1所述的提升磷化铟中锌掺杂浓度的方法，其特征在于，除去所述ZnSe层的方法为湿法腐蚀或干法刻蚀。
5.根据权利要求4所述的提升磷化铟中锌掺杂浓度的方法，其特征在于，所述湿法腐蚀，腐蚀液为选择性腐蚀液。
6.一种制备红外外延片的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1.在InP衬底上依次生长InP缓冲层、InGaAs腐蚀停止层、n-InP层、i-InGaAs层；
S2.在所述i-InGaAs层表面制备高锌掺杂浓度的磷化铟材料，即得所述红外外延片；
步骤S2中，所述高锌掺杂浓度的磷化铟材料的制备方法，如权利要求1~5任一项中所述。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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