[发明专利]显示面板及显示装置在审
申请号: | 202110361440.X | 申请日: | 2021-04-02 |
公开(公告)号: | CN113178492A | 公开(公告)日: | 2021-07-27 |
发明(设计)人: | 王俊 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 远明 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
本发明公开了一种显示面板及显示装置,其包括电性连接的开关晶体管以及驱动晶体管;所述显示面板还包括:第一金属层,包括位于所述开关晶体管的氧化物有源层下的隔离层,以及所述驱动晶体管的第一驱动栅极;相较于现有技术,本发明提高了氧化物有源层的稳定性,提高了开关晶体管的稳定性,进而提高了显示面板的显示效果。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及具有该显示面板的显示装置。
背景技术
近年来,随着显示技术的发展,OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)由于其高对比度、高亮度以及色彩鲜艳等特点被越来越多厂商青睐,同时也促进OLED技术在显示领域得到了大幅的发展。
但是随着移动设备和可穿戴显示方案的发展及目前电池高能量密度方案暂无关键性突破。使得人们对显示设备功耗要求越来越高。目前OLED小尺寸主要的两大背板技术是LTPS(Low Temperature Poly Si,低温多晶硅)和IGZO(indium gallium zinc oxide,铟镓锌氧化物),但是由于IGZO正面均一性较难控制,而LTPS载流子迁移率较大,存在漏电流较高的问题,因此LTPO(Low Temperature Polycrystalline-Si Oxide)低温多晶氧化物技术应运而生。它结合了LTPS和IGZO两者的优点,形成了一种响应速度快,功耗更低的LTPO解决方案。
但是,由于IGZO器件中的有源层为氧化物,较为敏感,容易受到邻近膜层离子渗透以及外部光照的影响,使得器件电性发生漂移,进而影响显示效果。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板及显示装置,能够解决现有技术中,由于IGZO器件中的氧化物有源层容易受到邻近膜层离子渗透以及外部光照的影响,使得器件电性发生漂移,进而影响显示效果的技术问题。
为解决上述技术问题,本发明实施例提供一种显示面板,其包括电性连接的开关晶体管以及驱动晶体管;
所述显示面板还包括:
第一金属层,包括位于所述开关晶体管的氧化物有源层下的隔离层,以及所述驱动晶体管的第一驱动栅极,其中,所述隔离层与所述氧化物有源层具有重叠部分。
在本发明的一种实施例中,所述氧化物有源层在所述第一金属层上的正投影位于所述隔离层的覆盖范围之内。
在本发明的一种实施例中,所述显示面板还包括设置于所述第一金属层上的第二金属层,且所述第二金属层包括所述开关晶体管的第一开关栅极以及所述驱动晶体管的第二驱动栅极,其中,所述第一开关栅极位于所述氧化物有源层和所述隔离层之间。
在本发明的一种实施例中,所述第一开关栅极与所述隔离层通过过孔电性连接。
在本发明的一种实施例中,所述显示面板还包括设置于所述第一金属层下的第二金属层,且所述第二金属层包括所述驱动晶体管的第二驱动栅极,且所述第一驱动栅极与所述第二驱动栅极皆位于所述驱动晶体管的多晶硅有源层上。
在本发明的一种实施例中,所述隔离层为所述开关晶体管的第一开关栅极。
在本发明的一种实施例中,所述显示面板还包括设置于所述第一金属层上的第三金属层,且所述第三金属层包括所述开关晶体管的开关源极与开关漏极,所述开关源极与所述开关漏极设置于所述氧化物有源层上,并与所述氧化物有源层两侧搭接。
在本发明的一种实施例中,所述显示面板还包括设置于所述第一金属层与所述第三金属层之间的第四金属层,且所述第四金属层包括所述开关晶体管的第二开关栅极,且所述第二开关栅极位于所述氧化物有源层上。
在本发明的一种实施例中,所述开关源极在所述氧化物有源层上的正投影、所述开关漏极在所述氧化物有源层上的正投影以及所述第二开关栅极在所述氧化物有源层上的正投影相连接并覆盖所述氧化物有源层。
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