[发明专利]一种采用倒置OLED结构的硅基微显示器件、制备方法及其应用

说明书

本发明提供了一种采用倒置OLED结构的硅基微显示器件及其制备方法和应用，包括基底及设置在基底上的阴极结构；所述阴极结构上设置功能层、功能层上设置阳极，阳极上设置封盖层；与现有技术相比，本发明提供的倒置OLED有效的解决正置微腔OLED结构空穴注入势垒高的问题，避免在底部阳极上制备ITO后降低阳极反射率的问题，增强微腔强度。本结构有效的降低驱动电压并提高亮度，为OLED提供更多空穴提高器件寿命。

技术领域

本发明属于有机发光二极管制造技术应用领域，特别是一种采用倒置OLED结构的硅基微显示器件、制备方法及其应用，应用于硅基OLED微显装置。

背景技术

硅基OLED，是下一代显示技术AR/VR的核心器件，区别于常规的利用非晶硅、微晶硅或低温多晶硅薄膜晶体管为背板的AMOLED器件，它是以单晶硅作为有源驱动背板，制作的主动式有机发光二极管显示器件，像素尺寸为传统显示器件的1/10，精细度远远高于传统器件，具有高对比度、高分辨率、高集成度、低功耗、体积小、重量轻等诸多优势。其中，顶发射OLED微型显示器的亮度和寿命，是决定OLED微型显示器应用的关键因素。目前硅基OLED受底电极工艺和材料影响，存在OLED空穴注入势垒高的问题，在底电极上蒸镀ITO又会带来降低底电极反射率的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种采用倒置OLED结构的硅基微显示器件及其制备方法，解决正置微腔OLED结构空穴注入势垒高的问题，避免在底部阳极上制备ITO后降低阳极反射率的问题，增强微腔强度。本发明提供的倒置OLED器件有效的降低驱动电压并提高亮度，为OLED提供更多空穴提高器件寿命。

本发明另一目的在于提供一种硅基微显示器倒置OLED器的应用，用于显示装置。

本发明具体技术方案如下：

一种采用倒置OLED结构的硅基微显示器件，包括基底及设置在基底上的阴极结构；所述阴极结构上设置功能层、功能层上设置阳极，阳极上设置封盖层；

所述基底采用基于CMOS驱动电路的硅基；

所述阴极结构自下而上依次为：金属薄膜层、高反射率薄膜层和表面修饰层。

所述金属薄膜为锆、铬或钛薄膜；厚度为1-50nm；

所述高反射率薄膜为铝、镁、金或银薄膜；厚度为600-1200nm；铝、镁、金或银为高反射率金属；

所述表面修饰层为铬、钼、氮化钛、氮化锆、氮化铬、氮化铝、钛、TiAlN薄膜；所述表面修饰层厚度为1-5nm。

所述功能层为从下到上依次为电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层、发光层、电子阻挡层、空穴传输层、空穴注入层，最终获得单色OLED结构。

或，所述功能层还包含电荷产生层和多发光层；获得叠层OLED结构。

优选的，所述功能层包括电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层、发光层、电荷产生层、电子阻挡层、空穴传输层、空穴注入层，上述功能层多层设置。

所述空穴注入层为氧化钨WO₃、三氧化钼MoO₃、五氧化二钒V₂O₅或三氧化铼ReO₃金属氧化物或共掺杂有机半导体薄膜；厚度为1-5nm。

所述阳极为Ag、Au、Mg、Al、Ca或Yb金属膜层、透明金属氧化物IZO膜层或复合阳极；为半透明电极薄膜；

空穴注入势垒高是传统OLED器件存在的问题，需在硅基OLED的电极上制备ITO解决，但是制备ITO后会降低底部电极的反射率。本发明先制备底部电极为阴极结构，不会在底部电极上制备ITO，不损失底部电极的反射率。在做空穴注入层时使用效果更佳的空穴注入材料和结构，进而制备半透明阳极结构。