[发明专利]一种采用倒置OLED结构的硅基微显示器件、制备方法及其应用

权利要求书

1.一种采用倒置OLED结构的硅基微显示器件，其特征在于，所述采用倒置OLED结构的硅基微显示器件，包括基底及设置在基底上的阴极结构；所述阴极结构上设置功能层、功能层上设置阳极，阳极上设置封盖层。

2.根据权利要求1所述的采用倒置OLED结构的硅基微显示器件，其特征在于，所述阴极结构自下而上依次为：金属薄膜层、高反射率薄膜层和表面修饰层。

3.根据权利要求2所述的采用倒置OLED结构的硅基微显示器件，其特征在于，所述金属薄膜为锆、铬或钛薄膜；厚度为1-50nm。

4.根据权利要求2所述的采用倒置OLED结构的硅基微显示器件，其特征在于，所述高反射率薄膜为铝、镁、金或银薄膜；厚度为600-1200nm。

5.根据权利要求2所述的采用倒置OLED结构的硅基微显示器件，其特征在于，所述表面修饰层为铬、钼、氮化钛、氮化锆、氮化铬、氮化铝、钛、TiAlN薄膜；所述表面修饰层厚度为1-5nm。

6.根据权利要求1所述的采用倒置OLED结构的硅基微显示器件，其特征在于，所述功能层为从下到上依次为电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层、发光层、电子阻挡层、空穴传输层、空穴注入层。

7.根据权利要求1所述的采用倒置OLED结构的硅基微显示器件，其特征在于，所述功能层还包含电荷产生层和多发光层。

8.根据权利要求6或7所述的采用倒置OLED结构的硅基微显示器件，其特征在于，所述空穴注入层为氧化钨WO₃、三氧化钼MoO₃、五氧化二钒V₂O₅或三氧化铼ReO₃金属氧化物膜层或共掺杂有机半导体薄膜；厚度为1-5nm。

9.一种权利要求1-8任一项所述采用倒置OLED结构的硅基微显示器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

1)、在基底上制备阴极结构；

2)、采用真空蒸镀的方法在阴极结构上制备功能层；

3)、制备阳极；

4)、制备封盖层。

10.一种权利要求1-8任一项所述采用倒置OLED结构的硅基微显示器件的应用，其特征在于，用于制作硅基显示器。