[发明专利]集成电路单元及制作有集成电路单元的晶圆

说明书

提出了一种集成电路单元及制作有集成电路单元的晶圆。该晶圆具有第一表面和与该第一表面相对的第二表面，该第一表面上制作有再布线金属层，该再布线金属层被构图具有设定的再布线金属层图案，第二表面上制作有背面金属层，该背面金属层被构图具有背面金属层图案，所述背面金属层图案使该背面金属层减小所述再布线金属层对该晶圆的应力。

技术领域

本公开的实施例涉及集成电路，特别地，涉及集成电路单元及制作有集成电路单元的晶圆。

背景技术

在晶圆上制作半导体集成电路的过程中，通常需要在晶圆的正面制作再布线金属层以及金属接触以允许集成电路与外部电路进行电气连接和信号交换。然而，在热回流工序后，由于再布线金属层及金属接触的应力等因素会导致晶圆翘曲或发生变形弯曲，会影响最终产品良率。

发明内容

本公开的一个实施例提出了一种一种集成电路单元，包括晶片，具有正面以及与该正面相对的背面，其中该正面上制作有再布线金属层，该再布线金属层被构图具有设定的第一布线图案，该背面上制作有背面金属层，该背面金属层被构图具有第二布线图案，所述第二布线图案使该背面金属层减小所述再布线金属层对该晶片的应力。

根据本公开的一个实施例，该再布线金属层被构图后制作成多段再布线金属走线，该多段再布线金属走线的布图图案构成所述设定的第一布线图案。

根据本公开的一个实施例，该背面金属层被构图后制作成多段背面金属走线，该多段背面金属走线的走线轨迹构成所述第二布线图案。

根据本公开的一个实施例，所述第二布线图案与所述第一布线图案相同。

根据本公开的一个实施例，在所述背面的与所述正面相对应的位置处，所述背面上的所述第二布线图案与所述正面上的所述第一布线图案相同。

根据本公开的一个实施例，所述多段背面金属走线中的那些尺寸大于等于第一设定尺寸的背面金属走线分割为由小于等于第二设定尺寸的金属块拼成。

根据本公开的一个实施例，所述多段背面金属走线中的每段背面金属走线分割为由小于等于第二设定尺寸的金属块拼成。

根据本公开的一个实施例，所述所述第一设定尺寸为400μm。所述第二定尺寸为200μm。

根据本公开的一个实施例，所述背面金属层的厚度在7μm-20μm的范围。

根据本公开的一个实施例，所述背面金属层包括贴附所述背面的第一金属层和制作于该第一金属层上的第二金属层，该第二金属层的厚度小于该第一金属层的厚度。

根据本公开的一个实施例，所述背面金属层被构图为由多个设定形状的金属块分布于所述背面上。在一个实施例中，所述多个设定形状的金属块均匀分布于所述背面上。在一个实施例中，每个金属块具有设定的尺寸，所述设定的尺寸在小于等于200μm*200μm的范围之内。

本公开的另一个实施例提出了一种制作有集成电路单元的晶圆，包括：第一表面，该第一表面上制作有再布线金属层，该再布线金属层被构图具有设定的再布线金属层图案；以及第二表面，与该第一表面相对，其中该第二表面上制作有背面金属层，该背面金属层被构图具有背面金属层图案，所述背面金属层图案使该背面金属层减小所述再布线金属层对该晶圆的应力。

根据本公开的一个实施例，该晶圆第一表面上的该再布线金属层被构图后制作成多段再布线金属走线，该多段再布线金属走线的布图图案构成所述设定的再布线金属层图案。

根据本公开的一个实施例，该晶圆中制作有多个集成电路单元，对该晶圆第一表面上的该再布线金属层构图以针对每个集成电路单元形成每个集成电路单元的再布线金属层，每个集成电路单元的再布线金属层具有设定的第一布线图案。其中所述再布线金属层图案由所述多个集成电路单元的再布线金属层的所述设定的第一布线图案的集合构成。