[发明专利]集成电路单元及制作有集成电路单元的晶圆

权利要求书

1.一种集成电路单元，包括：

晶片，具有正面以及与该正面相对的背面，其中该正面上制作有再布线金属层，该再布线金属层被构图具有设定的第一布线图案，该背面上制作有背面金属层，该背面金属层被构图具有第二布线图案，所述第二布线图案使该背面金属层减小所述再布线金属层对该晶片的应力，其中，该背面金属层被构图后制作成多段背面金属走线，所述多段背面金属走线中的那些尺寸大于等于第一设定尺寸的背面金属走线分割为由小于等于第二设定尺寸的金属块拼成。

2.如权利要求1所述的集成电路单元，其中，该再布线金属层被构图后制作成多段再布线金属走线，该多段再布线金属走线的布图图案构成所述设定的第一布线图案。

3.如权利要求1所述的集成电路单元，其中，该多段背面金属走线的走线轨迹构成所述第二布线图案。

4.如权利要求3所述的集成电路单元，其中，所述第二布线图案与所述第一布线图案相同。

5.如权利要求3所述的集成电路单元，其特征在于，在所述背面的与所述正面相对应的位置处，所述背面上的所述第二布线图案与所述正面上的所述第一布线图案相同。

6.如权利要求1所述的集成电路单元，其中，所述第一设定尺寸为400μm。

7.如权利要求1所述的集成电路单元，其中，所述第二设定尺寸为200μm。

8.如权利要求3-5其中之一所述的集成电路单元，其中，所述多段背面金属走线中的每段背面金属走线分割为由小于等于第二设定尺寸的金属块拼成。

9.如权利要求8所述的集成电路单元，其中，所述第二设定尺寸为200μm。

10.如权利要求1所述的集成电路单元，其中，所述背面金属层的厚度在7μm-20μm的范围。

11.如权利要求1所述的集成电路单元，其中，所述背面金属层包括贴附所述背面的第一金属层和制作于该第一金属层上的第二金属层，该第二金属层的厚度小于该第一金属层的厚度。

12.一种制作有集成电路单元的晶圆，包括：

第一表面，该第一表面上制作有再布线金属层，该再布线金属层被构图具有设定的再布线金属层图案；以及

第二表面，与该第一表面相对，其中该第二表面上制作有背面金属层，该背面金属层被构图具有背面金属层图案，所述背面金属层图案使该背面金属层减小所述再布线金属层对该晶圆的应力，其中该背面金属层被构图后制作成多段背面金属走线，所述多段背面金属走线中的那些尺寸大于等于第一设定尺寸的背面金属走线分割为由小于等于第二设定尺寸的金属块拼成。

13.如权利要求12所述的晶圆，其中，该再布线金属层被构图后制作成多段再布线金属走线，该多段再布线金属走线的布图图案构成所述设定的再布线金属层图案。

14.如权利要求12所述的晶圆，其中，该多段背面金属走线的走线轨迹构成所述背面金属层图案。

15.如权利要求14所述的晶圆，其中，所述背面金属层图案与所述再布线金属层图案相同。

16.如权利要求14所述的晶圆，其特征在于，在所述第二表面的与所述第一表面相对应的位置处，所述第二表面上的所述背面金属层图案与所述第一表面上的所述再布线金属层图案相同。

17.如权利要求12所述的晶圆，其中，所述第一设定尺寸为400μm。

18.如权利要求12所述的晶圆，其中，所述第二设定尺寸为200μm。