[发明专利]GaAs芯片失效分析样品及制备方法在审
| 申请号： | 202110303325.7 | 申请日： | 2021-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN113075522A | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 殷荣;陈佳妃 | 申请（专利权）人： | 苏试宜特（上海）检测技术有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海唯源专利代理有限公司 31229 | 代理人： | 季辰玲 |
| 地址： | 201103 上海市闵*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | gaas 芯片 失效 分析 样品 制备 方法 | ||
1.一种GaAs芯片失效分析样品制备方法，其特征在于，包括步骤：
对GaAs芯片的基板进行研磨，使所述GaAs芯片露出晶背；
对露出晶背的GaAs芯片进行热点定位，确认失效位置；
对所述GaAs芯片的晶背进行物理减薄，使减薄后的厚度满足切割操作厚度；
利用红外显微镜对减薄后的GaAs芯片进行扫描并再次确认所述失效位置；
根据所述失效位置对减薄后的GaAs芯片进行切割并形成失效分析样品。
2.如权利要求1所述的GaAs芯片失效分析样品制备方法，其特征在于，所述切割操作厚度不超过30微米。
3.如权利要求1所述的GaAs芯片失效分析样品制备方法，其特征在于，采用研磨盘对所述GaAs芯片的晶背进行物理减薄。
4.如权利要求3所述的GaAs芯片失效分析样品制备方法，其特征在于，在对所述GaAs芯片的晶背进行物理减薄时，以较大强度研磨所述失效位置以外的区域，以较小强度研磨所述失效位置，且在所述失效位置以外的区域露出金属走线时停止研磨。
5.如权利要求1所述的GaAs芯片失效分析样品制备方法，其特征在于，先对所述GaAs芯片进行电性确认，当确认所述GaAs芯片具有电性故障时，再对GaAs芯片的基板进行研磨。
6.如权利要求5所述的GaAs芯片失效分析样品制备方法，其特征在于，根据所述电性确认情况选择适合的热点定位设备进行所述热点定位。
7.如权利要求1所述的GaAs芯片失效分析样品制备方法，其特征在于，利用OBIRCH/InGaAs EMMI/ThermalEMMI设备进行所述热点定位，利用所述OBIRCH设备上的红外显微镜对减薄后的GaAs芯片进行扫描并再次确认所述失效位置。
8.如权利要求1所述的GaAs芯片失效分析样品制备方法，其特征在于，采用双束型聚焦离子束对减薄后的GaAs芯片进行切割并形成失效分析样品。
9.一种GaAs芯片失效分析样品，其特征在于，利用如权利要求1～8任意一项所述的GaAs芯片失效分析样品制备方法制备得到。
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